讲座 正弦波信号发生器

五、拍频振荡器另一种被广泛作为低频信号发生器的是拍频振荡器.拍频振荡器的方框图如图1所示.高频可变振荡器和高频固定振荡器的工作频率,均较输出的低频高很多,经混频后,取其差频,不需要的和频及其他频率     

中重核14.5MeV (n,2n),(n,3n)反应截面的系统学计算

本文从中子核反应机制出发,讨论(n,2n),(n,3n)反应过程,给出约化截面的计算公式.按照系统学方法计算z=58—83的53个中重核的14.5MeV (n,2n),(n,3n)反应截面,计算结果与实验值符合较好.     

80.6MeV 16O轰击27Al反应的弛豫过程的研究

从80.6MeV ¹⁶O+²⁷Al出射类弹碎片的测量实验结果导出了角分布衰减系数、电荷分布及电荷分布的一次矩和二次矩随TKEL的变化. 对该反应中的弛豫过程进行了分析. 并讨论了势能面对电荷分布的一次矩和二次矩的影响.     

正弦波信号发生器三

二、文氏振荡器(续)(五)文氏振荡器稳幅问题的讨论文氏振荡器为了得到稳幅振荡,必须使负反馈接近井略低于正反馈.这一点如果不采取措施是很难维持的,电源电压的变化、电子管及组件的参数变化都要改变这一平衡状态.实际上,振荡器都可看作是放大器加正反馈后产生振荡的.如图8所示,振荡稳定的条件为:图8?     

正弦波信号发生器(二)

低频信号发生器部分一、概述低频信号发生器的频率范围约自10赫开始,10赫以下则属于超低频领域.低频信号发生器的频率上限较难规定,在电声测量中,一般至20～50千赫就可以了,但是为了测量声频反馈放大器在工作频带以外稳定度的需要,亦有将频率范围扩展到200～300千赫的.在长途通信小,一般低频(或称载频)信号发生器     

一个过渡段高频头的整体设计

300MC～1000MC的频段,在雷达波段划分中叫做P与L波段,常被人们称之为过渡段。过渡段的电路与结构有着不可分割的关系。设计的步骤应该是先有一个电路模型,再进行整体设计,最后进行电路设计。之所以叫做整体设计,旨在说明需要把电路与结构视为一体来考虑,这样能使其各部份更合理、更紧凑。本文叙述一个装置在飞行体上的600MC～700MC接收机的高频头的整体设计,并重点分析其中的高频放大器的整体设计。由于这种类型的接收机应具有高的可靠性和尽可能小的体积,本文提出了一种在保证可靠性前提下能大大压缩体积的设计思想,它就是:(一)把晶体管等元件安装于高放腔内;(二)设计了一个感容一体的新型内导体结构。这样设计的高频头,较一般设计缩小体积五倍,通过了飞行体所要求的环境温度、冲击、振动等例行实验关,已稳定生产,并已多次执行任务,使用良好。本文在选用参数、计算数值上不是着眼于一点,而是注意到一个区间。它们是可行的,同时又具有一定的可塑性,这样做的目的是为了将这一整体设计的概念、方法以及所得到的一种新型的高放腔向该频段推荐。     

Effect of local atomic disorder on the half-metallicity of full-Heusler Co2FeSi alloy: a first-principles study

This paper investigates the effect of atomic disorder on the electronic structure, magnetism, and half-metallicity of full-Heusler Co2FeSi alloy by using the full-potential linearized augmented plane wave method within the generalized gradient approximation (GGA) and GGA+U schemes. It considers three types of atomic disorders in Co2FeSi alloy: the Co-Fe, Co-Si, and Fe-Si disorders. Total energy calculations show that of the three types of disorders, the Fe-Si disorder is more likely to occur. It finds that for the Co-Si disorder, additional states appear in the minority band-gap at the EF and the half-metallcity is substantially destroyed, regardless of the disorder level. On the other hand, the Co-Fe and Fe-Si disorders have little effect on the half-metallicity at a low disorder level. When increasing the disorder levels, the half-metallcity is destroyed at about 9 % of the Co-Fe disorder level, while that stays at 25 % of the Fe-Si disorder level.     

风河:Linux崛起,实现两大操作系统互补

人们通常是通过VxWorks知道风河系统公司的,而5年之前风河又把Linux引入到其操作系统（OS）家庭中。5年后的2008年,风河Linux已经实现了5千万美元的销售额,成为嵌入式Linux的第一大厂商。为此,本刊访问了风河资深副总裁兼Linux产品部总经理Vincent Rerolle先生。     

Altera低功耗Cyclone Ⅲ LSFPGA登场

6月30日,Altera发布了该公司功耗最低的FPGA—Cyclone Ⅲ LS系列,其安全特性包括防篡改、设计安全性和设计分离功能。     

“北工大—赛灵思软件工程(嵌入式系统方向)联合人才培养模式创新实验区”开园暨“第二届开放源码硬件与嵌入式大赛”开赛

为响应教育部关于资助总经费5,000万元在全国一批高校内设立100个人才培养模式创新实验区,推进人才培养模式的综合改革,5月22-23日,"北工大—赛灵思软件工程(嵌入式系统方向)联合人才培养模式创新实验区"开园仪式以