Born-Infeld电动力学的U1主丛表述

本文给出了Born-Infeld电动力学的U₁主丛表述,以及检验粒子在Born-Infeld电磁场中的运动方程,检验粒子受到两个力,一个相当于Lorentz力,一个相当于Poincaré压力。     

一类变论域自适应模糊控制器

目前常用的自适应模糊控制器存在控制精度不高和调整时间长等问题.变论域自适应模糊控制器能够显著提高控制精度并缩短其调整时间,但其控制效果对一组完备的初始模糊规则的依赖,限制了其应用的范围.针对上述问题,本文提出了一种推理规则前件论域可变,后件峰点自适应的自适应模糊控制器.Lyapnuov综合分析法证明新的控制器具有全局稳定性,并通过仿真实验表明,新控制器不仅能够提高控制精度,而且较为合理地回避了对初始模糊规则的依赖性,扩展了变论域模糊控制的适用范围.     

Ni-Zr非晶合金晶化的透射电子显微镜研究(Ⅰ) ——Ni67Zr33晶化过程中的亚稳相

利用透射电子显微镜对Ni₆₇Zr₃₃非晶合金晶化的研究发现了两个新的亚稳相T₀与T₁0。其中T₁相为体心正交(准四方〕晶体,点阵常数a≌b=0.89nm,c=3.14nm,空间群为Iba2或Ibam。温度升高,T₁相转变为含有大量错排的A心正交Ni₁₀Zr₂相,用1/2(a+b)位移错排模型可以圆满地解释其电子衍射图中仅h+k为奇数的衍射斑沿c^*方向拉长的现象,晶化稳定相为Ni₁₀Zr,与Ni₂₁Zr₈(Ni₅Zr₂)相。 关键词：     

激光荧光光谱研究Pyrene在SiO_2表面上生成Excimer的机理

用激光荧光法研究了pyrene(芘,嵌二萘)在SiO_2表面上生成excimer(激基缔合物)的机理。在4.2°K温度下,分别用330nm和375nm的激光激发pyrene,可检测到不同的荧光光谱带;在77°K时,分别在392nm和475nm处检测pyrene在SiO_2表面上的激发光谱,也得到不同的激发谱带;说明在实验样品条件下,pyrene在SiO_2表面上有稳定的“静态”eimer存在,当激发这些eimer时,就生成excimer,从而可在475nm附近观察到excimer的特征发射带。然而,不同温度下的荧光光谱又显示出,pyrene吸附在SiO_2表面上除去由dimer受激而直接生成的excimer外,仍有部分“动态”的excimer生成,即由受激的单体pyrene分子在表面通过扩散而和另一个单体pyrene分子形成excimer(就象在溶液中一样)。     

浅谈板书优化艺术

板书是教师讲课时在黑板上所写的文字、公式、符号以及所画的图表,它是整个教学思路和内容的浓缩,是课堂教学的重要一环。板书是艺术,对教学效果有直接影响。板书运用得好,可以将课堂活动的重点按一定的形式有系统、有条理地显现在黑板上,帮助学生很好地突破难点、掌握重点,调动学生学习积极性,培养学生的思维能力。     

Bulk viscosity of hot dense Quark matter in the PNJL model

Starting from the Kubo formula and the QCD low energy theorem, we study the the bulk viscosity of hot dense quark matter in the PNJL model from the equation of state. We show that the bulk viscosity has a sharp peak near the chiral phase transition, and that the ratio of bulk viscosity over entropy rises dramatically in the vicinity of the phase transition. These results agree with those from the lattice and other model calculations. In addition, we show that the increase of chemical potential raises the bulk viscosity.     

自然序Dubreil-Jacotin富足半群

本文考虑Ｄｕｂｒｅｉｌ－Ｊａｃｏｔｉｎ富足半群,给出若干特征后,建立了自然序Ｄｕｂｒｅｉｌ－Ｊａｃｏｔｉｎ富足半群的结构,作为应用,给出了具有正则性条件的自然序Ｄｕｂｒｅｉｋｌ－Ｊａｃｏｔｉｎ富足半群的结构,并将结果推广到具有最大幂等元的自然序的偏序富足半群上。     

硅烷外延的快速生长

硅烷外延具有生长温度低、生长过程中无可逆反应、自掺杂程度轻等许多优点,获得了广泛应用。但由于硅烷气体的气相成核作用,外延生长速度缓慢。在典型的生长条件下,如1050℃、载气线速度7cm/s、硅烷分压0.35×10~(-2),生长速率仅为0.4μm/min。而四氯化硅外延,在相当于同样的工艺条件下,生长速率可达1μm/min。这样,从效率和成本来看,硅烷外延不如四氯化硅外延合算。因此,如何抑制硅烷气体的气相成核作用,提高硅烷外延的生长速率,乃是国内目前硅烷外延研究的方向。