Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal–oxide–semiconductor technology

A three-terminal silicon-based light emitting device is proposed and fabricated in standard 0.35 μ m complementary metal--oxide--semiconductor technology. This device is capable of versatile working modes: it can emit visible to near infra-red (NIR) light (the spectrum ranges from 500 nm to 1000 nm) in reverse bias avalanche breakdown mode with working voltage between 8.35 V--12 V and emit NIR light (the spectrum ranges from 900 nm to 1300 nm) in the forward injection mode with working voltage below 2 V. An apparent modulation effect on the light intensity from the polysilicon gate is observed in the forward injection mode. Furthermore, when the gate oxide is broken down, NIR light is emitted from the polysilicon/oxide/silicon structure. Optoelectronic characteristics of the device working in different modes are measured and compared. The mechanisms behind these different emissions are explored.     

一道清华强基题的深入剖析

<正>1题目及其来源(2021年清华强基·9)在△ABC中,D为BC中点,∠CAD=15°,则∠ABC的最大值为______.这道题原本是选择题,根据所给的选项可以猜出结果.为了进一步探究本题的内涵,我们用多种方法给出详解.2方法一:固定AD以A为原点,DA为x轴正方向单位长度建立平面直角坐标系,如图1所示.     

A novel implantable multichannel silicon-based microelectrode

Silicon-based microelectrodes have been confirmed to be helpful in neural prostheses. The fabricated 7-channel silicon-based microelectrode was feasible to be implanted into the brain cortex. The manufacturing process by micro-electromechanical system (MEMS) technology was detailed with four photolithographic masks. The microscopic photographs and SEM images indicated that the probe shank was 3mm long, 100\mum wide and 20\mu m thick with the recording sites spaced 120\mu m apart for good signal isolation. To facilitate the insertion and minimize the trauma, the microelectrode is narrowed down gradually near the tip with the tip taper angle of 6 degrees. Curve of the single recording site impedance versus frequency was shown by test in vitro and the impedance declined from 150.5k\Omega to 6.0k\Omega with frequency changing from 10\,k to 10MHz.     

中孔复合锆-铝氧化物微球的制备及其正相色谱性能研究

复合氧化物通常表现出与单一氧化物不同的物理化学性质（如晶体结构、孔结构和表面性质等方面）,已广泛用作催化剂、吸附剂和离子交换剂。1993年,Kaneko等采用共沉淀法制备的SiO2-TiO2,SiO2-Al2O3等复合氧化物的环境保护、痕量富集、氨基酸分离等方面取得较好的应用效果。但复合氧化物作为液相色谱固定相的研究很少报道。近年来,我们从制备、表征到正相、反相色谱性能等方面对MgO-ZrO2和SiO2-ZrO2复合氧化物作为色谱填料进行了系统的研究,发现MgO和SiO2掺杂可以有效地改善ZrO2的孔结构,提高柱效。本文用溶胶－凝胶方法制备了质量投料比m（硝酸铝）：m（氧氯化锆）＝20：64的ZrO2-Al2O3复合氧化物微球,考察酸腐蚀前后其晶形、表面酸碱性和孔容、孔径的变化,以及它们的正相色谱性能。     

RCE光电探测器顶部DBR的优化

对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型（简称RCE）光电探测器进行了物理分析和实验研究,由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同,通过腐蚀VCSEL器件顶部DBR,改变顶镜反射率,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的RCE光电探测器,实现VCSEL与RCE探测器的单片集成．     

2, 4, 6-三硝基苯酚衍生化β-环糊精键合

β-环糊精键合硅胶经对甲苯磺酰化后 , 与 2, 4, 6-三硝基苯酚 (PA)反应得到 2,4,6-三硝基苯酚衍生化β-环糊精键合硅胶固定相 ( PCDS) ; 采用元素分析、漫反射傅里叶变换红外光谱等方法对其进行了表征 ; 考察了 PCDS对稠环芳烃、位置异构体、丹磺酰化氨基酸等物质的分离性能 , 并对其分离机理进行了初步探讨 .     

碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究

利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层, Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可以大大减少器件的表面漏电,增加器件工作电压和提高器件性能。     

多齿配体改性的氧化锆色谱固定相表面吸附方式的研究

氧化锆微球的化学稳定性好且机械强度高,作为色谱固定相基质具有很好的应用前景,利用其表面存在的大量的Lewis酸性中心与Lewis碱性化合物的强烈的酸碱作用可对氧化锆进行吸附改性,用无机磷酸、烷基膦酸APA、硬脂酸SA及乙二胺-N,N′-四亚甲基膦酸(EDTPA)等改性的氧化锆固定相被成功地用于中性、碱性甚至酸性化合物的分离。     

光脉冲光纤周期复制技术研究

针对常用的多路高速光脉冲复制系统可能的实现形式进行了研究,根据各种应用中所需的插入损耗、输出脉冲周期性与功率稳定性等性能要求,对多种光纤光脉冲复制结构的特点进行了分析比较.通过对各种结构的输出脉冲功率、周期性及其影响因素的理论分析,论述了使各种结构的输出脉冲优化的可能性与方法.指出了有源循环式光纤延迟脉冲复制器适合于产生重复周期准确、输出功率大的光脉冲序列.     

垂直腔面发射激光器温度特性的研究

借助于SV232低温恒温器及LD2002C5 VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在- 10℃～70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线,并结合不同温度下VCSEL反射谱和增益谱的模拟结果,对实验曲线进行了很好的分析和解释。估算了连续工作状态下研制的InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器内部温升值,而且还得到了现有工艺条件下满足最低室温工作阈值的谐振腔谐振波长与增益谱峰值波长。