基于FPGA的射频装定系统编码模块设计

针对射频装定系统易受噪声和干扰的影响,导致数据装定出现错误的问题,提出在装定系统发送端对工作命令进行差错控制编码,增强系统的抗干扰能力。首先,根据(7,4)循环码信息位和监督位之间的线性关系,对工作命令进行编码,使其具有发现并纠正一个错误位的能力。其次,采用平衡Gold码进行扩频调制,使系统具有保密性强的优点。最后,在采用查表法进行正弦信号发生器设计的基础上,进行选择法的QPSK调制,具有结构简单、易于实现的优点。经实验验证,采用31位的的Gold码进行调制,系统扩频增益为14.77dB;QPSK波形频率为781.25 KHz,符合设计需求。     

异步时序状态机的分析与设计

文中以给出的一个状态机为例,然后用异步时序状态机的设计方法得到最终的电路,最后用Verilog语言描述其电路并在modelsim上进行逻辑测试,测试结果表明所设计的电路是正确的。     

全感应式钢栅位移传感器设计

位移传感器技术是一项对现代科学研究和工业生产有着重要影响的传感器技术，基于电磁感应原理，设计了一套钢栅位移传感系统，整个系统由基于ARM的信号处理主板、激励线圈、感应线圈和钢栅尺构成，主板通过感应信号的检测和计算得到位移信息，使用激光干涉仪进行了性能测试。测试结果表明，传感器分辨率达到1μｍ，在 35ｃｍ的量程内位移误差在10μｍ 左右，系统运行稳定，结构简单易维护，并且可以支持非直线测量。具有较高的实用性。     

野生稻优良基因资源的发掘、种质创新及利用

种质资源是作物育种的物质基础,也是研究水稻起源、进化、发育和基因功能的基本材料.本文以野生稻为对象,系统总结、分析了近年来世界范围内水稻遗传育种界对野生稻有利基因资源发掘和利用所取得的成就,以及该领域在研究技术和手段方面的最新进展.     

光纤陀螺研究综述

从光纤陀螺诞生以来，它就以其显著的优点、灵活的结构和诱人的前景引起了世界上诸多国家的大学和科研机构的普遍重视。为此综述了光纤陀螺的基本原理和它的特点以及分类，并着重介绍了光纤陀螺的国内外发展状况。     

一种多主星模型的多视场星图识别方法

甚高精度星敏感器往往需要小视场、大面阵以确保较高的角分辨率,然而视场小容易导致星图识别可靠性降低.针对多视场甚高精度星敏感器,本文提出了一种多主星模型的多视场星图识别方法.该方法首先以某一视场星敏感器为基准,利用星敏感器之间的相对安装关系,将其他视场星敏感器探测到的星点转换到基准坐标系下的矢量,然后在每个视场中各自确定...     

基于Labview的光纤光栅波长解调系统

提出了一种基于Labview的数字化光纤光栅信号解调系统,实现了光纤光栅应变传感波长解调.采用Labview编写程序实现信号的实时采集、处理、显示,解决了普通光纤光栅解调设备成本高,体积大等难题;进行了基于上述系统的光纤光栅应变传感实验研究.实验结果表明,反射谱线中心波长漂移量与轴向应力具有很好的线性关系,当应力达到60με时,光纤Bragg光栅(FBG)对应的波长漂移量约为1.90 nm.     

涉海装备用机械密封技术研究现状及发展趋势研究

随着海洋资源的不断开发和探索,机械密封技术已成为保证涉海装备正常运行和海洋开发可靠进行的必备关键要素之一. 本文作者从摩擦学和动力学等角度综述了涉海装备用机械密封技术的研究现状,重点从密封界面效应、多场耦合、动力学特性和密封面表面织构等几方面展开具体分析与讨论,对机械密封相关技术进一步的研究方向和发展趋势进行了总结和探索,指出了涉海装备用机械密封技术的发展方向及趋势,为今后涉海装备用机械密封的设计开发及应用提供了基础,对提高涉海装备用机械密封性能及装置运行安全性、稳定性和可靠性具有重要意义.      

外腔半导体激光器用恒流源电路设计与实现

由于外腔半导体激光器系统中的核心部分——激光器受外界环境影响较大,在装配或工作中极易受到电压、电流和静电荷的影响而损坏.为减少由于电路不稳定产生的激光器损坏,在借鉴各种传统的恒流源电路实现方式的基础上,运用反馈恒流原理,慢启动慢关闭原理,利用场效应管特性,给出一种高准确度恒流电路实现方式.将此电路直接运用于中心波长1550 nm激光器作为驱动电路,工作稳定、输出电流受负载影响很小且输出准确度达到同行业先进水平.电流稳定达到0.01％以上.此电路实现方式简单,实用性较强,对整个电路做出了实验仿真和测试,很好地解决了由于驱动电流不稳造成的激光器损坏的问题.     

超宽禁带半导体β-Ga2O3相关研究进展

氧化镓(β-Ga₂O₃)是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本。21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量β-Ga₂O₃单晶晶圆,京都大学开展了β-Ga₂O₃薄膜外延研究并获得了高质量的同质外延片。在此基础上,日本信息通信研究机构于2012年构建了第一个β-Ga₂O₃金属半导体场效应晶体管(MESFET),证明了β-Ga₂O₃在功率器件领域拥有巨大潜能,开启了β-Ga₂O₃研发的新纪元。此后,国际上众多机构加入了β-Ga₂O₃单晶、外延、器件的研发潮流。随着研发工艺的进步,β-Ga₂O₃基功率器件的耐压上限一次次被刷新。本文梳理了β-Ga₂O₃单晶、外延、器件发展的时间线,汇总分析了β-Ga₂O₃功率器件的研究现状,指出存在的问题和可能的解决方案,并对其未来进行了展望,期望为以后的技术发展提供参考。