基于G.729语音编码非零脉冲位置信息的隐藏算法

VoIP以语音流为传输媒介,具有传输数据量大和应用广泛的优点。但VoIP系统也面临数据安全和隐私泄露的安全威胁。针对编码标准G.729固定码本搜索的非遍历特性和具有一定冗余性的特点,该文提出基于G.729语音编码非零脉冲位置信息的隐藏算法。该算法在固定码本搜索过程中,利用秘密信息控制码本的搜索过程,并在非零脉冲位置和秘密信息之间构建函数进行信息隐藏。在搜索过程中利用最不重要脉冲替换思想并采用最小化失真准则控制由秘密信息的嵌入带来的音质失真。实验结果表明：算法隐藏容量可达400 bit/s,算法具有良好的隐蔽性(PESQ平均值约为3.45)。     

真空不空

在物理学中,真空是一个非常古老的概念。一方面,相对论的诞生摒弃了经典物理学中的真空中充满以太的概念,另一方面,量子力学的建立,又赋予了真空非常丰富的物理内容。作者将综述在相对论量子力学、量子场论以及量子信息学的视角下,所揭示的真空的各种结构和特性。不难发现,真空的量子理论,在现代物理学诸多领域中占有非常重要、甚至是根本性的地位;而且对于真空本质的进一步深入研究,将有可能带来量子物理学新的革命性的发展。     

双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量

采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6峰值电流跨导约为3×10-4 S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.     

并行矢量有限元法分析新型波导侧面馈电天线

采用并行矢量有限元区域分解法对一种新型波导侧面馈电天线进行有效的分析。计算中采用矢量棱边元消除传统节点有限元存在的伪解问题。当所分析的天线规模较大时,在普通单台计算机上采用传统有限元方法分析会面临着内存不足和效率不高的问题,引入一种非重叠型矢量有限元区域分解法有效地克服了这一问题。该方法将原始大型求解区域划分成一系列小的子区域单独求解,具有很高的可并行性,从而大大缓解了内存需求,提高了计算效率。通过对一种新型波导侧面馈电天线的分析,验证了这种方法的精确性和有效性。     

一种可编程电压基准源设计与实现

提出了一种新的基于改进的电流模式带隙基准源的可编程基准源的设计与实现方法.电路采用Chartered 0.35μm 工艺仿真并流片.测试结果表明,温度变化范围为0～100℃,温度系数为±36.3ppm/℃(VID=11110).电源电压变化范围为2.7～5V,其相对变化值为5mV.当VID0频率为125kHz时,瞬态响应最大毛刺幅度约为20mV.5位VID码不同的输入状态,输出基准电压从1.1变到1.85V,变化步长为25mV.     

基于单片机的指纹识别电子密码锁设计

本设计以51单片机作为指纹识别电子密码锁的检测和控制核心,采用矩阵键盘输入设置好的密码和利用事先添加的指纹两种解锁方式。系统采用LCD12864液晶显示屏实时显示通过矩阵键盘实现的功能信息,其中还设置了修改密码的功能,同时在解锁或修改原始密码时发现自己不小心按错,可以进行退格操作;尤其发现旁边有其他人或者不想输入密码可以进行退出输入,更大程度上的确保了指纹密码锁的安全性。     

GaAs基RTD与MSM光电集成

报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属-半导体-金属光电探测器(MSM PD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明:RTD器件的峰谷电流比为4;由于改进了在半绝缘GaAs衬底上制作MSM的方法,5V偏压下的电流由原来的2μA增加到了18μA,基本实现了两种电路的逻辑功能.     

用于喇曼放大的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达

研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带有零反偏pin结构的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达式,该解析表达式与他人的实验结果相符.结果表明,比起不带pin结构的波导,带有零反偏pin结构的波导中的自由载流子寿命最多可以缩短80%.同时,研究了pin结构外加反偏电压时,自由载流子寿命进一步缩短的原因,并从强场下自由载流子速度饱和的角度出发,得到了自由载流子寿命的理论极限值.最后,模拟了不同自由载流子寿命情况下SOI脊形波导的喇曼净增益随着输入泵浦光功率密度的变化曲线,为硅基喇曼放大器的进一步研究指明了方向.     

平面型RTD及其MOBILE的设计与研制

鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+ GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.     

基于局域操作下的两量子比特混态纠缠蒸馏实验研究

最大纠缠态在量子信息传输和处理过程中是最重要的资源之一,因此从退化的纠缠态中提炼出最大纠缠态一直是量子信息基础研究中的一个重要课题.根据Verstraete F 等人在Phys. Rev. A,2001,64：010101(R) 上提出的有效的方法,文章作者在实验上证明了基于局域操作下的两种形式的两量子比特混态纠缠蒸馏最佳协议.从原则上讲,文章的实验也可以容易地应用于任意两量子比特部分混合态的纠缠蒸馏.此外,作者还对经过蒸馏的第一类混合量子态进行Clauser-Horne-Shimmony-Holt（CHSH）不等式的检测,以验证它的“隐藏非局域性”.