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81.
吩基吡啶铍(Bepp2)配合物的高效蓝光器件 总被引:1,自引:0,他引:1
高荧光的吩基吡啶铍(Bepp2)作为发射层构成高效蓝色电致发光器件.这一由空穴注入层、空穴传输层、Bepp2发射层组成的多层器件,使用一电子传输层以获得高性能.这种器件结构,最大亮度达6 200cd·m-2、电致发光效率1.3 cd/A(0.71 lm/W),吩基吡啶铍(Bepp2)的电致发光光谱峰值在451 nm.这些初步的结果表明配合物铍应用于电致发光是非常有前景的材料.在化学方面的进一步考察和新的羟苯基吡啶金属配合物电致发光器件的优化也在进行中. 相似文献
82.
83.
大型机场的场面多点定位(MLAT)系统具有接收站布局复杂和非视距(NLOS)传播严重的特点,为了选择最佳定位站点组合和消除NLOS对目标定位的影响,需要提供一个目标的估计位置。以往采用目标前次定位位置的方式存在将前次定位误差引入到当次目标信号处理中的缺陷。为了实现多点定位系统对目标当次信号处理的独立性,采用一种基于最优水平精度因子(HDOP)的目标位置估算方法,利用当次测量达到时间(TOA)信息,基于最优HDOP,通过快速优选、位置一致性判定和优化站点等方法,快速估计出目标当次二维位置,数据处理系统利用当次目标估计位置完成最佳站点组合选择和NLOS处理。仿真测试和机场场面真实数据测试验证了该方法的可行性,同时表明利用该方法提高了多点定位系统的定位连续性和定位精度。 相似文献
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85.
表面处理是碲镉汞(HgCdTe)红外探测器芯片制作流程的开始,其效果会直接影响芯片的良品率。采用金相显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)分析手段,探究了碲镉汞表面处理工艺中四种典型的表面异常现象的成因,并提出了相应的控制措施。水痕缺陷的形成机理为吸氧腐蚀,通过稳定氮气气流快速将晶片表面吹干可以控制该缺陷的形成;染色现象的成因为腐蚀液被不均匀稀释或腐蚀液被水等杂质污染,工艺中应严格避免杂质的污染,腐蚀结束后快速冲洗表面;圆斑现象是由于缺陷处吸附清洗液引起,采用异丙醇浸泡后再干燥可以降低该缺陷出现的概率;甲苯与HgCdTe表面直接接触时会导致碲镉汞表面粗糙度增大,工艺中需要避免甲苯和HgCdTe表面的直接接触。 相似文献