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51.
温秀梅  卿新林  戴福隆  刘杰 《实验力学》2002,17(Z1):140-143
本文根据偏振相移原理,将其成功地应用于云纹干涉系统中,给出具体实施方案,利用该装置进行实验,得到一组相移条纹图,给出相移结果和条纹倍增结果.  相似文献   
52.
曹兴山  卿春和 《力学学报》2007,15(3):338-345
西气东输工程中卫黄河穿越隧道长1197.77m,高4.3m,宽5.6m。隧道入口高于黄河水位28m,出口高于黄河水位45m。隧道顶板高程为1130m。位于黄河水下100m。隧道场地围岩为寒武系磨盘井组灰绿色、银灰色浅变质中厚层细粒长石石英砂岩、千枚状板岩、绢云母化千枚岩。围岩为弱风化Ⅲ~Ⅳ类岩石。透水率为4~67Lu,纵波波速为500~3300m.s-1。BQ为300~400。变形模量为6.11~9.22GPa。泊松比(μ)0.14~0.24。内摩擦角(ψ)为42.1°~44.7°。地下水为基岩裂隙水。含水层为寒武系浅变质岩,受大气降水渗入补给,单井涌水量为1.0~50m3.d-1。隧道轴线穿越区岩体较完整—较破碎,未有全新活动断层。隧道位置选择和开挖深度设计是可行的。施工和长期运营是安全的。  相似文献   
53.
杨圣伟  陈熙  李振卿  敖桂珍  候丙波 《合成化学》2011,19(5):619-621,625
以莽草酸为起始原料,经酯化、丙酮叉保护顺式邻二羟基、叔丁基二甲硅烷保护羟基、还原、羟基酯化、脱保护基、保护反式邻二羟基、烯丙醇氧化,脱保护基共9步反应,合成了新型(5R,6S)-3-苯甲酰氧基亚甲基-5,6-二羟基-2-环己烯-1-酮,总产率19.3%,其结构经1H NMR,IR和HR-MS表征.  相似文献   
54.
自动目标识别(ATR)算法评估是ATR研究领域的一项关键技术,已成为近年来该领域的一个热门课题.从ATR算法评估的国内外研究现状开始,对其常用的评估指标、典型的评估方法等进行了较为全面的分析和综述,在此基础上,比较了各种指标的优缺点,讨论了典型方法的适用范围,给出了主要研究结论,并提出了需要进一步解决的问题.  相似文献   
55.
以H2O作氧源,Zn(C2H5)2作Zn源,N2作载气,在50mm Al2O3(0001)衬底上采用常压MOCVD技术生长出高质量的ZnO单晶薄膜.用X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征,报道了ZnO单晶膜的(102)非对称衍射结果.研究结果表明,在500~700℃范围内随生长温度升高,ZnO薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽增宽,表面粗糙度减小,晶粒尺寸增大,在衬底温度为600℃时生长的ZnO膜的深能级发射最弱.  相似文献   
56.
目前,许多国家的海军正日益关注光电跟踪和火控系统(EOTFCS),以提高目标探测和跟踪效率,实现态势感知。这些系统完全集成到先进舰载战斗指示系统(CDS)和工作在3~5μm中红外(MWIR)和8~12μm长波红外(LWIR)波段两个窗口的多传感器系统内。同时,还能够进行广域搜索、目标自动综合探测/辅助目标识别(ATD/AiTR)、远距离目标定位和提高区域安全/机动任务。  相似文献   
57.
磁性多层膜常用磁控溅射的方法制备,并且以金属Ta做为缓冲层。本研究利用这种方法在单晶硅基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜。采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辩率XPS谱进行计算机谱图拟合分析。结果表明:磁控溅射这种高能量制膜技术导致了在SiO2/Ta界面处发生了化学反应:15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。从本研究还可以看出XPS是表征磁性薄膜界面化学状态的一种有利工具。  相似文献   
58.
本文对15例慢性再生障碍性贫血(简称再障)病人的骨髓细胞按常规制作超薄切片,用JEM—100CX透射电镜进行观察拍照。病例诊断均符合1987年6月宝鸡再障会议修订标准。15例中男6例,女9例,男女之比为1:1.5;年龄11~47岁,平均26.7岁,中位数年龄30岁;病程6个月~9年,平均2.6年;Hb10~90g/L,平均45.6g/L;WBC1.4~3.55×10~9/L,平均2.57×10~9/L;血小板20~90×10~9/L,平均50.7×10~9/L;骨髓象有核细胞增生低下9/15例,极低下3/15例,活跃1/15例,较活跃2/15例。结果:全部病例骨髓中成熟红细胞形态异常,占成熟红细胞总数的84—99%。1例见弯曲绒线状红细  相似文献   
59.
60.
非平衡磁控溅射沉积系统伏安特性模型研究   总被引:5,自引:1,他引:4       下载免费PDF全文
非平衡磁控溅射沉积系统的伏安特性对阴极溅射和薄膜沉积过程具有重要的影响.通过分析在常规磁控溅射沉积系统中非平衡磁场对于放电过程的影响,根据蔡尔得定律研究了非平衡磁场对磁控溅射沉积系统伏安特性影响的基本规律;根据模型和实验数据的对比证明模型正确表达了非平衡磁控溅射沉积系统中非平衡磁场对伏安特性影响的规律. 关键词: 等离子体 金属薄膜/非磁性 磁控溅射  相似文献   
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