FPGA控制下面阵CCD时序发生器设计及硬件实现

在分析Sony公司ICX098BQ面阵CCD图像传感器驱动时序的基础上,对可调节曝光时间的CCD时序发生器及其硬件电路进行设计.选用FPGA器件作为硬件设计平台,使用VHDL语言对时序关系进行了硬件描述,采用QuARTUSⅡ8.0对所设计的时序发生器进行了功能仿真,并以Altera公司的可编程逻辑器件为核心进行硬件适配...     

基于单片机的汽车ESP试验台油路显示系统设计

汽车电子稳定系统,作为一种先进的主动安全控制系统,能够通过主动施加相应的制动控制,有效提高车辆在极限工况下的行驶稳定性,降低交通事故率。目前,国内汽车电子稳定系统(ESP)试验台几乎空白,于是,本文提出了汽车电子稳定系统(ESP)教学试验台的油路显示系统设计,该系统是通过触发信号发送对应的ESP工作信号到单片机系统,单片机系统将显示系统对应ESP工作状态的LED点亮,显示ESP的工作原理。     

手持数码相机获取场景三维点云的实现

利用计算机视觉进行三维点云获取是一种实用方便的三维信息提取方法,在工业检测和三维建模等领域应用广泛.鉴于传统固定相机方法中存在着灵活性差,适用范围小的问题,提出了一种手持单相机的三维点云获取方法.实验结果表明,该方法在室外场景点云获取应用中较传统方法在灵活性方面具有非常明显的优势.     

全国业余无线电动态

青海省举行首次A类业余无线电台操作技能考试 2014年5月10日,青海省A类业余无线电操作技术能力考试在西宁市举行,来自全省的42名业余无线电爱好者参加了考试。这是《业余无线电台管理办法》自去年1月实施以来,青海省首次组织这类考试。     

MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长无应变InAlN/GaN异质结材料研究

In Al N/Ga N heterostructures were grown on sapphire substrates by low-pressure metal organic chemical vapor deposition.The influences of NH3 flux and growth temperature on the In composition and morphologies of the In Al N were investigated by X-ray diffraction and atomic force microscopy.It’s found that the In composition increases quickly with NH3 flux decrease.But it’s not sensitive to NH3 flux under higher flux.This suggests that lower NH3 flux induces a higher growth rate and an enhanced In incorporation.The In composition also increases with the growth temperatures decreasing,and the defects of the In Al N have close relation with In composition.Unstrained In Al N with In composition of 17% is obtained at NH3 flux of 500 sccm and growth temperature of790 °C.The In Al N/Ga N heterostructure high electron mobility transistor sample showed a high two-dimensional electron gas(2DEG) mobility of 1210 cm2/(V s) with the sheet density of 2.31013cm2 at room temperature.     

基于分类的软件定义网络流表更新一致性方案

软件定义网络是近年来的研究热点,流表更新问题则是其中的一个重要问题。该文提出基于分类的流表更新一致性方案,在保证更新一致性的同时,具有通用性强、有效减轻控制负载等特点。文中引入逻辑证明来验证所提方案能够保证流表更新一致性。多个场景的仿真结果显示,与相关研究相比,该文方案有更好的通用性,更新时间基本一致,能有效降低控制负载。     

基于IXP2400的RPR综合业务接入系统设计

介绍了IXP2400网络处理器的结构特点,提出了一种基于IXP2400的弹性分组环(RPR)综合业务接入系统方案,可接入千兆以太网和弹性分组环等宽带业务,并说明了利用该接入系统构建弹性分组环站点和实验网络的方法.     

6英寸SiC衬底上MOVPE生长GaN HEMT材料

采用金属有机气相外延(MOVPE)方法在6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长了GaN HEMT材料。使用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜和微区拉曼光谱仪等对材料的表面形貌、晶体质量和应力进行了测试和表征。测试结果表明,GaN外延材料(002)面和(102)面的半高宽(FWHM)分别为204″和274″,表面粗糙度(扫描范围为5μm×5μm)为0.18 nm,GaN外延材料具有较好的晶体质量。拉曼光谱测试结果显示,6英寸GaN外延材料应力为压应力,并得到有效控制。非接触霍尔测试结果显示AlGaN/GaN HEMT结构材料二维电子气(2DEG)迁移率为2 046 cm²/(V·s),面密度为6.78×10¹² cm^-2,方块电阻相对标准偏差为1.85%,结果表明,制备的6英寸GaN HEMT结构材料具有良好的电学性能。     

波导窄壁耦合器的宽带研究

本文提出具有宽带耦合特性的波导窄壁长棺耦合形式,并利用矩量法分析了槽的尺寸、波导口径对耦合平坦度的影响。     

玻璃光纤中的瞬态受激喇曼散射

用峰功率大于10~7瓦的0.53微米微微秒光脉冲序列激发一根20米长的锗磷硅玻璃光纤,观测到稳定的15级以上斯托克斯和8级以上反斯托克斯散射。喇曼频移为430厘米~(-1)。散射光频谱范围为0.45～1.00微米。受激喇曼散射的转换效率大于50％。