动能歧视(KED)-电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定贵州沉积型稀土矿中16种稀土元素

贵州沉积型稀土矿主要含有高岭土-锐钛矿石等矿物,存在高含量Si、Al、Fe、Ti、Zr等难溶基体元素,采用高压密闭微波消解法处理难以将其完全溶解,易使测定结果偏低,需再次消解或进一步电热板敞开酸溶处理,方法耗时长,不利于大批量样品检测需求。同时电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)在测定稀土元素时存在基体效应和质谱干扰,影响了检测数据的准确性。本文采用过氧化钠熔融分解样品,熔融物冷却后引入三乙醇胺溶液,在碱性溶液中,大量基体元素与三乙醇胺形成稳定配合物,并与大量溶剂钠盐存于溶液中,稀土元素与Ca、Mg、Sr、Ba等留存于沉淀,经过滤,实现稀土元素与大量基体元素分离,随后沉淀用(1+1)硝酸复溶,并以103Rh和185Re为在线注入内标协同降低基体干扰;启用动能歧视(KED)模式以降低测定过程中潜在的质谱干扰。实验结果表明:高压密闭微波消解法消解液浑浊有残渣,溶矿耗时长,测试结果偏低,碱溶法酸化后溶液清亮透明,稀土元素测定值准确性高;经条件试验,采用10%三乙醇胺溶液提取能较大降低基体干扰;启用KED模式可降低测定过程中的质谱干扰,且准确度优于STD模式;碱溶法方法检出限为0.008μg/g~0.049μg/g,测定下限为0.034μg/g~0.195μg/g,相对标准偏差RSD在0.78%～10.2%之间,相对误差RE在0.0225%~13.5%之间。经实际样品验证,碱熔法较适用于贵州沉积性稀土矿中16种稀土元素的测定。     

基于准分子激光加工技术的内嵌光纤型微流控器件的制备

为了方便、快速、低成本地检测样品,提出一种内嵌光纤型微流控芯片的制备方法.利用248 nm的KrF准分子激光在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基片上进行微加工,构建芯片结构,并嵌入腐蚀过的直径35μm的单模光纤,从而形成内嵌光纤型芯片.探讨了准分子激光加工参数以及嵌入光纤的方法.结果表明,用准分子激光加工芯片,可控性好、简便可靠、加工过程可实现无人化.内嵌光纤实现了光纤的相互对准以及光纤对流道中央的对准,可以灵敏地获取样品的光学信号.     

数字录像机的格式及应用

本文介绍了数字录像机的压缩编码方式的基本原理。讨论各类码率压缩数字录像机的技术特点和在应用中应考虑的因素。     

电化学引起Si：Er^3＋材料1.54μm发光增强

利用７７Ｋ红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品的光致发光影响。实验表明：电化学过程除在Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外，还使Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品中的１．５４μｍ光致发光效率明显提高，且Ｅｒ＾３＋发光峰增宽，次峰更丰富。     

WCDMA中变步长功率控制过程

本文提出了一种可应用于WCDMA中的变步长功率控制策略,这种功控策略根据TPC命令的"历史",将功率控制过程划分为Markov状态,分析信道衰落步长的概率密度,每一状态对应一个确定的步长值,从而可以确定功率控制步长集中的步长数,我们选用概率密度最大的数值,同时考虑硬件可以分辨的最小步长在0.5dB左右,确定步长集.再用仿真的方法,确定状态和步长的对应关系.发射机依据当前的TPC命令决定应该增大还是减小发射功率,依据当前TPC命令和"历史"上的TPC命令选择合适的功率步长,进而确定发射功率.     

LD抽运Nd:GGG热容激光器实验研究

报道了激光二极管抽运单片NdGGG热容激光器,实验获得平均输出功率为1.49 kW的激光输出,光-光转换效率为24.1%.同时对介质不同截面内抽运光、温度及温度梯度分布的瞬态三维分布进行了计算模拟.     

一种基于极化DBF的制导雷达抗干扰方法

提出了一种极化相控阵弹载雷达系统,以提高导弹制导雷达的电子战性能。该雷达是一个全相参和全极化的系统,采用极化数字波束形成技术实现对干扰的空域抑制,采用脉冲压缩技术和瞬态极化目标识别技术实现对目标信号的正确分选。阐述了一种极化阵列制导雷达的系统设计方案,论述了在此系统中数字波束形成的实现方法,研究了一种全极化信号处理方法,并通过仿真实验分析了该雷达的抗干扰性能。提出的抗干扰方法结合了数字波束形成技术和极化信号处理技术的优点,增强了制导雷达对各种电子干扰的综合对抗能力,在系统实现上具有可行性。     

变形分数傅里叶变换双随机相位加密技术

提出变形分数傅里叶变换双随机相位编码技术。详细阐述了编码与解码的光学原理,由于变形分数傅里叶变换比分数傅里叶变换多两个分数傅里叶变换阶次,所以,变形分数傅里叶变换双随机相位编码技术比分数傅里叶变换双随机相位编码技术增加了两重密钥,进一步提高了系统的保密性能。并进行了计算机模拟验证,结果证明该原理是正确的。     

基于循环二次相关的时延估计

针对无源定位中时延估计的问题,在研究循环二次相关时延估计算法的基础上,结合希尔伯特差值时延估计算法,提出了一种新的时延估计方法。该方法运用希尔伯特差值法对循环二次相关峰值进行锐化处理,提高了时延估计精度,能在低信噪比条件下取得更好的时延估计性能。仿真验证了算法的有效性。     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1．