导模法生长的β-Ga2O3单晶的位错腐蚀坑显露面

β-Ga₂O₃单晶作为高压大功率器件的衬底,其位错密度直接影响器件的漏电特性,位错腐蚀坑显露面与外延生长密切相关。β-Ga₂O₃单晶属于单斜晶系,对称性低,研究不同晶面位错腐蚀坑的形状与显露面难度较高。对采用导模(EFG)法生长的(001)、■和(010)面β-Ga₂O₃晶片进行腐蚀,采用扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀坑形貌,采用共聚焦激光扫描显微镜对显露面与表面晶面之间的夹角进行表征,根据测试结果可推算出腐蚀坑显露面晶面指数,为衬底和外延生长提供重要的参考依据。     

中尺度地形对热带气旋边界层的影响

基于梯度风动量近似理论,考虑气压梯度力、科氏力、湍流摩擦力、离心力和惯性偏差力5力平衡,得到了柱坐标系下具有热带气旋边界层特征的解析解.并着重讨论了三维钟型孤立地形及二维钟型地形对径向速度、垂直水平流场及垂直速度场的影响.对于数值解的再现表明,热带气旋内边界层的运动同时受到湍流摩擦作用与地形作用的共同影响,二维钟型地形比三维钟型孤立地形对于垂直速度场、径向速度场及流场有更明显的影响.而热带气旋中心与地形中心的不重合会产生风场的不对称结构,且会在地形西北侧形成"偶极型"的垂直速度.     

从光学相控阵技术展望激光通信的发展趋势（特邀）

光学相控阵技术通过调节和控制光学天线阵元的相对相位,可实现高速灵活的定向辐射,逐渐发展成为非机械式光束控制的主流方案。其兼具功耗低、集成度高、体积小、质量轻等优点,可以同时控制多波束的收发,满足未来一对多激光通信的迫切发展需求。本文主要针对光学相控阵技术当前三种主流的技术方案在激光通信领域的应用现状进行阐述,对比给出了基于液晶、微机电系统和集成光波导平台的技术特点和应用优劣。最后针对光学相控阵技术在激光通信领域的未来发展,给出了笔者的一些思考与建议。     

K荧光辐射场MC模拟与能谱测量分析

K荧光辐射装置可填补国内超大型测量面积核辐射探测器计量检定需求,该装置具通量高、能量点多、单色性好、有成本低、即开即用等优势。其原理是X射线光机发射出的X射线轰击辐射体材料产生多种特征X射线即荧光射线,在荧光射线出射路径上加入次级过滤器吸收掉多余的射线以提高荧光纯度,辐射体以及次级过滤器的材料厚度值与荧光产额、纯度直接相关。通过MC(Monte Carlo)程序计算荧光装置各项指标参数结果,指导后期试验装置的建立和研究,MCNP5(Monte Carlo N Particle Transport Code)软件模拟Cs₂SO₄辐射体数据表明：荧光装置具有良好的屏蔽和准直的效果,荧光以辐射体中心垂直面呈对称逐渐减小分布;荧光产额随着辐射体厚度的增加逐渐增大,但存在相对饱和厚度值,即辐射体达到一定厚度值以后,荧光产额不再随辐射体厚度的增加而增大,而是趋于饱和状态;为获取单一能量荧光辐射场,在荧光出射束方向增加次级过滤器TeO₂材料,其吸收L,K_β射线会远远大于K_α射线,以达到消除L...     

硅CVD外延自掺杂效应的分析研究

本文首先对自掺杂机理进行了分析。并采用反向补偿原理,吸附-解吸、滞流层静态-动态转换等,对工艺进行优化,在通常条件下有效地控制了自掺杂。     

122 GHz毫米波在管状结构内的传输特性

雷达测速是管状结构内运动参数测试系统的重要手段，提高雷达工作频率可有效提高测速精确度和分辨力。在122 GHz毫米波可用性分析的基础上，分别建立了管径和管壁粗糙度对毫米波传输的衰减常数计算模型。仿真结果表明：随着管状结构管径的不断增大，衰减常数趋于减小；管壁粗糙度在5 μm内，衰减常数急剧增大；大于5 μm后，衰减常数趋于平稳，该结果进一步证明了122 GHz毫米波在身管等管状结构毫米波测速的可行性。     

电信运营商数据资产管理目标及策略

运营商数据包含用户多类隐私性极强的数据，价值极高，因此需要更严密、更科学的数据管理方式来加以保护。文章针对该问题，提出了数据可管、风险可控、分析可用的“三可”目标，从组织建设、制度建设、系统建设三个方面进行梳理，提出相应策略，通过有效地控制3级21类风险，将数据分析模型落地应用，为企业创造价值。     

2.4GHz可变增益CMOS跨阻放大器设计

设计了一种2.4 GHz低功耗可变增益跨阻放大器.该放大器为两级放大结构,主要应用于电流模式发射机后端的电流-电压信号转换及放大.第一级放大使用电流复用结构,第二级放大使用共源共栅差分结构.通过控制第一级的跨阻式反馈电阻的大小及第二级偏置电压的大小,在基本不影响输入、输出匹配的情况下,可以得到连续15 dB的增益变化范围.在2.4 GHz及高增益模式下,增益可达18.27 dB,噪声仅为1.061 dB,功耗也仅为6.38 mW.     

一种S波段雷达信号源的设计

本文介绍了一种基于DDS的S波段信号源的设计方案,同时给出了主要硬件选型和具体实现。本系统以ARM为控制核心,用DDS产生基带信号,与VCO产生的本振信号进行上变频,产生射频信号。该系统既可以由ARM独立运行控制算法,实现对输出信号相位、幅度、频率的控制;也可以通过USB,由上位机产生控制数据,传送到ARM,实现对输出信号的控制。     

共模反馈环路稳定性分析及电路设计

系统介绍了全差分运放中的共模反馈原理,并对采用一级共模反馈的两级运放的拓扑结构进行了分析,从而推导出了环路的稳定条件,并基于这个条件设计了一种成本低、匹配好的共模反馈电路．该电路可避免由于共模外环正反馈导致电路出现的“锁死状态”。本电路的设计基于TSMC0．5um Bi—CMOS工艺。Spectre仿真结果表明：运放工作性能良好,可稳定输出共模电平。