单相Ce0.5Zr0.5O2立方固溶体的高压高温合成

以化学沉淀法制备的 Ce O2 和 Zr O2 纳米微粒为前驱体 ,首次在高压高温 (3 .1 GPa,1 0 73 K)下合成了单相 Ce0 .5Zr0 .5O2 面心立方固溶体 .使用 X射线衍射、TG-DTA、XPS、Raman、电子自旋共振谱和交流阻抗谱等对样品的结构、Ce离子的价态和导电性进行了表征 .实验结果表明 ,纳米 Ce O2 -50 % Zr O2 混合物在高压 (0 .9GPa以上 )高温 (1 0 73 K以上 )条件下可以发生固态反应 ,高压下固溶温度明显降低 .Ce0 .5Zr0 .5O2 面心立方固溶体在 773 K以下是热稳定的 ,不发生结构转变 ,固溶体中 Ce离子完全以 Ce4 + 形式存在 ,773 K退火也不引起 Ce4 + 向 Ce3 + 转变 ,晶格中氧缺位非常少 .Ce0 .5Zr0 .5O2 面心立方固溶体是离子导电 ,82 3 K时电导率 σ=1 .2× 1 0 -5S/cm,与纯 Ce O2 在同温度下的电导率同数量级 ;1 1 2 3 K时 σ=2 .1× 1 0 -3 S/cm,小于掺入稀土或碱土氧化物的氧化锆和氧化铈基电解质的电导率 .在高温区和低温区 ln(σT)与 1 /T的关系满足斜率不同的二条直线 ,低温活化能小于高温活化能 .固溶体的显微硬度 (50 g载荷 )为 572 HV.     

化学键分散剂在PZN－PZT浆料中的分散和性研究

利用异丙醇钛与长羧酸合成了一种化学键分散剂,采用沉降实验及FT－IR技术研究了该分散剂在PZN－PZT浆料中的分散性能,结果表明,该分散剂在PZN－PZT浆料是具有良好的分散性,浆料体系达到稳定状态时所需的分散剂量对应分散剂在颗粒表面上呈单分子层成键状态,分散剂分子与颗粒表面上的羟基发生化学反应,导致二者之间呈较强的化学键结合状态,从而有力地改善了PZN－PZT浆料中的分散性、均匀性。     

液压作用下套管柱临界屈曲载荷计算的能量法

推导了内外液压作用下套管柱微弯时的能量平衡公式,并计算了其屈曲临界载荷计算公式。得到的结果低于目前已发表的结果。内外液压对套管稳定性的影响相当于在套管底端作用一个附加的轴向力和一个沿轴线均布的线载荷。对含有内压的两端封堵的细长管柱,内压对临界屈曲载荷没有影响。结果可供油井设计及作业参考。     

轴对称热传导有限元格式

分析了目前一些有限元专著中轴对称热传导有限元方法推导中的问题,给出了轴对称热传导有限元格式的正确表达形式。     

原子吸收法测定水中溶解氧的研究

研究了用原子吸收法间接测定水中溶解氧的方法。在水样中加入ＭｎＳＯ４ 和ＮａＯＨ 溶液固定溶解氧后,加酸调溶液酸度为ｐＨ ５ ,使Ｍｎ（ＯＨ）２沉淀溶解,而ＭｎＯ（ＯＨ）２沉淀仍留在溶液中,离心分离ＭｎＯ（ＯＨ）２沉淀后,在ｐＨ１ 时加ＫＩ溶液使沉淀溶解,用ＡＡＳ法测定溶液中的Ｍｎ,通过从实验中得到的［Ｏ２］（ｍ ｇ／Ｌ）＝ １．４６［Ｍｎ］关系可间接求得溶解氧（Ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ 缩写ＤＯ）的含量。ＤＯ 的测定范围为０．４～１２ ｍ ｇ／Ｌ。用本法对各种ＤＯ 样品的测定结果与碘量法的结果完全吻合。     

韩国半导体产业回暖

自1996年在世界半导体市场低迷和亚洲金融危机的负面影响下,韩国半导体产业陷入了苦苦挣扎的困境。但从1999下半年开始,世界半导体产业景气回升,同时PC需求畅旺,因此当年韩国半导体产业即大幅增长了219％,达210亿美元,出口（台组装）增长193％,达2O3亿美元。200O年在PC市场增长20％左右的牵动下,半导体出现供不应求,预计将续增179％,达248亿美元。出口（含组装）提高17B％,达235亿美元,超过历史上的最高年份（1995年）,再创新高。2000年以后,在PC、互联网有关设备、移动通信终端等数字信息设备的支持下,世界半导体市场还…     

不完全三值逻辑在语言表达上的相互比较

深入讨论各种命题联结词含量不完全的三值逻辑的语言表达的能力,完全弄明白了三值系统L3,L3,B3,B3,K3,K3,MP的语言表达能力的等效或不等效关系,特别应当指出的一个结论是：中介命题逻辑MP作为一种命题联结词含量不完全的三值系统而言,它和其他命题联结含量不完全的三值逻辑L3,L3Δ,B3,B3Δ,K3,K3Δ的语言表达能力都不等效,从而也由此体现出MP的一种自身特色。     

艾比湖的涸缩对湖周围生态环境的影响及其治理对策探讨

论述了艾比湖的涸缩对湖泊周围生态环境的影响,并提出了治理对策。     

PSG低压CVD装置

<正> 使用扩散炉采取低压方法的 CVD 技术与以往常压方法相比,在大直径硅片的装片容量和生长膜的均匀性方面都有提高,对高密度高质量的超大规模集成电路的研制会有很大贡献。表1列出的数据是目前半导体制造工艺采用低压 CVD 装置获得的。但是关于器件工艺中的扩散源、铝布线后的钝化以及多层金属布线的绝缘膜等方面最为需要的低温磷硅玻璃(PSG)膜的生长技术,膜厚及磷浓度(方块电阻)分布的控制是困难的,     

多峰离子源的三维数值模拟优化与设计

本文理论计算了多峰离子源永磁体, 采用二体碰撞模型处理电子之间的库仑碰撞, 运用空碰撞方法处理电子与氢元素相关粒子碰撞, 开发了全三维粒子模拟-蒙特卡罗模拟算法, 并采用此软件对热门多峰离子源JET-60U的两种优化设计模型进行数值模拟研究, 探索了两种离子源空间分布特性和体积负氢离子产率相关问题, 提出了负氢离子源设计的基本思想: 适当调整离子源多峰磁场分布情况可以输出均匀离子束; 适当调整引出磁场大小和离子源结构, 可以达到离子束空间均匀性和高产率兼顾的效果.