基于连续性判别的并行帧同步系统

目前关于并行帧同步方案的研究大多是针对某种具体应用的,结论缺乏一般性.同时一些新出现的帧同步问题(如10G以太网中66B码的帧同步)具有一些新特点.本文提出了一种新的并行帧同步系统构成模式MCSCI,它采用连续性判别的方法进行同步码位搜索.当将MCSCI用于66B码帧同步时,和现有模式相比以较小的面积开销获得了最佳性能.本文在理论分析和计算机仿真的基础上,研究了一系列典型参数下新旧并行帧同步系统的性能,结果表明MCSCI具有广泛的应用前景.     

探究求解带电粒子在磁场中运动问题的方法

带电粒子在磁场中的运动问题是一类运用洛伦兹力公式、 圆周运动知识和数学知识的综合问题. 由于 综合性强, 能力要求高, 学生在学习过程中, 往往很难突破, 是一类让学生望而生畏的物理问题. 为了有效解答此类 问题, 作了些分析和探讨     

GaN基HEMT器件抗逆压电性能研究

可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能。当电场足够大,突破势垒层材料所能承受的临界弹性势能,势垒层材料就会发生松弛。根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分AlGaN势垒层、InAlN势垒层和AlGaN背势垒等三种结构进行理论分析。分析表明,三种结构均能较大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆压电能力,从而提高器件可靠性。     

快平衡全吸收式高能激光能量计

基于量热原理研制了固态全吸收式高能激光能量计。通过对能量吸收模型的数值分析,设计了分段隔热式激光吸收腔体,该腔体具备较高的抗激光破坏阈值、快速热平衡特性和高能量吸收率。设计了适用于分段式腔体测温的温度场探测器阵列,并依据温度场信号特征提出了用于激光能量计算的能量沉积算法。该算法对于强度空间分布不规则的高能激光能量还原计算具有良好的适应性。验证实验结果表明,该能量计在数百千焦耳的量程范围内具有较好的重复性和测量精度。     

空间扫描型光纤法布里珀罗传感解调系统中CCD的光照度数学模型研究

针对空间扫描型光纤法布里珀罗（F-P）传感解调系统中CCD的光照度分布建立了数学模型,研究了不同帧扫描频率下CCD输出信号和信噪比。利用已设计的解调模块进行了CCD光照度分布的实验,实验结果表明,当帧扫描频率不同时,CCD各个像素输出信号电压的实验值与计算值的相对误差均小于2.5%,同一像素输出信号电压的实验值与计算值的相对误差变化数值均小于0.005,随实验所用CCD帧扫描频率变化,信噪比以184 Hz为分界点以两种变化斜率改变,验证了数学分析模型的有效性。     

此“井”非常井——2001年物理高考（全国卷）第22题解答评析

(一) 2001年物理高考(全国卷)第22题是一道卷扬机借助活塞从"井"中汲水的力学综合题.该题貌似平庸,却内涵丰富,对考生思维品质提出较高要求.透过该题翔实严谨的陈述,破译其所描写的独特的物理过程,建立正确的拉力做功的物理图景,绝非易事.该题不偏不怪,无疑是一则漂亮的压轴题.     

SDH专用集成电路设计中的并行处理方法

ＳＤＨ的发展带动了ＳＤＨ专用集成电路ＡＳＩＣ的发展,ＳＤＨ专用ＡＳＩＣ也促进了ＳＤＨ的发展,由于ＳＤＨ处理的信号速率高,而现有的大规模ＣＭＯＳ集成工艺在速率和功耗等方面给出ＡＳＩＣ的设计提出了一定的限制,从而给ＳＤＨ专用集成电路设计带来了困难。     

28 nm低功耗工艺SRAM失效分析

在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值.     

Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析

对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO)峰位为568cm-1),计算得出GaN材料的应力从1.09GPa减小到0.42GPa。同时,使用室温光荧光谱进行了分析验证。结果表明,Si衬底上GaN外延材料受到的是张应力,通过低温AlN插入层技术可以有效降低GaN材料的应力,并且最终实现了表面光亮的厚层无裂纹GaN材料。     

Low ohmic contact AIN/GaN HEMTs grown by MOCVD

AlN/GaN high-electron-mobility transistors （HEMTs） on SiC substrates were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） and then characterized. An Si/Ti/Al/Ni/Au stack was used to reduce ohmic contact resistance （0.33 g2.mm） at a low annealing temperature. The fabricated devices exhibited a maximum drain current density of 1.07 A/mm （Vows = I V） and a maximum peak extrinsic transconductance of 340 mS/mm. The off-state breakdown voltage of the device was 64 V with a gate-drain distance of 1.9 μm. The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 36 and 80 GHz with a 0.25 μm gate length, respectively.