烷基紫精/五氧化二钒插层化合物的组装、表征及磁性的研究

以烷基紫精(alkylviologens; 又称紫精或紫罗精)为有机客体、层状五氧化二钒为无机主体, 在液、固两相反应体系中, 利用I^－与V^5＋的氧化还原反应, 使烷基紫精阳离子通过静电引力作用进入被还原的五氧化二钒层板之间, 形成一系列新颖的无机-有机插层化合物. 并运用X射线粉末衍射(XRD)、红外(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射(UV-vis DRS)等方法对其进行了表征. XRD分析结果证明, 五氧化二钒的层间距随着烷基紫精中烷基链的增长而增大, 但其结晶度随着烷基紫精阳离子中烷基链的增加而降低. XPS研究表明, 该类材料中的钒是以V^4＋和V^5＋两种混合价态存在, 氧原子处于三种不同的化学环境, 这些现象说明烷基紫精阳离子的引入对五氧化二钒的骨架结构影响不大, 主体五氧化二钒的层状结构保存完好; 氮原子处于两种不同的化学环境, 证实插层化合物中主客体之间相互修饰的协同效应, 有可能起到了稳定客体分子激发态的作用, 同时FT-IR光谱中芳香环特征谱带强度的变化也进一步证明了这一结论. UV-vis DRS分析发现由于主客体的相互作用使插层化合物在紫外和可见光区域产生特殊的光吸收性质. 从磁性研究的结果可以看出, 在温度低于15 K时, 插层化合物RV2为反铁磁性的有序结构; 当温度高于15 K时, 转变为顺磁性, 表现出磁无序结构.     

有机噻吩类衍生物作为电致变色材料*

噻吩类衍生物包括聚噻吩衍生物和齐聚噻吩衍生物。本文从有目的地设计、合成噻吩类衍生物的角度出发,探索了其作为电致变色材料的应用,综述了噻吩类衍生物作为电致变色材料的最新研究进展。     

微波灰化-氢化物发生-原子荧光光谱法测定原油和燃料油中的铅和砷

探讨了使用微波灰化技术消化原油和成品油样品,并使用氢化物发生-原子荧光光谱法测定其中铅和砷的含量.研究了铅测定的灰化保护剂和砷测定的灰化助剂,并优化了仪器工作条件和实验条件.该方法测定原油和重油中铅的平均回收率分别为96.8%和96.7%,相对标准偏差分别为1.03%和0.93%;测定原油和重油中砷的平均回收率分别为90.0%和90.3%,相对标准偏差分别为2.39%和2.63%.     

MIMU/GPS组合导航系统研究

根据智能交通对车辆导航和定位的要求，研究了MIMU与GPS松散组合导航系统，以速度、位置作为观测量设计了Kalman滤波器。为了验证系统的性能，利用MIMU实验室测试数据和GPS仿真数据对该组合导航系统进行了半物理仿真，分别给出了纯MIMU、组合导航系统及GPS信号短时间丢失时的位置误差仿真曲线。分析结果表明组合系统具有良好的长期工作精度，能够满足车辆导航和定位的要求。     

框架结构控制系统修正模型可靠性研究

针对目前采用Montecarlo法或按泊松分布来计算振动主动控制系统可靠性计算量较大的缺点,本文提出了修正模型可靠性概念,并定义一个可靠性评价指标,以期通过修正模型的可靠性来问接反映控制系统的可靠性。本文以框架结构为研究对象,在修正方法上选择了计算量小且修正精度较高的拉直算法,为验证提出的可靠性指标的可行性,对四组设计参数分别进行了修正模型和地震作用下的广义预测控制可靠性分析,从结果对比可知,本文所定义的可靠性指标具有一定的可行性,并且本文方法计算量较小。     

反应烧结碳化硅复合材料的磨损机理研究

采用销－盘摩擦磨损试验机考察了反应烧结碳化硅及含Ｎｉ碳化硅复合材料在不同温度下的干摩擦磨损性能。结果表明,Ｎｉ有利于改善反应烧结碳化硅复合材料的摩擦磨损性能。ＳＥＭ磨损表面和亚表面分析表明,复合材料在常温下的磨损机理为削和犁沟;６００℃下反应烧结碳化硅的磨损机理为表面裂纹形成及断裂;而含Ｎｉ碳化硅复合材料的磨损机理为亚表面裂纹扩展导致表面局部剥落。     

新颖的含PFC的PWM ZVX AC—DC变换器

提出了一种新的具有功率因数补偿（ＰＦＣ）功能的零电压开关（ＺＶＳ）ＡＣ－ＤＣ变换器基于不连续导电模式（ＤＣＭ）下的Ｂｏｏｓｔ环节实现ＰＦＣ功能,但其具有ＺＶＳ机制从而解决了ＤＣＭ下因开关关断大的峰值电流引起的关断同、ＥＭＩ严重的问题,同时还消除了由于开关的寄生电容引起的开通损耗,该变换器可以采用通用控制芯片并工作在ＰＷＭ模式,文中分析了提出变换器的工作原理,并给出了基本设计原则,模拟和实验结果证明     

电子交换机 第四讲 设计原理

在这一讲中我们主要地谈谈电子交换机的设计原理和总体布置。由于目前已经制成的电子交换机在原理和结构方面差别都相当大,即使在一种制式中部件也很多,我们不可能一个一个地来讨论,现在只把技术问题最复杂的时间划分多路制中的标识器提出来加以分析研究。关于扩充话局容量问题也在这一讲中加以讨论。Ⅰ标识器的设计原理: 在上一讲的控制电路中,我们曾经提到:在时间划分制中采用标识器作为局内控制主唤与被唤通话连接的主要设备,并且已经简单地叙述了它的动作。由这些简单的叙述中可以知道.标识器好像一般机械电磁式步进制中选组机和接线机一样,担负大部份接     

n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合

采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.     

光泵用大功率半导体激光器列阵

本文报导工作波长适合于泵浦掺Nd固体激光器的GaAIAs/G&As激光锁相列阵。采用氧化物掩蔽和Zn扩散条形结构工艺,获得了十单元列阵器件。其工作波长为809±5nm,输出功率大于200mW。已用于Nd∶YAG和Nd玻璃激光器的泵浦。