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The conformal mapping of an electric field has been employed to develop an accurate parasitic capacitance model for nanoscale fin field-effect transistor(Fin FET) device. Firstly, the structure of the dual-layer spacers and the gate parasitic capacitors are thoroughly analyzed. Then, the Cartesian coordinate is transferred into the elliptic coordinate and the equivalent fringe capacitance model can be built-up by some arithmetical operations. In order to validate our proposed model, the comparison of statistical analysis between the proposed calculation and the 3D-TCAD simulation has been carried out, and several different material combinations of the dual-k structure have been considered. The results show that the proposed analytical model can accurately calculate the fringe capacitance of the Fin FET device with dual-k spacers. 相似文献
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近年来, 激光测量系统(LMS)在各个研究领域中的应用日益增多。基于激光的距离测量技术具有较高的精度和速度,方向性好,能够以较高的频率提供分辨率高、准确性好的距离信息。常用的二维脉冲式激光传感器,测量到的有限长数据序列是一个关于环境的扫描平面。其测量数据的获取质量受到诸多环境因素影响。文中基于LMS 221激光传感器的应用,对不同材质物体的测量进行了误差分析,总结了由于物体表面特性、漂移和距离等因素对测量精度造成的影响。通过分析不同材质的测量数据,可有效地对测量物体进行大致分类,并对检测的误差进行补偿以提高测量精度。 相似文献
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本文选取原子簇模型, 用从头算UHF方法优化几何构型, 并进行二级MΦller-Plesset微扰(MP2)相关能计算, 研究了丙烯在MoO3和WO3表面的吸附态结构。优化得到的吸附前后的几何构型及计算的原子净电荷和吸附能都一致地表明,WO3对丙烯的吸附作用强于MoO3; 丙烯均用π成键电子向中心原子Mo或W配位而被吸附在MoO3的缺氧表面, 使丙烯中的碳-碳双键减弱致使容易断裂, 进而起到促进歧化反应的作用。从MP2计算的WO3对丙烯的吸附能0.934eV大于MoO3对丙烯的吸附能0.506eV及吸附过程均不必翻越能垒, 还可以定性理解用WO3作催化剂时的丙烯歧化反应的最佳温度(675K)高于用MoO3作催化剂(均以Al2O3为载体)的最佳反应温度(480K), 且WO3在675K时的催化活性高于MoO3在480K时的活性。 相似文献
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