自动化仪表的技术特点及维护措施研究

随着我国工业化水平的不断提高,工业生产过程中自动化设备开始广泛应用.特别是自动化仪表在工业生产过程中具有不可替代性,发挥着非常重要的作用,因此需要做好自动化仪表的维护工作,保证自动化仪表运行的稳定性,降低其故障发生率,使其更准确的完成测量任务.文中分析了自动化仪表的技术特点,并进一步对自动化仪表的维护措施进行了具体的阐述.     

一种半桥LLC高压电源设计与实现

设计一种基于半桥LLC谐振变换器的高压电源,其基本结构包括逆变电路、谐振电路、倍压整流电路和反馈控制电路,可用于微波功率模块集成电源。为实现高压电源的高效率,详细分析了半桥LLC谐振电路中场效应管零电压开启的实现条件,并给出了实现该条件所需电路关键参数的计算方法。通过计算机仿真辅助优化电路参数,降低了场效应管和变压器的损耗。最后,研制了一台高压电源原理样机,其输出电压为-3 000 V,满载输出功率为300 W,在245～300 V输入电压范围内效率大于96%,峰值效率为97.5%。     

理论分析毫米波螺旋线行波管慢波系统导体和介质损耗

该文基于夹持杆分层螺旋带模型和3维电磁场模型分析,详细研究了毫米波螺旋线行波管慢波系统的导体和介质损耗。螺旋带模型中介质损耗考虑为纵向传播常数的虚部,给出电磁场的解析解,导体损耗由螺旋线和管壳表面的面电流不连续性获得。3维电磁场模型分析通过本征模法,求解单周期结构的品质因数和周期储能,获得有限导电率导体和夹持杆陶瓷损耗角带来的慢波系统高频损耗。结果表明,毫米波段螺旋线的导体损耗和夹持杆的介质损耗远大于管壳导体损耗,介质损耗与陶瓷损耗角呈线性关系,对高频损耗的影响不可忽略。     

毫米波静电聚焦行波管电子光学系统的设计

介绍了静电聚焦方式在毫米波行波管中的独特优势,分析了周期静电聚焦场的建立方法。基于某Ka波段行波管,首先根据指标要求设计了强流电子枪并选择类梳齿状结构作为其慢波电路,然后对电子枪和类梳齿状慢波电路组成的电子光学系统进行了模拟计算,最后对慢波电路的关键尺寸进行了容差分析。结果显示,在周期静电场的作用下,电子注全部平稳地通过了慢波系统。良好的静态通过率为后续高效率的注-波互作用奠定了基础,证明了利用静电场聚焦毫米波行波管中大电流密度电子注的可行性。     

Impact of AlxGa1-xN barrier thickness and Al composition on electrical properties of ferroelectric HfZrO/Al2O3/AlGaN/GaN MFSHEMTs

Ferroelectric (FE) HfZrO/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack AlGaN/GaN metal-FE-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MFSHEMTs) with varying Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N barrier thickness and Al composition are investigated and compared by TCAD simulation with non-FE HfO$_{2}$/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack metal-insulator-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MISHEMTs). Results show that the decrease of the two-dimensional electron gas (2DEG) density with decreasing AlGaN barrier thickness is more effectively suppressed in MFSHEMTs than that in MISHEMTs due to the enhanced FE polarization switching efficiency. The electrical characteristics of MFSHEMTs, including transconductance, subthreshold swing, and on-state current, effectively improve with decreasing AlGaN thickness in MFSHEMTs. High Al composition in AlGaN barrier layers that are under 3-nm thickness plays a great role in enhancing the 2DEG density and FE polarization in MFSHEMTs, improving the transconductance and the on-state current. The subthreshold swing and threshold voltage can be reduced by decreasing the AlGaN thickness and Al composition in MFSHEMTs, affording favorable conditions for further enhancing the device.     

耦合腔高频特性的单腔模型研究与应用

在耦合腔结构的高频特性模拟中,基于准周期边界条件法建立的双腔模型,由于两端电场的边界条件完全相同,导致了伪解的出现。本文建立了单腔仿真模型,消除了伪解存在的边界条件,避免伪解的出现。在保证求解精度的基础上,网格数目减少了 62%,总计算时间缩小了 56%,一次性生成色散曲线和耦合阻抗曲线,提高了色散和耦合阻抗的数据处理效率,为高频结构参数优化提供了更有效的途径。采用单腔仿真模型,模拟分析了各结构尺寸对高频特性的影响。     

电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究

铸造单晶硅太阳电池由于性价比高,在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象,采用现有工业生产的电注入退火方法,分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明:经180℃的电注入退火处理,电池效率的变化率为-0.64%,经60kW·h的光照后,电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后,电池效率提高1.12%,且经60kW·h的光照后,电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明,260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理。     

杨氏干涉双曲线条纹的实验观察

杨氏双孔干涉实验是物理光学史中著名的实验．其意义在于有力地证明了光的波动性，并首先在应用方面完成了对光波波长的测量．我们结合物理实验教学，设计一简易的实验装置，不仅可以观测杨氏双孔所产生的直线条纹，也可以观测到在非近轴条件下的双曲线条纹．一、原理杨庄四刀立验县中分钟降而技得相干件而实现干涉的实验．如图1所示，点光源S发出球面波，被两小孔S；和S。（S；和S。相距很近，且到S等距）由同一波阵面分割出的相干光，在屏上P（x，y，z）点相遇，则光程差j为消去式中根号，化简便得到等光程差面的方程（2）式表明等光程…     

LaNi5热力学性质的全电子计算

本文利用广义梯度近似(GGA)密度泛函和全势能线性缀加平面波(FLAPW)方法,计算给出了LaNi5和LaNi5H7的晶体结构、生成焓、价电子轨道分布;晶体结构和焓与试验值作了对比,结果合理、可行;La原子与2c格位Ni原子的成键较强于La原子与3g格位Ni原子的成键,所以LaNi5晶体各向异性特征较为明显;并简单分析了这些性质与LaNi5合金的稳定性、循环寿命的关系.     

宽带通过式大功率收发开关

宽带大功率收发开关一文主要叙述了这种开关的设计和方案选择,几个关键技术问题的解决及试验结果。