Effect of high-temperature buffer thickness on quality of AlN epilayer grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition

The effect of an initially grown high-temperature AlN buffer (HT-AlN) layer's thickness on the quality of an AlN epilayer grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) in a two-step growth process is investigated. The characteristics of AlN epilayers are analyzed by using triple-axis crystal X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM). It is shown that the crystal quality of the AlN epilayer is closely related to its correlation length. The correlation length is determined by the thickness of the initially grown HT-AlN buffer layer. We find that the optimal HT-AlN buffer thickness for obtaining a high-quality AlN epilayer grown on sapphire substrate is about 20 nm.     

Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Ni/Au Schottky contacts on AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures are fabricated.Based on the measured current–voltage and capacitance-voltage curves,the polarization sheet charge density and relative permittivity are analyzed and calculated by self-consistently solving Schrdinger’s and Poisson’s equations.It is found that the values of relative permittivity and polarization sheet charge density of AlN/GaN diode are both much smaller than the ones of AlGaN/GaN diode,and also much lower than the theoretical values.Moreover,by fitting the measured forward I–V curves,the extracted dislocations existing in the barrier layer of the AlN/GaN diode are found to be much more than those of the AlGaN/GaN diode.As a result,the conclusion can be made that compared with AlGaN/GaN diode the Schottky metal has an enhanced influence on the strain of the extremely thinner AlN barrier layer,which is attributed to the more dislocations.     

EPON专用芯片设计

文章介绍了集成化设计以太网无源光网络(EPON)产品中传输汇聚(TC)子层芯片的结构设计框图,详细介绍了光线路终端(OLT)和光网络单元(ONU)的TC子层芯片设计.在此结构框架下,对EPON系统性能进行了仿真,发现在相同业务负载的情况下,EPON系统业务延迟小于以ATM为基础的无源光网络(ATM PON)系统中的相应延迟.     

气相和水溶液中铀酰配合物UO2Ln^2-n＊a（L=F^-,CO3^2-,NO3^-;n=0-6,a=1,2）的结构和振动光谱

通过对铀采用相对赝势基组,其它原子使用6-31＋G（d）基组,应用密度泛函理论（DFT）以及B3LYP方法对UO22＋离子与F-、CO23-和NO-3的各配位结构进行优化和频率计算.计算考虑了气相和水溶剂化两种状态,其中溶剂化模型采用连续导体介质理论模型（CPCM）.计算结果显示配体的配位数与O襒U襒O对称伸缩振动频率存在线性关系.配体在气相和水溶液中存在的关系基本符合通式：νs=-Agasn＋983和νs=-Aaqn＋821（Agas和Aaq为常数,表示每增加一个配体振动频率的变化值;n为配体配位数）.其中F-对应Agas=53cm^-1,Aaq=11cm^-1;CO230-对应Agas=85cm^-1,Aaq=19cm^-1;NO-3对应Agas=48cm^-1,Aaq=-10cm^-1.并且Aaq值与实验值一致.     

新课程背景下数学思维在化学平衡教学中的应用研究

在化学平衡教学中, 引入教学思维, 引导学生利用数学工具解决压力对化学平衡移动的影响、稀释过程中弱电解质的电离度变化、疑难化学方程式的书写以及判断酸式盐溶液酸碱性等问题, 有利于培养学生的理科综合能力。     

CdZnTe像素探测器的电输运性能

碲锌镉(CdZnTe)是一种性能优异的室温核辐射半导体探测器材料,广泛应用于核安全、核医学以及空间科学等领域.然而,传统的CdZnTe平面探测器受制于"空穴拖尾"效应的影响,探测性能有待改善.采用改进的垂直布里奇曼法生长的In掺杂Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te单晶制备出单载流子收集的4×4像素阵列探测器,通过电流-电压(I-V)测试和γ射线能谱响应测试,研究了像素探测器的电学性能和载流子电输运性能,随之与相应的CdZnTe平面探测器进行了性能对比.结果表明,CdZnTe像素探测器的电阻率约为1.73×10~(10)?·cm,且施加100 V偏压后单像素点的最大漏电流小于2.2 nA;当施加偏压升高至300 V时,单像素点对~(241)Am@59.5 keV的γ射线的最佳能量分辨率可达5.78%,探测性能优于相同条件下制备的CdZnTe平面探测器.     

基于光谱成像与光谱分析的壁画鉴赏研究

针对壁画鉴赏中对科学分析方法的需求,根据光谱成像及光谱分析方法在壁画处理中的特点与优势,重点讨论了光谱成像技术在壁画鉴赏处理中的应用,其可以辅助传统的专家经验鉴定方法,提供更丰富客观的画作信息,实现作品的鉴赏分析。光谱成像与分析方法是一类重要的科学分析方法,因其具有非接触、破损少甚至无破损、科学、准确、可量化等特点,可应用于壁画修复、信息提取、颜料分析、特征增强、鉴赏分析等。首先,从技术实现角度出发给出具体的鉴赏应用方向。然后,基于光谱特征分析、主成分分析、独立分量分析、相关性判别、人机交互处理等方法,对实际观测的韩休墓壁画进行实验处理,验证技术应用的实验效果,最后,结合应用实验提出包括规范化采集、图谱特征分析、图谱处理系统等关键技术还需进一步解决。实验结果表明,利用光谱成像分析技术可以实现壁画颜料信息的判读,隐藏信息的提取、弱信息的增强,不同属性的分类识别,同时,还可以综合特殊需求,开展画作图谱探索性研究,如壁画处理中的涂改小孩分析、画作修复等。     

Sb_2Te_3 mode-locked ultrafast fiber laser at 1.93μm

Ultrafast pulse generation was demonstrated in thulium doped fiber laser mode locked by magnetron sputtering deposited Sb_2Te_3with the modulation depth,non-saturable loss,and saturable intensity of 38%,31.2%,and 3.3 MW/cm~2,respectively.Stable soliton pulses emitting at 1930.07 nm were obtained with pulse duration of 1.24 ps,a 3-dB spectral bandwidth of 3.87 nm,an average output power of 130 m W,and signal-to-noise ratio(SNR)of 84 dB.To our knowledge,this is the first demonstration of Sb_2Te_3-based SA in fiber lasers at 2-μm regime.     

HDI板跨层孔孔内无铜的失效机理探究

在5G通讯大背景下,对PCB提出了越来越高的布线和信号要求,跨层孔设计已广泛应用在Whitley平台的服务器板上。文章针对跨层孔孔内无铜问题进行分析,发现是沉铜生产过程中盲孔内溶液交换不良产生,通过加大流量与提高药水浓度可促进盲孔内外溶液交换,有效解决了此类问题。     

融合整体和局部信息的三维人脸识别

针对三维人脸识别中单一特征信息不足,采用一种基于整体信息和局部信息相融合的识别算法,以提高识别率。首先将预处理的三维点云用多层次B样条曲面拟合,获取精确的人脸曲面拟合函数,将控制点映射为深度图像,并根据人脸曲面函数和生理特征提取过鼻尖的中分轮廓线和水平轮廓线;其次对深度图像采用二维主元分析(2D-PCA)算法提取整体信息,对轮廓线采用改进的ICP算法匹配,作为局部信息;最后用加权求和法在决策级进行信息融合。采用CASIA3D人脸库完成识别测试,实验结果表明,本文算法明显优于单一特征信息下识别算法,且对姿态有较好的鲁棒性,同时不增加算法复杂度。