拉曼光谱研究n型4H-和6H-SiC晶体的载流子浓度

半导体材料的纵光学声子与等离子体激元耦合模(LOPC模)能够提供材料电学方面的相关信息。本文在室温下测得了n型4H-和6H-SiC的拉曼光谱,分析了掺入的杂质对于SiC晶体拉曼光谱的影响,通过拟合n型4H-和6H-SiC晶体的LOPC模的线型得到等离子体频率,并由此从理论上计算了载流子浓度。载流子浓度的理论计算值与霍尔测量的结果符合得很好。研究结果进一步证实了对于n型4H-和6H-SiC晶体,可以通过分析LOPC模的线形来较准确地给出相关材料的载流子浓度。     

无紫外光照射下n型15R-SiC及6H-SiC晶体的电化学腐蚀

本文在无紫外光照射下通过电化学腐蚀法制备了多孔n型15R-及6H-SiC,并用扫描电子显微镜(SEM),拉曼散射及X射线衍射仪(XRD)对多孔层的结构进行了分析。结果表明:晶体的晶型及氧化条件等因素对多孔结构有较大影响。首次观察到多孔n型15-SiC的半圆管状结构,其孔隙率约是66%。     

基于网络特性的NB-IoT覆盖能力评估研究

NB-IoT是LPWA的主要解决方案,其具有鲜明的技术特点,以广覆盖、大连接、低功耗和低成本的特点成为目前物联网的主流技术之一。文章主要介绍了NB-IoT的网络特性,针对NB-IoT网络覆盖能力强的特性进行介绍和分析,并且对NB-IoT网络在实际应用过程中覆盖能力的评估方法进行介绍和总结。     

拉曼光谱方法研究SiC晶体的晶型

本文采用拉曼光谱方法对改进Lely生长法制备的SiC单晶的结构进行了分析,结果表明:晶体的结构为6H,样品的内部缺陷较多,其中存在4H-SiC。另外我们还测量了SiC晶体的高阶拉曼谱,并对其进行了分析归属。从分析结果来看拉曼光谱是研究SiC的晶体结构和生长质量有效快捷的方法。     

Ho替代Y的YBCO外延薄膜制备及超导电性

利用直流磁控溅射技术制备了Ｈｏ替代的ＹＢＣＯ超导薄膜，Ｘ射线技术（θ－２θ扫描：θ－θ扫描及—扫描）、ＳＥＭ和电子通道花样（ＥＣＰ）测试表明，所制备的掺杂薄膜具有高平面内外延性和平面外外延性。发现掺杂薄膜的临界电流密度Ｊｃ比ＹＢＣＯ薄膜的有不同程度的提高，掺杂量ｘ＝０４时有最大值。