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892.
893.
采用SXRD,HRTEM,FTIR,SEM和氮气吸附等测试手段对膜结构、形貌、孔径及其分布进行了表征.SXRD和HRTEM结果显示,所制备的膜具有短程有序结构.SEM分析发现膜表面完整.气体渗透实验表明,担载膜具有一定的气体选择性,在0.1MPa下对H2/N2和CH4/N2的分离因子分别为2.25和1.56,气体透过膜孔的扩散由努森机制所控制.等温氮气吸附实验显示,经500℃热处理后氧化硅膜的最可几孔径小于3.34nm,非担载膜的比表面积为919.8m2/g,孔容为0.43mL/g. 相似文献
894.
本文通过建立滞后型脉冲泛函微分方程饱和解的存在唯一性定理,在广义常微分方程与滞后型脉冲泛函微分方程等价的基础上,研究了滞后型脉冲泛函微分方程关于一致有界性的Lyapunov逆定理. 相似文献
895.
设计一款可在室内机房环境条件下工作,总热耗约为2 700 W,结构紧凑、散热方式简单、散热效果良好,可安装在19寸机柜内的功放单元。依据该功放单元工作原理、内部器件布局、热耗,综合考虑散热与结构要求,设计一种采用组合插片散热器强迫风冷的方案。通过功放模块和电源分组固定安装在分层的3个插片散热器上,同时与设备侧壁形成完整的风道的方式,实现了功放单元的强迫风冷散热;并对该设备进行了热传导与散热理论计算,同时运用仿真软件建立模型,进行数值分析。数值仿真结果显示,该功放单元正常工作热交换达到平衡状态时,功放模块外壳最高温度为64.2℃,满足设计要求。通过实物样机验证了该功放单元基于组合插片散热器结构设计方案的可行性,以及计算、仿真方法的合理性、正确性。 相似文献
896.
Si基外延GaN中缺陷的腐蚀研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用KOH:H2O=3:20~1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高. 相似文献
897.
十种以碱性染料制备的PVC膜ReO4-离子选择电极——碱性染料结构对ReO4-电极性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
本文以不同碱性染料制备了十种PVC膜ReO4-离子选择电极,测试和比较了它们的性能,筛选出六种较优者,并根据其差别初步探讨了碱性染料结构对ReO4-电极性能的影响. 相似文献
898.
针对基础yolov5算法检测钢管焊缝缺陷因缺陷目标小、背景复杂造成检测精度不够、特征提取不充分、速度慢的问题,提出了一种改进yolov5检测算法.首先,采用递归门控卷积gnConv替换网络中普通的卷积层,增强了模型空间交互能力,实现对特征的高效提取,间接提高了检测速度;其次,使用ASPP(Atrous Spatial Pyramid Pooling)模块替换基础算法中使用的SPP模块,在扩大了感受野范围的同时提高了检测速度;最后,在网络的预测端添加全局注意力机制GAM(Global Attention Mechanism)进一步加强特征提取,提高检测的精度.实验结果表明,改进的算法mAP达到了92.7%,比原算法提升了2.1个百分点,速度为50.8 f/s,满足钢管焊接缺陷检测的精度和实时性要求. 相似文献
899.
由于在MIMO-OFDM系统中有多个发射和接收天线,并且每个接收天线都能接收到所有发射天线的信号,当各个收发天线之问的子信道延迟不同时,在每个接收天线端的帧同步检测就会受到其他天线发射同步信号的干扰。为了解决这个问题,我们提出了一种MIMO-OFDM系统的帧同步的设计方法及相应同步器的硬件结构设计。该同步单元可以实现时域和频域的同步,其中时域的同步是通过一组ZCZ码的匹配滤波器实现的,而频域的同步是通过同步帧的训练符号实现的。并且在Altera's公司的FPGA开发板上实现了同步器的硬件设计。 相似文献
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