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WSTS和SIA日前相继发表世界半导体市场的秋季预测报告,WSTS预测2006年世界半导体市场增长8.6%,SIA预测增长9.4%.2006年春WSTS预测增长10.1%,SIA预测增长9.8%,分别作了向下修正.主要原因是PC市场呈现调整局面,Intel和AMD的MPU芯片价格下落,致使MOS微芯片市场经过4年连续增长之后,跌入负增长. 相似文献
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Richard S.Tedlow基于他的新著《企业巨子:七位创业者及其所建王国》(Giant ofEnterprise:Seven Business Innovatorsand the Empires They Built),最近又在《哈佛评论》上发表文章,叙述了美国工业巨子,诸如名垂青史的卡内基(钢铁大王)、沃森(IBM创始人)和伊斯曼(柯达公司)等如何成为经营典范的某些特征。尽管今天IT业界对他们的冷酷无情不以为然,但他们绝妙的管理方略依然富有生命力。也许您还不是大腕级的人物,可因为您一样要工作,要与人联手或竞争,故而企业巨子们的成功经营之道,于您仍大有助益。本刊美国姐妹报Computer… 相似文献
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中国半导体业正蓬勃发展,世界瞩目。日本ULVAC公司十分重视IC China 2003,有不少公司领导与会。他们表示,ULVAC作为半导体前道工程设备制造厂和液晶及等离子等平板显示器设备制造厂愿与中国半导体、电子行业开展合作,共同推动中国前进。ULVAC公司已在北京、上海、广州设有事务所,在上海、宁波建立了工厂,开展中国业务,并计划继续加大投资力度,增强售后服务。(金中)日本ULVAC公司在中国——加大投资力度增强售后服务@金中 相似文献
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市场PLD(可编程逻辑器件)是ASIC(专用集成电路)中的一种。作为用户的设备制造商购进这种半成品之后,可对该器件自由编程以变更其内部的电路结构,即时组成定制电路。因此,开发者有可能在设计期间随时变更设计,修正缺陷。PLD的优越性表现在系统开发时间能比使用ASIC缩短半年到10个月,加快上市时间,迅速开拓应用。根据业界提供的数据,1999年世界的PLD市场比上年增长了24%,达26亿美元。2000年所有大型PLD/FPGA(现场可编程门阵列)制造商都曾比肩大幅上扬60%,当年突破40亿美元。今年则大致仍可保持30%以上的增长率,达58… 相似文献
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传统开发模式问题多 通常无线公司推出一个新产品需要6~9个月,稍晚几个月就有可能在利润和市场份额方面遭遇巨大损失。因此,改善产品开发流程是摆在每位CEO面前的战略任务。 影响开发产品上市时间的因素很多,包括公司的任务目标,战略组织结构,项目人员组成,员工技能,公司环境,领导和管理激励机制,对消费者、市场和未来趋势的了解,与有关厂商的合作,等等。 典型的便携式/无线设备设计和开发项目结构大致如图1所示。首先,公司的任务和目标、消费者需求和市场趋势以及有关工业标准输入到产品计划组(Product Pla… 相似文献
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2001年世界经济低迷,美欧日20年来首次全面衰退。电子信息业支柱产品PC也自问世以来首见沉沦,产品大热门手机生产大幅减产35%,因而2000年半导体火热之后,2001年顿现严寒。预期今年下半年全球经济才可望逐渐转暖,亚太地区半导体也将随之复苏,温和回升,2003年或许才会强劲反弹,恢复到2000年的水平。不包括日本在内的亚太地区半导体市场2000~2005年间的年均增长率为7%,2000~2004年(包括日本)为4.5%,(同期世界为-1.3%)。日本和韩国日本电子信息业步入衰退至少已有5年,眼前也见不到有什么新起色,PC走出低迷尚待时日,形势不表1… 相似文献
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本刊9月号发表了<系统创建者>一文,论述了他是系统开发项目成功的关键.系统创建者的才能主要反映在两个方面:一是系统设计的领导能力,二是把项目引向系统实际建造的能力.文章概括了领导系统设计的5项基本原则.最近作者根据自己的经验及所见所闻,又发表了<系统创建者的领导风范>一文,共举出6点,都是促使项目成功的基本要素. 相似文献
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B-ISDN Broadband ISDN 宽带综合业务数字网B-MAC Broadcasting Multiplexed analog Component (卫星图像传输方法)广播复用模拟部件B-SRAM Burst SRAM 突发方式同步型高速SRAMBACP BAnd Allocation Control Protocol(传输速度自动调节)频带配置控制协议BAT Best Availabe Technology最佳可利用技术BB Base Band基带BB Book to Bill r… 相似文献
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自动地图制作ARM公司新的总线结构汽车电话交换局先进微波辐射仪先进汽车交通信息和通信系统能动噪声控制美国最大的PC通信公司接入点有源相控阵雷达应用程序编程接口先进电源管理电子缩略新语卡(4)@金中 相似文献
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薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性晶圆级封装中,但金-锡键合在工艺上更易实现。该文针对金-锡键合在气密性晶圆级封装中的应用进行了研究,在保证键合强度的情况下制作了3 GHz滤波器样品,其性能测试一致性良好,可靠性达到要求。 相似文献