Comparison of electrical characteristic between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Ni/Au Schottky contacts on AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures are fabricated.Based on the measured current–voltage and capacitance–voltage curves,the electrical characteristics of AlN/GaN Schottky diode,such as Schottky barrier height,turn-on voltage,reverse breakdown voltage,ideal factor,and the current-transport mechanism,are analyzed and then compared with those of an AlGaN/GaN diode by self-consistently solving Schrdinger’s and Poisson’s equations.It is found that the dislocation-governed tunneling is dominant for both AlN/GaN and AlGaN/GaN Schottky diodes.However,more dislocation defects and a thinner barrier layer for AlN/GaN heterostructure results in a larger tunneling probability,and causes a larger leakage current and lower reverse breakdown voltage,even though the Schottky barrier height of AlN/GaN Schottky diode is calculated to be higher that of an AlGaN/GaN diode.     

MDF远端集中监测系统及其应用

安全对于通信企业来说是至关重要的。现今,外界因素对线路及机房的影响日益严重,不但影响运营质量,而且威胁电信设备的安全。特别是强电侵入,给电信网安全带来更为严重的隐患。为此,江苏电信有限公司和苏州维运科技有限公司共同举办了“MDF集中监测系统应用”研     

信息网格中基于信任的访问控制研究

信息网格是利用网格技术实现信息资源的共享、管理和提供信息服务的系统.访问控制是对信息网格进行安全管理的重要手段,目前的信息网格访问控制技术不能完全满足实际应用的需求.为了防止用户的非法操作及恶意入侵,对用户的信任度进行了评估,提出了一种基于信任的访问控制机制,减小了信息网格中访问控制的安全隐患,该机制对其他信息系统也有很好的借鉴作用.     

Al在生长InGaN材料中的表面活化效应

为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂.实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al).研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道.     

“最爱与珍藏”献礼北京奥运

这是郎朗音乐生涯的首张个人精选专辑,可谓意义非凡。郎朗表示,在北京奥运会即将开幕之际推出自己的首张精选专辑,也是他对第一次在中国举办的奥运会的一份献礼。     

伶歌，是一种中国美

瑞鸣唱片与众多的唱片最大的不同是,它不趋附大流,且能坚持自己的“用心做音乐”的创作理念。当人们热衷于“口水”歌且市场大热时,瑞呜仍能不为所动,凭借北京这个中国文化中心的难于替代的优越地位,用心在为中国的民族文化瑰宝做着传承的工作,尽管其CD出版周期不定,有时还有点长,但其作品总是值得期待。这不,不久前,推出的一张《伶歌》就是这样的一张值得期待的新碟。     

83N系列氮-15参考样品的复测

83N系列氮-15参考样品已于1984年提供给农口有关单位使用,以作为质谱及光谱法分析中仪器固有偏差的校正。原测定中对83N8样品中~(15)N丰度的确定,是采用内插以它为原始物质配制的~(19)N丰度与它靠近的83N7样品定出K值后计算而得;由于83N8的丰度只有12.5原子％~(15)N,质谱测量值与真值的偏离可能对计算结果引入较大误差,故实际只能准至±0.1原子％~(15)N。本工作采用标准样品法,精确测得83N8的丰度为12.48±0.03原子％~(13)N,并对83N系列氮-15参考样品的丰度值作了修正。     

点光束行波腔的振荡特性

本文分析了点光束行波腔的动态振荡特性，讨论了腔结构参数的合理选择，给出比较满意的实验结果。