硅基竖直耦合三环谐振波分复用器的特性

对1×N信道硅基竖直耦合三环谐振波分复用器的传输特性进行了分析,给出了光学传递函数的公式.在中心波长1550.918nm、波长间隔1.6nm的情况下,对其振幅耦合比率、波谱响应、分光光谱、插入损耗、信道间的串扰进行了数值模拟.计算结果表明,该器件具有以下良好性能:若取小环与信道间的振幅耦合比率为0.27,小环与大环间的振幅耦合比率为0.06,该器件具有箱形波谱响应,输出光谱中的次峰值已被抑制到-25dB,谐振峰平坦且陡峭,3dB带宽约为0.28nm,每条输出信道的插入损耗及串扰较小,插入损耗小于0.71dB,串扰可降至-53dB以下.     

Effect of oxygen on regulation of properties of moderately boron-doped diamond films

Regulation of oxygen on properties of moderately boron-doped diamond films is fully investigated. Results show that, with adding a small amount of oxygen (oxygen-to-carbon ratio < 5.0%), the crystal quality of diamond is improved, and a suppression effect of residual nitrogen is observed. With increasing ratio of O/C from 2.5% to 20.0%, the hole concentration is firstly increased then reduced. This change of hole concentration is also explained. Moreover, the results of Hall effect measurement with temperatures from 300 K to 825 K show that, with adding a small amount of oxygen, boron and oxygen complex structures (especially B₃O and B₄O) are formed and exhibit as shallow donor in diamond, which results in increase of donor concentration. With further increase of ratio of O/C, the inhibitory behaviors of oxygen on boron leads to decrease of acceptor concentration (the optical emission spectroscopy has shown that it is decreased with ratio of O/C more than 10.0%). This work demonstrates that oxygen-doping induced increasement of the crystalline and surface quality could be restored by the co-doping with oxygen. The technique could achieve boron-doped diamond films with both high quality and acceptable hole concentration, which is applicable to electronic level of usage.     

LaDAIY型沸石的裂解活性和抗氮性能

采用脉冲微反技术,以含吡啶的正庚烷为原料,考察了LaDAlY型沸石的裂解和抗氮性能。结果表明,LaDAlY型沸石的裂解与抗氮性能均优于其母体样品DAlY。结合NH_3-TPD的数据,讨论了酸性与裂解和抗氮性能之间的关系,对吡啶中毒的机理进行了探讨。     

金属有机源化学气相沉积法生长氧化锌薄膜中氢气的作用及其机理

本文重点探讨了金属有机源化学气相沉积生长ZnO薄膜中氢气的作用与机理.研究表明氢气对ZnO薄膜的结构与性质具有重要的影响.当采用叔丁醇为氧源时,氢气对ZnO薄膜的晶体质量,表面结构和发光性质主要产生负面的影响,同时发现氢气的加入有助于抑制碳的沾污.而当采用笑气为氧源时,测量显示表面变光滑,晶体质量得到提高,发光强度也得到提升.氢气在笑气作为氧源生长ZnO的过程中基本起到了正面的作用.论文最后从氢气降低生长表面能量,提高表面原子迁移能力但存在表面腐蚀作用的方向以上结果给予了较好的解释.研究显示MOCVD生长高质量ZnO薄膜中氢气的优化具有特别重要的意义.     

AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响

从Ⅲ族氮化物中压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,分别研究了自发极化、压电极化和AlGaN势垒层掺杂对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气的浓度、分布、面密度以及子带分布等性质的影响.结果表明：二维电子气性质强烈依赖于极化效应,不考虑AlGaN势垒层掺杂，当Al组分为0.3时，由极化导致的二维电子气浓度达1.6×10--13cm-2,其中压电极化对二维电子气贡献为0.7×10-13cm-2，略小于自发极化的贡献(0.9×10-13cm-2)，但为同一数量级，因而通过控制AlGaN层应变而改变极化对于提高二维电子气浓度至关重要. AlGaN势垒层掺杂对二维电子气的影响较弱, 当掺杂浓度从1×10-17增加到1×10-18cm-3时，二维电子气面密度增加0.2×10-13cm-2. 关键词： AlxGa1-xN/GaN 异质结构 二维电子气 自发极化 压电极化     

磷酸苯丙哌林对映体的毛细管电泳手性分离及应用

以羟丙基-γ-环糊精（HP-γ-CD）为手性选择剂，采用毛细管电泳技术，对手性药物磷酸苯丙哌林的对映体拆分进行了研究。在以含有10mmol／L HP-γ-CD 100mmol／L Tris-H3PO4（pH3．0）缓冲溶液为电泳电解质时，磷酸苯丙哌林对映体在25min内实现了基线分离，分离度达2.03。以紫外检测（测定波长202nm）时，其峰面积与磷酸苯丙哌林对映体的浓度在0．5～10mg／L范围内呈良好的线性关系。将其应用于合成的血清样品分析，获得了满意的结果。实验还尝试采用场放大堆积方法，对磷酸苯丙哌林对映体进行在柱富集，使磷酸苯丙哌林对映体的检测灵敏度提高了23倍。     

GPIB接口的FPGA实现

GPIB接口是测试仪器中常用的接口方式。通过将接口设计分解为同步状态机设计和寄存器读写电路设计，采用Verilog语言实现了满足IEEE488．1协议的IPCore设计。将此IPCore固化到FPGA芯片中即可实现GPIB各种接口功能。     

基于Lucene与Socket通信的中文搜索引擎的设计与实现

Lucene是一个用Java写的全文检索引擎工具包,面向对象多层封装,提供了一个低耦合、与平台无关的、可进行二次开发的全文检索引擎架构,是这几年最受欢迎的信息检索程序库;基于流式Socket的网络编程是设计网络通信程序的一种有效方法.本文基于Lucene,采用中文分词技术,设计并实现了中文搜索引擎,同时应用Java和PHP的Socket网络编程技术,实现了外网通过PHP网页使用Lucene服务的功能.