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71.
Coliins低能诱导6179Hfm^m2辐射衰变“正”面实验结果受到质疑的原因之一是未能确定出诱导实验的中间激发态。^178Hf核能级结构的实验数据表明:距同质异能态^178Hf^m2(2.446Mev)最近的一条能级是2.573MeV(K^π=14^+)。因此,详细计算^178Hf核2.44-2.6MeV范围内高自旋、高激发核能级结构,对寻找低能诱导^178Hf^m辐射衰变中间激发态,分析低能诱发辐射实验可行性非常必要。 相似文献
72.
73.
研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带有零反偏pin结构的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达式,该解析表达式与他人的实验结果相符.结果表明,比起不带pin结构的波导,带有零反偏pin结构的波导中的自由载流子寿命最多可以缩短80%.同时,研究了pin结构外加反偏电压时,自由载流子寿命进一步缩短的原因,并从强场下自由载流子速度饱和的角度出发,得到了自由载流子寿命的理论极限值.最后,模拟了不同自由载流子寿命情况下SOI脊形波导的喇曼净增益随着输入泵浦光功率密度的变化曲线,为硅基喇曼放大器的进一步研究指明了方向. 相似文献
74.
研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度. 相似文献
75.
众所周知.下行(正向)通道目前主要是用以传输基本业务和扩展业务.上行(反向)通道主要是用以传输扩展和增值业务.只有上下行通道都很好地运作起来.有线电视传输网络才能称为真正意义上的信息高速公路。要想使其成为真正意义上的信息高速公路.上行通道的优劣点占有十分重要的地位.起着极为重要的作用。下面就上行通道的构成、链路损耗与噪声的调试方法.谈一点个人浅见.与同行们交流。 相似文献
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77.
78.
79.
嵌入式操作系统是一种用途广泛的系统软件,负责嵌入系统的全部软、硬件资源的分配和调度工作,它必须体现其所在系统的特征,能够通过装卸某些模块来达到系统所要求的功能。随着Internet技术的发展、信息家电的普及应用及嵌入式操作系统的微型化和专业化,嵌入式操作系统开始从单一的弱功能向高专业化的强功能方向发展。 相似文献
80.
Aiming to provide an appropriate number K of clusters, in this paper, we propose a new criterion function - H criterion function, whose three properties have also been proved. We validate the performance of the H criterion function on one artificial dataset and three real-world datasets, and the results are almostly consistent with a previous method. The nonparametric criterion we proposed is intuitive, simple and the computational cost is acceptable. 相似文献