基于Blackfin533的视频播放器的OSD实现

本系统为基于Blackfin533的视频播放,文章介绍了其硬件结构,并详细介绍了界面OSD图文显示和视频输出的软件实现。     

基于二维振镜与位置灵敏探测器的高精度激光跟踪系统

提出了一种基于二维振镜与位置灵敏探测器的高精度激光跟踪系统;基于光线追迹方法建立跟踪系统的几何光学模型,并对跟踪系统进行误差分析,通过仿真对激光跟踪系统的指向精度以及跟踪性能进行分析。仿真结果表明:在跟踪距离100 m处,跟踪系统的位置指向精度可达0.35 mm,角度指向精度为0.72″,跟踪范围为-10°～10°,最大跟踪速度可达3.6 rad/s,能够实现对远距离快速运动目标的高精度实时主动跟踪。     

有机层界面电荷聚集及其对OLED性能的影响

采用金属Al、合金Mg:Ag以及复合层LiF-Al作为阴极材料,利用真空加热蒸镀法制备了异质结有机发光器件(OLED),研究了阴极材料与器件有机层界面电荷聚集之间的关系.结果表明,界面电荷聚集与阴极材料密切相关,LiF-Al复合层阴极器件的界面聚集电荷最少,而Al金属阴极器件的界面聚集电荷最多.同时,通过测试器件的光电性能,进一步研究了阴极材料对OLED发光特性的影响.实验结果显示,LiF-Al复合层阴极器件具有最大的发光亮度和效率、最小的启亮电压和驱动电压.     

试谈有线电视网络双向化改造中的新技术

为了充分利用有线电视网络的巨大带宽资源开展数据业务，需要对现有的网络进行双向化改造。介绍并简要分析了几种双向化改造中可能会使用到的新技术。其中，在接入网部分，介绍了DOC-SIS 2．0，包括协议和多址方式；在骨干网改造部分，介绍了MPLS技术。     

100 μm FEL受激辐射光学诊断

 给出了基于L波段射频直线加速器运行的100 μm FEL自发辐射与受激辐射实验的光学诊断结果,简要介绍了100 μm FEL的光腔准直系统。针对100 μm FEL实验研究的基本要求,对辐射信号的波长光谱、功率能量和脉冲结构等主要参数进行了测量诊断。利用远红外光栅谱仪和锗掺镓光电探测器组成的测量系统,对辐射光的宏脉冲信号进行分光,测量得到了辐射光信号的波长光谱和宏脉冲波形,测得受激辐射中心波长约为115 μm;利用标定过的锗掺镓探测器对辐射信号的功率能量进行了测量,测得单个宏脉冲的功率约为mW量级,能量为nJ量级。     

荧光染料超薄层对有机电致发光器件发光光谱的影响

采用在主体材料上蒸镀一层超薄层的方法,研究了三种有机小分子荧光染料dimethylquinacridon(DMQA)、4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethy ljulolidyl-9-enyl)-4-pyran(DCJTB)和5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)的浓度效应对有机电致发光器件(OLED)电致发光光谱的影响。结果表明,与常规掺杂器件相比,染料超薄层器件的光谱中出现了微弱的主体材料的发光峰,浓度猝灭现象更为明显。三种染料的浓度猝灭程度从高到低依次为DMQA、DCJTB和Rubrene。同时,我们使用此三种染料配制了溶液,测试了它们在不同浓度下的光致发光光谱强度,进一步探讨了掺杂剂浓度猝灭强弱与器件的发光光谱特性的关系。     

一种小型化靶载遥测系统

随着飞行器射程越来越大,试验的危险性就越来越大,中靶段遥测数据的获取也越来越难。针对这一问题,设计了一种小型化靶载遥测系统,介绍了系统的组成和功能,描述了系统的技术实现,对中频解调单元的设计进行了详细地阐述,根据系统遥测作用距离对系统的使用效能进行了分析。结果表明,系统可以有效地获取飞行器中靶段遥测数据,能够满足试验任务的需求。     

159159TbII超精细结构光谱测量

利用具有光谱高分辨和选择性激发等特点的共线快离子束激光光谱学方法研究了159TbII亚稳态4f95d7H08和激发态4f96p3/2(15/2, 3/2)的超精细结构光谱,所有光谱线可以很好地分辨;并由实验测量到的高分辨超精细结构光谱,给出了相应能级的超精细结构常数。     

茜素红S/多壁碳纳米管修饰碳糊电极阳极溶出伏安法测定痕量铜

制备了茜素红S/多壁碳纳米管修饰碳糊电极,提出了一种灵敏的溶出伏安法测定痕量铜的新方法.在极谱分析仪上采用二阶导数线性扫描伏安法进行分析,在0.1 moL/L的HAc-NaAc缓冲溶液(pH 4.1)中,Cu与修饰电极表面的茜素红S(ARS)形成Cu(Ⅱ)-ARS络合物而富集于电极表面,于-400 mV处还原后,再进行阳极化扫描,于64 mV处获得一灵敏的铜的阳极溶出峰,峰电流与Cu(Ⅱ)浓度在2×10-11 mol/L～6×10-7 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3) 为8.0×10-12 mol/L(富集时间240 s).方法应用于人发中铜含量的测定,回收率为98%～102%.     

用低频C-V法测量a-Si:H的隙态密度

非晶态半导体一个重要参数是它的迁移率禁带中的局域态密度．已经发展了多种隙态密度的测量方法,如场效应方法（ＦＥ）［１］、低频Ｃ－Ｖ法［２,３］、ＭＯＳ隧道测量［４,５］以及深能级瞬态谱法（ＤＬＴＳ）等．Ｃ－Ｖ法本是测量单晶半导体材料的有力工具．在非晶态半导体的肖特基势垒二极管的空间电荷区中,电势分布、空间电荷分布等要比单晶半导体复杂得多．已有一些文章作了研究井推导了由Ｃ－Ｖ曲线求态密度的公式［?...