D类音频功放过流保护电路的设计

本文设计了一种D类音频功放的过流保护电路。通过和功率管同类型,缩小尺寸的采样管监测流过功率管电流的大小,因此在高侧功率管和低侧功率管过流时,使用一个基准电压值和一个比较器就可以完成过流检测及保护功能,有效降低了过流保护电路的功耗和版图面积。栅驱动电路通过一个自举电容不仅为高侧功率管及采样管的开启提供足够的驱动电压,还为过流保护电路提供选择控制信号,交替检测高低侧功率管的过流情况。过流保护电路采用耐高压结构,保证D类音频功放大功率输出时正常工作。     

Numerical Simulation of BJMOSFET on Current-Voltage Characteristics

A new power MOSFET Structure with a pn junction--Bipolar Junction MOSFET (BJMOSFET) has been proposed. The device has the advantages of both BJT and FET. The numerical model of the I-V characteristics of BJMOSFET has been obtained on the basis of both numerical and analytical methods. With the software package of Mathematic, we firstly calculate the gain factor, and then simulate the voltage tranmission, voltage output and voltage transfer's characteristic graphs of the BJMOSFET. The simulation result indicates that BJMOSFET has the current density, which is about 25% larger than the power MOSFET, under the same operating conditions and with the same structure parameters, except that the threshold voltage increase a little.     

p-well/DNW单光子雪崩二极管保护环的最小化设计（英文）

为了进一步缩小SPAD探测器的尺寸,基于0. 18μm CMOS图像传感器(CIS)工艺对p-well/DNW(deep n-well) SPAD的保护环尺寸进行设计,并制造了不同保护环尺寸的SPAD器件.测试结果表明,保护环尺寸减小到0. 4μm仍然能有效防止器件发生过早边缘击穿(PEB),且保护环尺寸对p-well/DNW SPAD器件的暗计数率(DCR)和光子探测概率(PDP)影响较小.直径为20μm的SPAD器件,温度为25℃时暗计数率为638 Hz,且波长为530 nm时峰值光子探测概率为16%,具有低的暗计数率特性和宽的光谱响应特性.     

（英）一种新型低暗计数率单光子雪崩二极管的设计与分析

基于0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS) 图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率(Dark Count Rate)单光子雪崩二极管(SPAD)器件.该器件是利用P+/LNW(Light N-well doping)结检测光子,并通过低浓度的N型扩散圆形保护环抑制边缘击穿,确保其工作在盖格模式.测试结果表明在室温环境下,直径为8 μm的SPAD器件,雪崩击穿电压为14.2 V,当过调电压设置为2 V时,暗计数率为260 Hz,具有低的暗计数率特性.     

高边缘击穿和扩展光谱的圆形单光子雪崩二极管

介绍了一种0. 18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的新型宽光谱荧光相关谱探测器,其为高边缘击穿、扩展光谱和低暗计数率的圆形单光子雪崩二极管(SPAD).该器件由p+/deep n-well结,p-well保护环和多晶硅保护环组成.通过Silvaco TCAD 3D器件仿真,直径为10μm的圆形p+/deep n-well SPAD器件具有较高边缘击穿特性.此外,p+/deep n-well结SPAD比p+/n-well结SPAD具有更长的波长响应和扩展光谱响应范围.该器件在0. 5 V过量偏压下,可在490～775 nm波长范围内实现超过40%的光子探测率.该圆形p+/deep n-well SPAD器件在25℃时具有较好雪崩击穿为15. 14 V,具有较低暗计数率为638 Hz.     

一种高精确度低功耗无片外电容LDO设计

设计了一种片上集成的高精确度、低功耗、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。采用一种新型高精确度、带隙基准电压源电路降低输出电压温漂系数;采用零功耗启动电路和支路较少的摆率增强模块降低功耗,该电路采用CSMC 0.5 μm CMOS工艺。经过Cadence Spectre仿真验证,输出电压为3.3 V,在3.5~5.5 V范围内变化时,线性调整率小于0.3 mV/V,负载调整率小于0.09 mV/mA,输出电压在-40~+150 ℃范围内温漂系数达10 ppm/℃,整个LDO消耗17.7 μA的电流。     

低功耗CMOS视觉传感器新结构及其SOC实现

提出了一种新型单片CMOS摄像传感器电路的体系结构,该结构集成了摄像、噪声消除、模数转换、图像处理、图像增强、色彩空间转变等功能.采用该结构实现的CMOS视觉芯片动态范围大,在弱光和强光下均能拍摄图像;工作在30帧的情况下,消耗的功耗只有75 mW,具有低功耗的优点.基于该单芯片低功耗CMOS视觉传感器芯片开发的系统元器件少,可广泛应用于手机拍照、数码相机和网络视频等多媒体终端.     

用于CMOS图像传感器的双极结型光栅晶体管特性的数值模拟与分析

提出一种用于CMOS图像传感器的新型光电检测器———双极结型光栅晶体管 ,并建立了其解析模型 .基于0 6 μmCMOS工艺参数的模拟结果表明双极结型光栅晶体管具有传统光栅晶体管的特性 ,但与传统光栅器件相比 ,随着入射光功率的增加 ,双极结型光栅晶体管的光电流密度呈指数式增长 ,且其蓝光响应特性得到改善 .     

模数转换技术及其发展趋势

简要介绍了当前模数转换主流技术的原理、结构、工作方式以及特点，并指出了各自所存在的问题。最后，根据对各种模数转换技术的分析，展示了模数转换技术的发展趋势。     

嵌入式I2C从机设计验证与版图实现

提出了一种嵌入式标准化I2C从机设计方案,对传统I2C从机的状态机进行简化,得到了改进型状态机.综合结果表明,与传统状态机相比,改进型状态机的面积减少约20％,功耗降低约4％.以一款芯片为例,详细介绍了I2C总线嵌入式开发过程.该方案已通过功能仿真、FPGA验证及版图后仿真.对该电路进行FPGA验证,构建了一种简单、高效的FPGA验证系统.