W和Si使基质发光材料NaEu(MoO_4)_4发光增强的现象

本文研究了基质发光材料Na_5Eu(MoO_4)_4制备过程中加入H_2WO_4或SiO_2后发光增强的现象.对Na_5Eu(Mo(1-x)W_xO_4)_4体系,当0相似文献   

经典q变形谐振子及其h量子化

通常所谓的量子包络代数可以在经典Poisson括号的意义下实现,以谐振子系统为例,给出U_q(SU(2))的这种经典实现,指出这种q变形伴随着相空间复坐标的Beltrami变形。并讨论了这种经典q变形谐振子系统的量子化,得到在Lie括号意义下的U_q(SU(2))代数。     

掺铜的硫化锌缺陷结构的高分辨电子显微术研究

掺铜的硫化锌为一种重要的发光材料。其发光性能与晶体缺陷有密切关系。利用高分辨电子显微术可以直接观察晶体缺陷结构。硫化锌晶体结构有立方闪锌矿(Z)与六角纤锌矿(W)两种。图1是两种结构共生的高分辨象,分别用Z及W表示相应结构。两者的区别仅在于沿密排方向的原子排列规则不同:闪锌矿结构为ABCABC……(3 R)排列;而纤锌矿结构为ABAB……(2H)排列。象中每一个亮点代表由一个硫原子及一个锌原子组成的原子团。在掺铜的硫化锌晶体中,微孪晶的密度很大.如图2及图3(T)所示。孪晶面为(111)。图3中还有典型的扩展位错(S),位错的柏氏矢量为b=1/6[112]。此外,还观察到有4H、16H、12R、36R等多种长周期     

电压控制微分负阻晶体管

本文阐述了一种新型功率器件——电压控制微分负阻功率晶体管的工作原理、设计原则和工艺流程.这种器件在广泛的应用中显示出明显的优点.我们制造的此类器件被命名为LPT32,它的主要指标是:I_c≥2A,V_(ces)≤0.5V,负阻-R_N≤10Ω,P_c≥25W,V_(ce)≥30V     

EXELFS的测定和分析初探

在电子能量损失谱中电离损失峰高能损失一侧的几百电子伏特范围内,有很弱的振荡信号,被称之为广延精细结构,英文缩写为EXELFS。我们可以从EXELFS获得中心原子的性质及其配位原子的配位距离(即径向分布函数)和原子性质等结构信息。EXELFS的产生原理和分析方法都和EXAFS(X-射线吸收限广延精细结构)有很大相似之处,同时又有许多自己的独到之处。EXELFS适于对非晶态等短程序材料进行结构分析,可以结合电镜上获得的其他信息对材料进行综合分析。近几年来,国外在EXELFS这个领域内开展了不少工作。作者对M.DISKO的EXELFS付立叶分析计算机程序进行了修改和调整;增加了ELS本底扣除,门槛值E_o的确定等程序段,删掉了径向分布函数的低频滤波的程序段;另外,更正了原程序中的几处错误。修改后的付立叶分析程序包括以下几个步骤:     

垂直入射时无限长多层介质圆柱的内,外场计算

本文提出了一种稳定而准确的迭代算法，计算任意多层吸收介质圆柱电磁散射的散射系数ａｎⅡ和ｂｎⅠ及各层内场系数ｃｎ＾（ｊ），ｄｎ＾（ｊ），ｇｎ＾（ｊ），ｆｎ＾（ｊ），给出了它们适合于计算机数值计算的形式和数值结果，该算法对于各种复介电常数和复磁导率以及电尺寸参数均适用。     

80.6MeV16O轰击27Al出射类弹碎片的测量

用大面积位置灵敏电离室测量了80.6MeV¹⁶O轰击²⁷Al时产生的出射类弹碎片, 得到了从Li到Na的能谱、角分布、E-θ平面上的d²σ/dΩdE等高线图及Z分布; 导出了准弹和深部非弹的截面; 并对实验结果进行了讨论.     

一些含磷羟基及巯基化合物三甲基硅烷衍生物的质谱研究

膦酸类化合物由于羟基或巯基的氢键作用挥发度很低,不适宜进行GC分析。本文介绍了四种膦酸类化合物的三甲基硅烷衍生化条件,并以GC-MS法分别研究了它们三甲基硅烷衍生物的质谱裂解特点,为类似化合物的分析、鉴别提供参考。     

隧道场感应结晶体管(TFIJT)的实验研究

本文叙述了一种以隧道场感应结作为发射结的新型晶体管。初步实验表明:器件具有电流增益功能与极低的h_(FE)温度系数,可望制成温度稳定性极高的器件。     

自由能展开式中点群的不可约表示的基函数

一个群的基函数的选择并非唯一，不同的基函数对应不同的表示矩阵。即使相同的表示矩阵，基函数也可以有不同的选择。在相变的宏观唯象理论中， 自由能展开式可由同一个表示矩阵的基函数来构造，因而给出不可约表示的基函数表就非常有意义。现有文献给出的32点群不可约表示的基函数只写到二次幂，而且有些文献中的同一个不可约表示所选取的不同的基函数却对应不同的表示矩阵，这样在构造群变换不变式时，就会出错。该文将基函数表写至三次幂, 这有助于准确、迅速地写出到六次幂群变换不变的自由能表达式。由新的基函数表发现十八种点群有三次幂的群操作不变式, 高温相属这些点群铁电体, 发生的本征铁电相变为一级相变。