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861.
862.
863.
Improvement of the light output and contact resistance of InGaN-based light-emitting diodes based on tantalum-doped indium tin oxide as p-type electrodes 下载免费PDF全文
This paper reports that highly transparent and low
resistance tantalum-doped indium tin oxide (Ta-doped ITO) films
contacted to p-type GaN have been prepared by the electron-beam
evaporation technique. The Ta-doped ITO contacts become Ohmic with
a specific contact resistance of $\sim 5.65\times 10^{ - 5}$~$\Omega
\cdot$cm$^{2}$ and show the transmittance of $\sim $98% at a
wavelength of 440~nm when annealed at 500~\du. Blue light emitting
diodes (LEDs) fabricated with Ta-doped ITO p-type Ohmic contact layers
give a forward-bias voltage of 3.21~V at an injection current of
20~mA. It further shows that the output power of LEDs with
Ta-doped ITO contacts is enhanced 62% at 20~mA in comparison with
that of LEDs with conventional Ni/Au contacts. 相似文献
864.
为了提高数字图像相关法的抗噪声能力,分析了灰度梯度计算误差对数字图像相关法测量精度的影响,提出采用Tikhonov正则化方法计算图像灰度梯度,进而通过反向组合高斯-牛顿(IC-GN)法计算图像的亚像素位移;基于数值仿真散斑图研究灰度梯度的相对计算误差,并分析采用Tikhonov正则化方法计算图像灰度梯度后,改进数字图像相关法的测量精度,结合实验验证所提方法在实际噪声环境中的抗噪声能力。结果表明:灰度梯度对数字图像相关法测量精度有较大影响,而采用Tikhonov正则化方法后,可以有效提高数字图像相关法的测量精度与抗噪声能力。 相似文献
865.
采用面阵CCD作为光电成像元件,设计了一种用于动态目标跟踪的新型面阵CCD成像系统.利用分光棱镜的分光效应,将两片CCD分别放置在空间分离的两个像平面上,从而保证在目标分辨率不变的情况下使视场角增加一倍,满足了大视场搜索目标的要求.整个系统采用现场可编程门阵列(FPGA)作为核心控制器件,利用FPGA片上RAM实现两路图像的缓存与合成,合成图像输出延迟仅为32μs,满足实时跟踪的需要.依据系统辐射定标数据,通过变换增益和偏置实现CCD光电响应度的调整,消除了两幅图像拼接处的接缝. 相似文献
866.
本文设计了一种高精度电压采样电路,为了实现高精度采样,在普通采样电路的基础上增加了调理电路,并介绍调理电路的组成及设计方法。同时,为了保证采样信息的准确稳定,本文进一步设计了三选中冗余电路,保证在一路采样信息失真的情况下,可得到正确的采样值,并对三选中冗余电路进行了电压无损设计,确保了采样信息的真实性。两种电路均采用纯模拟设计,较数字电路有更强的抗干扰能力,在精密电压测量、航天电源等有特殊要求的领域有着广泛的应用前景。最后,通过仿真分析验证了本文提出的设计方法可精确实时跟踪采样电压,在电压恒定的情况下及电压有高频波动等情况下均能正常工作,通过三选中冗余电路可实现一路容错功能。 相似文献
867.
激光热丝焊热输入小,填丝效率高,焊缝熔合比小,特别适合于表面堆焊及厚板的窄间隙焊接,如何获得稳定的焊丝过渡是其关键问题。采用高速摄像观察了不同工艺参数下的焊丝过渡行为,将其分为滴状过渡、熔断过渡、连续过渡、顶丝过渡4种类型,连续过渡是稳定的焊丝过渡,是获得良好焊缝成形的前提。不同焊丝过渡行为的区别表现为焊丝熔化位置不同,这是由焊丝获得热量的大小不同所导致的。获得稳定焊丝过渡的工艺控制原则是:电阻热小于焊丝熔化热,且电阻热与熔池传热之和大于焊丝熔化热。通过理论推导对熔池外焊丝温度进行了计算,发现当电阻热将熔池外焊丝加热至接近熔点时,有利于获得稳定的焊丝过渡。 相似文献
868.
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定。基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小。Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。 相似文献
869.
870.
目的:评价Nd:YAG激光治疗人工晶体(IOL)前膜的临床疗效。方法:回顾性分析Nd:YAG激光清除IOL前膜共68例80眼,激光参数:单次脉冲能量0.6~2.8m J,击发次数15~124次。结果:74眼(92.50%)一次性击射、清除成功。经过3月~3年的随访,激光术后最佳矫正视力提高至0.6~1.5,患者术前、术后视力统计学差异显著(P<0.001)。术后并发症有虹膜出血、IOL表面细小击痕和玻璃体前界膜破裂,均对视力无影响。结论:Nd:YAG激光是治疗IOL前膜安全而有效的方法,适应证选择和准确操作是保证疗效的关键。 相似文献