光电式指纹采集图像装置及其分类算法

介绍了基于CMOS图像传感器的便携式指纹采集装置的设计,利用全反射原理,并通过对指纹图像全局的方向分布获取特征向量.实验证明,特征向量融合方法使分类的准确率达到93.7%.     

关于保险精算函数的几点讨论

对目前精算教材中的有关保险精算函数作了较为细致的分析和比较,较为深入地讨论了均衡净保费的责任准备金计算的未来法及过去法的联系.     

X荧光光谱法测定锡酸铅TDI还原型催化剂中锡和铅含量

报道了一种准确度高、分析步骤简单的锡酸铅TDI还原型催化剂中锡和铅含量的X射线荧光光谱方法（XRF）．设计制备了标准样品,研究了仪器测试条件下元素峰位的选择和背景扣除方法．结果表明：X荧光光谱法在不破坏样品的前提下完成对二氧化锡和铅含量的同时测定,重复实验10次,Pb实验相对标准偏差为0．37％;SnO2实验相对标准偏差0．61％。     

偏振耦合测试及其振动干扰信号分析

理论分析了偏振模式耦合的原理,给出了基于白光干涉的偏振耦合检测方法。通过步进电机控制迈克耳孙干涉仪扫描臂的反射镜移动,改变干涉仪两臂之间的光程差(OPD),补偿了由于偏振耦合而形成的两偏振光从保偏光纤(PMF)出射时的光程差,实现了对保偏光纤的偏振耦合强度和位置的测试。扫描过程中扫描臂反射镜的振动会对输出信号产生不良影响,对此振动信号进行了仿真及实验研究,分析了它对输出信号的影响。在不同的扫描速度下,采用Hilbert变换和最小二乘高斯非线性回归分析提取白光干涉包络,求解耦合强度,验证了振动信号的幅度和频率与扫描速度有关,以及它对耦合强度检测精度的影响。结果表明该测试系统动镜的扫描速度在0.7～0.9mm/s时,偏振耦合强度的检测误差最小。     

基于DSP的PCI总线高速DMA数据传输

针对数据采集系统中的高速数据传输需求,对TMS320C6416DSP的PCI接口特性进行了简单介绍,以TMS320C6416DSP作为PCI主设备控制并启动直接存储器存取(DMA)数据传输,给出了数据传输系统的硬件及软件设计流程,实现了PCI总线的DMA数据传输.与其他PCI总线传输方式比较,TMS320C6416DSP开发成本低、集成度高、通用性好、功能拓展灵活,具有良好的PCI总线数据传输性能,使板卡与PC机之间通信速度得到很大提高,并在项目中证实了PCI总线数据传输方面的能力.     

最佳(F,K,1)光正交码的构造算法研究

(F ,K ,1)光正交码 (OOC’s)是适合于光码分多址 (OCDMA)通信的最佳地址码 ,但成功构造最佳 (F ,K ,1)光正交码十分困难。针对该问题 ,研究了一种构造算法 ,给出了构造该光正交码的具体算法及相应的计算机辅助设计方法。通过该方法可以容易地构造出最佳 (F ,K ,1)光正交码。     

共振隧穿二极管的开关时间特性

用HP8510(C)网络分析仪测量了A1As／InGaAs／AlAs共振隧穿二极管(RTD)的散射参数，通过曲线拟合提取了等效电路参数，估算了RTD的开关时间，通过速度指数估算的RTD上升时间最小可达21ps。     

UTC-PD和RTD单片集成的器件模拟研究

单行载流子光电二极管与共振隧穿二极管单片集成器件是一种新型高速光电探测器,也是高速光电单稳双稳转换逻辑电路的一个基本单元。用Atlas软件对该集成电路单元进行了直流和交流特性的模拟研究,模拟得到的3dB带宽最高可达9THz。模拟发现,光照强度、吸收层厚度、掺杂浓度、收集层浓度是影响器件3dB带宽的主要因素。研究了器件材料参数、结构参数与器件3dB带宽之间的关系,并得到在现行工艺下优化后的单行载流子光电二极管和共振隧穿二极管单片集成器件的工艺参数,模拟出3dB带宽为1.03THz。同时,对器件模拟和半导体工艺间的误差进行了分析和估计。这一工作为单行载流子光电二极管和共振隧穿二极管单片集成器件的设计和研制提供了工艺参数基础。     

横向SOI锗硅光电探测器的数值模拟

采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析。结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴势阱沟道。在3V反向偏压下,电场沿横向均匀分布,光吸收层基本完全耗尽,光生载流子得到有效收集;与Si的光电响应相比,出现较明显的响应波长范围向长波长方向扩展、响应峰值波长向长波长方向移动,证实了探测器结构的有效性和其良好的光电性能。     

LTE FDD链路预算及覆盖估算方法研究

详细阐述了LTE FDD系统上下行链路预算方法、参数取值、如何基于链路预算得到的MAPL估算小区覆盖半径和单站覆盖面积,还通过链路预算和小区覆盖半径估算实例明确了LTE FDD系统链路预算及覆盖估算需关注的若干问题。