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采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用. 相似文献
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一、裂变反应的发现及其意义1932年查德威克发现了中子,使人类终于找到一把打开核反应大门的钥匙。由于中子和原子核之间没有库仑排斥力,可以很容易进入核内而产生各种类型的核反应过程,例如弹性散射、非弹性散射、粒子转移反应、敲出反应、俘获辐射反应等。 相似文献
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在国内最先进行了孤子通信的误码测量,成功的将2.5Gb/s的孤子传输了52km,经过连续2小时测量无误码。 相似文献
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本文报道以1.5μm InGaAsP自聚焦棒(GRINROD)外腔半导体激光器作发送光源,光棚外腔半导体激光器作本振光源,用改进的90°光混合器作光混合器件的二分支相位分集FSK相干光纤通信系统的实验研究系统中,采用100 MHz正弦信号对自聚焦棒外腔半导体激光器进行直接注入电流调制,接收端用平衡混频器解调信号。实验结果表明,改进的90°光混合器可用于相干光纤通信系统中。 相似文献
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