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991.
采用高温熔融法制备了Tm~(3+)/Dy~(3+)共掺杂铋酸盐玻璃样品。利用样品的差热分析曲线、拉曼光谱、红外透过光谱、吸收光谱、荧光光谱和荧光衰减曲线,对800nm激光二极管抽运下样品的1.47μm宽带发光特性进行了研究。研究结果表明,制备的铋酸盐玻璃具有良好的热稳定性、较低的声子能量和较高的红外透过率。当Dy~(3+)的摩尔分数为0.3%时,实现了对Tm~(3+)的1.47μm发光的敏化增强,其荧光谱线的半峰全宽为118nm。计算得到1.47μm发光的最大受激发射截面为4.37×10~(-21) cm~2,光纤放大品质因子为5.31×10~(-26) cm~3。 相似文献
992.
本文对比研究了LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器的存储特性. 实验结果表明,LaON/SiO2双隧穿层MONOS存储器具有较大的存储窗口,快的编程/擦除速度及好的疲劳和保持特性. 其机理在于LaON较大的介电常数有效提高了编程/擦除过程中载流子的注入效率,较小的O 扩散系数减少了界面陷阱,从而减少了保持期间存储电荷通过陷阱辅助隧穿的泄漏. 而且N的结合在界面附近形成了强的La-N,Hf-N 和O-N键,可有效降低编程/擦除循环应力对界面的损伤,使器件具有好的疲劳特性. 此外,研究了退火温度对存储特性的影响,结果表明800 ℃退火样品的存储特性比700 ℃退火的好,这是因为800 ℃时NO退火可在LaON(HfON)中引入更多的N,且能更好释放应力,使介质中缺陷减少.
关键词:
MONOS
双隧穿层
LaON
HfON 相似文献
993.
采用溶胶-凝胶法在LNO/Si衬底上制备了(Pb1-xLax)(Zro.52Ti048)1-x/4O3 (PLZT)多晶薄膜.XRD图谱显示,通过600C的快速热退火过程制备出了同时具有三方相和四方相的PLZT薄膜,并且薄膜呈现(110)晶向择优生长;拉曼图谱进一步证实了薄膜同时具有三方相和四方相;研究样品的电滞回线发现,随着La含量的减小,薄膜的电滞回线不断宽化;同时,通过光伏效应测试得出结论,当La含量从1%增加到6%时,光生电压逐渐增大,并在6%时达到极大值,当La含量进一步增加时,光生电压反而随之减小. 相似文献
994.
995.
996.
997.
998.
在中国,卫星通信成为抗灾救灾的生命线,早已不是第一次。问题在于,在灾难之前甚至在灾难过后,会有多少人想起这个英雄? 相似文献
999.
1000.