血吸虫病化学治疗的研究Ⅶ 双(对烷巯基苯氧基)烷烃的制备及氧化

对甲巯基苯酚及对乙巯基苯酚在氢氧化钾存在下分别与α,ω-二溴烷烃缩合,生成相应的α,ω-双(对烷巯基苯氧基)-烷烃,后者用铬酸酐、过氧化氢或高锰酸钾氧化,都能生成α,ω-双(对烷砜基苯氧基)-烷烃,但以铬酸酐法最为简捷。     

基于nRF401芯片的医院无线护理呼叫系统的设计

针对传统的医院有线呼叫护理系统中布线困难、不易改扩建的缺点,采用专用射频无线收发芯片nRF401,设计一种参数稳定、功耗低、体积小的无线护理呼叫系统。该系统基于单片机多地址编码技术,对每个分机设置不同的地址编码,从而有效降低系统呼叫时的误码率和呼叫主机间的干扰,提高了系统容量,易于扩展。     

无线城域网接入系统信道估计方法性能分析

从无线城域网IEEE802.16d协议和OFDM技术出发,首先分析IEEE802.16d协议规定的两种导频结构,并从理论上对这两种导频结构在不同城域网信道模型中的适用性进行研究,然后分别在两种导频结构的辅助下仿真分析相关信道估计方法的性能,最后根据仿真结果为IEEE802.16d系统在不同信道环境下选择适当的导频结构和信道估计方法给出建议。     

基于三氯硅烷的高质量4H-SiC多片外延生长

使用三氯硅烷(TCS)作为含氯生长源,在多片外延设备生长了高质量的4H-SiC外延材料.研究了原位预刻蚀气体HCl流量和刻蚀时间对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,使用光学显微镜和表面缺陷分析仪对SiC外延材料表面缺陷进行表征测试和统计,使用傅里叶红外测试仪(FTIR)和原子力显微镜(AFM)对外延材料表面形貌进行表征.结果表明,预刻蚀气体体积流量和时间对4英寸SiC外延材料表面三角形缺陷影响明显,随着HCl体积流量和时间的增加,材料表面的三角形缺陷密度先减小后增加,在HCl流量为100 mL/min、刻蚀时间为20 min时,三角形缺陷密度最低达到0.47cm-2.此外,通过调整C/Si比和载气体积流量等参数,使4英寸SiC外延材料掺杂浓度不均匀性和厚度不均匀性均得到有效改善,结果表明该外延片质量满足SiC电力电子器件的应用.     

退火气氛对p-GaN材料及其欧姆接触性能的影响

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备了Mg掺杂的p-GaN外延材料,并在不同气氛下对其进行退火,系统研究了不同退火气氛对p-GaN材料性质及欧姆接触性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)对样品进行测试和表征.结果表明,不同气氛退火均能降低p-GaN材料的XRD半高宽,改善其晶体质量,并提高其迁移率;此外,相较于纯N2和纯O2,空气气氛退火的p-GaN材料的空穴浓度最高,欧姆接触性能最优,其比接触电阻率可低至4.49×10-4 Ω·cm2.分析认为:空气气氛退火减少了p-GaN中的氮空位,降低了自补偿效应;空气中的O2与H结合,抑制了H的钝化效应,提高了Mg的激活率,进而改善了p-GaN材料的欧姆接触特性.     

水杨基萤光酮荧光熄灭法测定微量钛

本文用荧光熄灭法研究了水杨基萤光酮(SAF)-吐温-80-Ti(Ⅳ)体系的测定方法及条件。在pH1.0～2.0间的盐酸介质中,检测限为0.1μg/25ml,且在0.1～2.0μg/25ml范围内具有线性关系。本法灵敏度高,选择性好,可用于检测合金钢及铝合金中的微量钛,结果满意。     

基于混合波束赋形的室内毫米波MIMO系统性能分析

混合波束赋形在射频模拟域波束赋形的基础上,通过在基带实现数字域波束赋形来进一步提高数据速率.本文针对基于混合波束赋形的室内毫米波MIMO（Multiple Input Multiple Output）系统进行性能分析,分别评估了迫零（Zero Force,ZF）接收机、最小均方误差（Minimum Mean Square Error,MMSE）接收机以及匹配滤波（Matched Filter,MF）接收机在基于码本的最优波束选择下的传输速率,并对接收机在不同的信道环境下进行性能评估.仿真结果表明,无论视距（Line-Of-Sight,LOS）传播路径是否被遮挡,MMSE接收机和ZF接收机在总发射功率较高时均具有接近容量的性能;在总发射功率较低时MMSE接收机的性能则略优于ZF接收机.相反,MF接收机始终保持较差的性能.系统可根据总发射功率大小以及接收机的实现复杂度来选取合适的接收机.本文所研究的系统可应用于实际室内无线个域网（Wireless Personal Area Networks,WPAN）以实现高速短距无线通信.     

Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT

利用MOCVD技术在Si（111）衬底上生长了高质量的GaN HEMT材料,1μm厚GaN外延层XRD（002）摇摆曲线半高宽573″,（102）摇摆曲线半高宽668″。通过插入层技术实现2μm厚GaN HEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm^2/（V.s）,方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%。     

表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长GaN材料的影响

基于范德瓦耳斯外延生长的氮化镓/石墨烯材料异质生长界面仅靠较弱的范德瓦耳斯力束缚,具有低位错、易剥离等优势,近年来引起了人们的广泛关注.采用NH_3/H_2混合气体对石墨烯表面进行预处理,研究了不同NH_3/H_2比对石墨烯表面形貌、拉曼散射的影响,探讨了石墨烯在NH_3和H_2混合气氛下的表面预处理机制,最后在石墨烯上外延生长了1.6μm厚的GaN薄膜材料.实验结果表明:石墨烯中褶皱处的C原子更容易与气体发生刻蚀反应,刻蚀方向沿着褶皱进行;适当NH_3/H_2比的混合气体对石墨烯进行表面预处理可有效改善石墨烯上GaN材料的晶体质量.本研究提供了一种可有效提高GaN晶体质量的石墨烯表面预处理方法,可为进一步研究二维材料上高质量的GaN外延生长提供参考.     

碱性条件下氧气液相氧化邻硝基甲苯的机理分析

讨论了碱性条件下常压氧气液相氧化邻硝基甲苯的反应机理。结合强碱对反应的影响及邻硝基甲苯自身的结构特征,提出反应中邻硝基甲苯首先脱氢生成苄阴离子,而后直接与氧作用生成苄自由基,从而引发反应的历程。详细解析了反应在2-甲氧基乙胺中所得的EPR谱图,证明了反应中确有自由基的存在,并发现反应还受到溶剂的影响,存带有醚键的有机胺溶剂中,反应更容易进行。