全文获取类型
收费全文 | 254篇 |
免费 | 60篇 |
国内免费 | 125篇 |
专业分类
化学 | 156篇 |
晶体学 | 8篇 |
力学 | 5篇 |
综合类 | 1篇 |
数学 | 9篇 |
物理学 | 106篇 |
无线电 | 154篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 3篇 |
2022年 | 6篇 |
2021年 | 7篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 7篇 |
2015年 | 11篇 |
2014年 | 8篇 |
2013年 | 13篇 |
2012年 | 17篇 |
2011年 | 16篇 |
2010年 | 11篇 |
2009年 | 18篇 |
2008年 | 23篇 |
2007年 | 18篇 |
2006年 | 36篇 |
2005年 | 19篇 |
2004年 | 22篇 |
2003年 | 21篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 15篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 15篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 15篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 9篇 |
1993年 | 14篇 |
1992年 | 13篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 3篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有439条查询结果,搜索用时 7 毫秒
431.
432.
433.
载气流量对HVPE外延生长GaN膜光学性质的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了利用水平氢化物气相外延 (HVPE)系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓 (Ga N)的生长规律 ,重点研究了作为载气的氮气流量对 Ga N膜的结构及光学性质的影响。观察到载气流量对预反应的强弱有很大影响 ,外延膜的质量和生长速度对载气流量极为敏感。当载气流量较小时 ,样品的 X射线衍射谱 (XRD)中出现了杂峰(1 0 -1 1 )和 (1 1 -2 0 ) ,相应的光致发光谱 (PL)中出现了黄带 (YL) ,靠近带边有杂质态。而当载气流量增大时 ,样品质量改善。Ga N外延膜的结构和光学性质的相关性表明深能级的黄带与生长过程中产生的非 c轴方向晶面有关 ,据此我们推测 :Ga空位与束缚在 (1 0 -1 1 )和 (1 1 -2 0 )等原子面上的杂质构成复合结构 ,这些复合结构所产生的深能级对黄带的发射有贡献 ;由于预反应使生长过程中混入的附加产物及杂质对带边发射有重要影响 相似文献
434.
435.
聚合物微环谐振波分复用器传输特性的理论分析 总被引:3,自引:6,他引:3
根据耦合模理论,给出了1×N信道微环谐振波分复用器(MRRWM)的光强传递函数通用公式,并分析了微环谐振波分复用器的传输特性。利用参量优化结果,在中心工作波长约为 1.55μm、波长间隔约 5.6 nm的情况下,对1×8信道硅基聚合物微环谐振波分复用器进行了数值模拟。计算结果表明,该器件具有以下优良的性能:分波光谱准确,自由光谱区约为18 nm,对于半径10μm以上的微环弯曲损耗很小,且器件的插入损耗主要由波导的传输损耗决定,振幅耦合比率为0.2时对应的每条竖直输出信道的插入损耗在0.57 dB以下,信道间的串扰小于-18.5 dB,输出谐振峰3 dB带宽可达0.25 nm,最小背景光的强度约为3.8×10-4。 相似文献
436.
甲氧基苯并噻唑偶氮-8-羟基喹啉-5-磺酸的合成及与钴的显色反应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了新显色试剂7-[6-甲氧基-(2-苯并噻唑偶氮)]-8-羟基喹啉-5-磺酸.该试剂在弱酸性(pH5.0)条件下,在有非离子表面活性剂存在时,与钴形成紫红色的络合物.其最大吸收波长λ_(max)=560nm,表观摩尔吸光系数为6.17×10~4L·mol~(-1)·cm~(-1).钴含量在0~8μg/10ml范围内服从比耳定律.应用拟定的方法测定了维生素B~(12)等试样中的钴,结果满意. 相似文献
437.
438.
439.
本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法,研究了Sc掺杂ZnO体系的晶体结构、电子结构和光学性质。在对Sc掺杂结构优化的基础上对其进行了数值模拟计算,结果表明:随着Sc原子的掺入,体系的晶格常数稍微变大,键长变长,体积变大,系统总能增大,费米能级进入导带,体系逐渐呈金属性,带隙变宽且随着掺杂浓度增大而增大。另一方面,掺杂后ZnO的光学性质也发生了一定变化,ZnO吸收谱中出现了新的吸收峰,吸收边蓝移,同时介电函数虚部也出现了新的波峰。 相似文献