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51.
非局部变分修复法去除高密度椒盐噪声 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了中值滤波及其改进型算法在处理高密度椒盐噪声时效果不理想的原因,采用变分修复方法来去除高密度椒盐噪声,基于现有的全变差修复模型提出了非局部全变差修复模型。该模型利用椒盐噪声特点(均匀分布、灰度值为0或255),将噪声点看成是图像中遗失或是破损的点,首先在图像中寻找与噪声点邻域相似的区域,将相似区域的中心像素作为噪声点新的邻域然后对其插值,把图像降噪问题转化为图像修复问题,从而达到去除高密度噪声的目的。实验结果表明:该模型对噪声密度为90%的彩色和灰度图像去噪后,其峰值信噪比为22.85和28.77,在客观评价标准方面优于中值滤波及其改进型算法。该模型能有效去除高密度下的椒盐噪声并较好地恢复图像细节,为图像去除高密度噪声提供了一种新的途径。 相似文献
52.
生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响 总被引:3,自引:0,他引:3
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料,获得表面平整.光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高,为了保证铟在固相中组分不变,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时,外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄,高于或低于这个温度区间,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值,然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大,在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。 相似文献
53.
54.
Silicon is a preferred material in solar cells,and most of silicon allotropes have an indirect band gap.Therefore,it is important to find new direct band gap silicon.In the present work,a new direct band gap silicon allotrope of o-Si32 is discovered.The elastic constants,elastic anisotropy,phonon spectra,and electronic structure of o-Si32 are obtained using first-principles calculations.The results show that o-Si32 is mechanically and dynamically stable and is a direct semiconductor material with a band gap of 1.261 e V. 相似文献
55.
56.
57.
58.
59.
研制一台双通道舰船信号发生仪,为雷达稳定平台提供舰船信号,以测试稳定平台的工作状态。从设计指标要求着手,给出设计方案,从结构设计、硬件设计、软件设计等方面进行仪表的具体设计。完成仪表设计方案,实现设计功能,满足设计指标。结果表明仪表使用方便、操作简单、显示清晰、输出稳定可靠,在测试稳定平台的工程实践应用中表现良好。 相似文献
60.
针对感知平台利用GPS导航和 PIR阵列进行目标轨迹预推精度低,实用性差的局限性,提出了一种利用声导引技术 进行精确定位,4感知平台 PIR阵列构成正方形感知模型实现目标运动轨迹测量的方法,在该研究中,单感知平台由8个PIR传感器组成静动系感知阵列,1个扬声器和 4个麦克风组成声阵列,通过延时估计算法得到各麦克风相对声信标的距离和方位,将感知平台精确导航到预设点,获取感知模型中32路传感器角度信息进行融合,再结合自身坐标信息及检测目标时间信息通过轨迹预推算法推导出准确的运动轨迹, 实验结果表明,该方法有效弥补了仅利用GPS实现单一定位且精度低的不足,同时突破了已往单感知平台进行轨迹预推的方法,具有较大的理论意义与实际应用价值。 相似文献