低强度中频超声对人宫颈癌CaSki细胞影响的实验研究

目的：探讨不同条件下低强度中频超声对宫颈癌细胞生长的影响。方法：以不同强度及时间的低强度中频超声作用于人宫颈癌CaSki细胞,用MTT法检测细胞死亡数量,找出细胞抑制率的总体趋势。结果：不同条件下的低强度中频超声幅照各组间细胞抑制率与对照组相比有统计学差异,且各组间也存在统计学差异。结论：单纯低强度中频超声对人宫颈癌Ca Ski细胞有较强杀伤作用,且与幅照的时间和强度呈明显相关性。     

电化学沉积金属铜的分形枝晶生长控制与性能

 以CuSO_{4/sub>为前驱体,HCl为添加剂,采用电化学沉积方法,在室温条件下制得了μm级、面心立方结构分形铜的枝状晶体,研究了铜离子浓度、硫酸浓度、电流密度、沉积时间、氯离子浓度等实验参数对分形枝状铜晶体尺寸、结构的影响。结果表明：硫酸的浓度对铜沉积物结构无明显影响;随着Cu^{2+/sup>浓度的不断增大,铜沉积物的分形效果越来越明显;增大电流密度（0.4～1.6 A·cm-2/sup>）,铜沉积物由致密向多分枝的开放型转变;延长沉积时间（大于等于5 min）,可获得含大量次级分枝铜的晶体;适当增加盐酸用量（0.05～0.20 mol/L）,铜沉积物枝晶尺寸显著减小。最后讨论了分形枝晶铜在碱性条件下氧化甲醇的电化学性能。}}     

Mn-Cu合金成分对去合金化法制备纳米多孔铜的影响

 采用电弧熔炼制备出前驱体Mn-Cu合金,在稀盐酸溶液中自由腐蚀去合金化,制备出具有双连续结构的纳米多孔铜。研究了前驱体合金的成分对纳米多孔铜微观结构及Mn的选择性腐蚀程度的影响。结果表明：前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数为43%时,其去合金化受到抑制,存在明显的未完全去合金化的岛状结构;前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数为32%～23%时,可完全去合金化,形成平均孔径尺寸为20～100 nm,平均系带尺寸为30～80 nm,具有双连续结构的纳米多孔铜;前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数低至20%时,去合金化后存在大量裂纹,形成纳米颗粒聚集体。纳米多孔铜中存在少量的残余Mn,残余Mn的原子分数随着前驱体合金Mn原子分数的增高而降低。实验表明腐蚀液浓度对纳米多孔铜形貌也存在影响。     

H_2及H~ 对C_xH_(1-x)薄膜表面状态的影响

系统研究了 H2 流量和 H 原位处理 Cx H1-x薄膜的时间对 Cx H1-x薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响 ,表明 Cx H1-x薄膜的长时间 H 原位处理是减小 Cx H1-x薄膜表面悬挂键密度的有效途径。     

有向和无向混合图通道布线算法

本文提出一种用于通道布线的有向和无向混合图模型.建立了在这个模型下的通道布线算法.算法充分考虑了约束关系的整体性.从水平约束同垂直约束的内在相关性出发,给出了这两种约束关系的转换方法.在将信号网分配到线轨(Track)中去时,算法着重考虑信号网之间的相对关系,避免过早地确定信号网的绝对位置,从而克服了在选择信号网先后次序时的盲目性.对文献中给出的“标准题目”的计算结果都达到了已知的最好结果.     

超深亚微米集成电路串扰估计及优化

采用RLC模型来估计互连线间的耦合噪声并对模拟结果进行分析,在此基础上,提出了几种不同的算法实现了带串扰约束的集成电路布线结果调整.     

一种适用于模/数混合集成电路的新型低噪声电流控制逻辑

本文给出了一种新型低噪声电流控制逻辑结构，用于在模／数混合集成电路的设计中取代静态CMOS逻辑，以减小数字开关噪声通过衬底耦合对模拟电路性能的影响．在分析了该逻辑的基本工作原理后，本文对电流控制逻辑的逻辑结构，开关特性，噪声特性和功耗及功耗-延迟积等性能与静态CMOS逻辑作了比较，并用电路模拟进行了验证．理论分析和电路模拟的结果都显示，和静态CMOS逻辑相比，新型电流控制逻辑的峰值噪声电流下降了近三个数量级．该逻辑具有很好的设计灵活性和低电压工作性能，并已成功地应用于一个高性能的过采样A／D转换电路中．     

庚烯-1单体单元对胆甾型侧链液晶共聚砜热转变温度的调节

合成并用红外光谱法、核磁共振法和高效凝胶渗透色谱法表征了胆甾（烷）醇十一碳烯酸酯分别与庚烯 １、二氧化硫进行自由基共聚合得到的一系列不同组成的三元胆甾型侧链液晶共聚砜，用温控式偏振光显微镜观测了产物的液晶性能．结果表明：随庚烯 １单体单元组份含量的增加，该三元共聚砜的液晶相转变温度均降低，采用庚烯 １单体参与共聚的方法可以有效地调节胆甾型侧链液晶共聚砜的热转变温度．