水下多路水声测量信号光纤传输系统

以一个水声被动测量系统的工程项目为平台，介绍与其配套的水下多路水声测量系统的构成、主要电路环节和工作原理。     

抓能量主线 解高考难题

能量的转化和守恒定律是自然界中最基本、最普遍的规律之一，以能量的角度分析和解决物理问题是中学物理中最重要的解题切入点．为此，在历年高考中，能量这条主线总是被命题者所青睐和重视，经常会出现有关能量变化的妙题．解决这类问题应把握以下几点。     

浅谈智能视频直播录播一体化管理系统的研究

随着时代的发展,信息化教育显得越来越重要,而要提升教育的质量,就必须不断改进教育手段。当前,高校信息化教学方式变得更加多样化,但随之面临的是录播辅助设备增多、教学资源无法实时推送、课堂和讲座内容等无法实现大面积的实时直播共享、无法实时对线上线下人数进行考勤、课堂转播技术落后等问题。而通过对视频直播、录播、转播、评价进行技术革新,可以达到提升教学质量、吸引学生主动参与在线学习的目的,同时可以让学生在足不出户的情况下学习其他老师、其他专业的课程。同时,随着录播、直播技术的大面积应用,对其系统平台的管理也是一个新的挑战。鉴于此,本研究就上述内容进行了技术分析与改造,以期能在提升教学质量及会议体验的同时为相关人员提供参考。     

依法处理公安无线通信网受干扰事件

2010年12月上旬,湖北省襄阳市老河口市公安局无线电通信网受到不明信号干扰,无法正常工作。在自查和请设备供应商检查后仍无法消除干扰的情况下,该局请襄阳市无线电管理处予以排查。接到投诉后,襄阳管理处领导指示:公安无线电     

热图法测量激光强度时空分布的重构理论研究

为了把量热法应用于远场激光强度时空分布测量,研究了基于热像仪靶面温度测量反演入射激光强度时空分布的重构理论。针对背光面两种不同边界条件(对流-辐射热流边界和恒定温度边界)推导出了由靶面温度分布反演激光束时空分布的重构表达式。获得的分析表达式对广泛的材料具有适用性。通过引入广义参量F0=α/L2,分别就F0》1和F0《1情况给出了重构近似表达式,并对满足F0》1条件的回推算法进行了数值模拟验证。数值结果表明,两种背光面边界条件下回推得到的激光束时空分布与原始激光束达到了很好的一致,但存在一与靶材傅里叶数相关的最小起始回推时间τ0。成果可用于强激光远场参量测量设备的研制。     

基于夹层氮化硅波导的可见-中红外超连续谱特性研究

提出一种低厚度氮化硅-蓝宝石-氮化硅夹层波导结构。利用其色散波辐射现象和中红外相位匹配条件,结合波导脉冲传输模型,讨论了夹层波导不同物理尺寸对相位匹配点和光谱展宽的影响,数值模拟获得了0.5~4 μm的超连续谱展宽,并且在-40 dB水平下具有更远中红外色散波产生。通过该模型,详细解释了非线性波导脉冲传输的潜在机制。理论模型分析表明,通过优化氮化硅及蓝宝石夹层的物理尺寸,进而改变相位匹配条件,可以在较宽的波长范围内控制色散波的位置。     

基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN 场效应晶体管

本文在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于MOCVD外延n -GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(L_sd)缩小至600 nm。此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅。由于器件尺寸的缩小,V_gs= 1 V下器件最大饱和电流(I_ds)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm。小信号测试表明,器件f_T达到220 GHz、最大振荡频率(f_max)达到48 GHz。据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果。     

直流电路中动态变化问题的分析方法

在直流电路中，由于滑动变阻器滑片的移动，或者由于电键的接通与断开，或者由于某一用电器的突然烧坏等因素，导致电路中的总电阻发生变化，从而使电路中的电流、电压和电功率等物理量随之变化，这类问题叫做电路动态变化问题，它是直流电路中最常见的一种题型。     

28 nm低功耗工艺SRAM失效分析

在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值.     

Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析

对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO)峰位为568cm-1),计算得出GaN材料的应力从1.09GPa减小到0.42GPa。同时,使用室温光荧光谱进行了分析验证。结果表明,Si衬底上GaN外延材料受到的是张应力,通过低温AlN插入层技术可以有效降低GaN材料的应力,并且最终实现了表面光亮的厚层无裂纹GaN材料。