X射线双晶衍射在微波半导体器件中的应用

通过Ｘ射线动力学理论计算的晶体摆动曲线与测试实验曲线的比较给出外延薄膜材料的结构，为器件研制了工作提供了有用的数据，证明运用Ｘ射线动力学理论计算计算机拟合能为薄膜材料成分和厚度提供无损检测手段。     

DETERMINATION OF THE OXYGEN CONTENT IN YBa2Cu3O7-y FILMS

A method for determination of the oxygen content (y) in YBa₂Cu₃O_7-y films has been established, in which the lattice conetant difference (b-a) of the films was measured and used to fit the function of (b-a) vs y for the experimental data of bulk YBaaCuaO?-y given in the literature. It is suggested that the function of (b-a) vs y can indeed be used in the case of film. In this process the twin structure of the YBa₂Cu₃O_7-y films was used.     

用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量

介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用。对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分布特点和多峰聚集区。结合表面缺陷测试仪和偏振光显微镜测试方法,对因螺旋生长产生的晶界分布聚集区以及边缘高应力晶界聚集区进行了表征。二者测试结果与HRXRD摇摆曲线面扫描的结果一致。对多片样品在不同区域使用不同测试方法得到的结果均验证了HRXRD摇摆曲线面扫描可以宏观识别晶畴界面聚集区,清楚辨别出位于晶片中心附近由于螺旋生长面交界形成的晶畴界面,以及位于晶片边缘、受生长热场影响晶粒畸变产生的高应力晶畴界面。     

YBCO双外延结的X射线Φ扫描分析

用射频磁控溅射法在（１００）ＳｒＴｉｏ３单晶衬底上外延生长ＭｇＯ导引层，光刻刻蚀去一半后沉积生长ＣｅＯ２外延膜，再直流溅射外延生长ＹＢＣＯ超导膜，得到了４５°转向结。用Ｘ射线θ－２θ扫描和φ扫描研究了各外延膜的结构和取向。     

碲镉汞晶体质量快速评价及X射线衍射仪对完全未知晶向晶片的定向技术

本文提出一种用X射线衍射仪和样品旋转附件对碲镉汞结晶质量快速评价及对完全未知晶向晶片定向的方法,通过与双衍射摆动曲线法比较,证明该法是可行的。