一种直线感应电机的电磁场有限元分析

直线感应电机目前已经在地铁、轻轨等轨道交通中得到了很好的应用，在高速交通系统和其它一些游乐设施中也有光明的前景。本文针对正在建设中的直线电机综合测试试验台所用的直线电机，通过合理简化的方法建立了MAXWELL2一D仿真模型，同时也介绍了该类电机的结构和其传统等值电路。通过对有限元仿真结果与直线电机等效电路的计算值比较研究，发现用这两种不同方法得出的直线电机牵引力值和初级电流值非常接近，从而验证了仿真的正确性，仿真结果对今后控制系统的优化有着重要意义。     

奇梦达在苏州设立新存储产品研发中心

奇梦达公司近日宣布将在苏州设立一家新的专门开发存储产品的研发中心。这家新的研发中心将帮助奇梦达实现扩大和多样化产品组合的目标。奇梦达总裁兼CEO罗建华表示:"苏州是中国七大国家级集成电路产业基地之一,苏州的IC产业对中国非常重要,它的销售收入已经达到146亿人民币,占全国IC生产的16%。这是我们选择苏州作为奇梦达新的研发中心地点的原因。"苏州研发中心是由     

气体摆式倾角传感器流场影响因素分析

理论分析了密闭腔中自然对流气体稳态下的温度场和速度场对热敏丝的影响,给出了热敏丝电阻随温度和速度的变化关系。利用ANSYS软件计算了二维密闭腔体中点热源引起的速度场和温度场,并用流场计算结果定量分析了倾角变化时热敏丝电阻的变化。结果表明,热源所产生的温度场对热敏丝电阻的影响比速度场大近3个数量级,即对热敏丝电阻的变化起决定作用的是温度场而不是速度场。实验表明,电桥输出电压变化规律与数值计算结果基本一致。     

温度对Al0.5Ga0.5As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响

采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了－10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明：随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出：该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义.     

基于无线传感器网络技术的收视率调查系统

通过对收视率调查方法的比较和学习，提出一种基于无线传感器网络的收视率调查系统，通过无线传感器节点将调查对象的特征参数提取，并对特征参数进行数据融合和压缩处理，然后通过汇聚节点将数据通过以太网传输到后台服务系统。利用一个辅助的系统和后台服务系统相结合来提供调查样本的自然和社会属性，使得调查数据更全面。整个系统在调查过程中对用户没有任何影响，并且无需占用用户的电话线或者使用IC卡来收集信息。该系统能够实时有效地对调查样本进行调查，并对调查样本不产生任何的影响，保证了调查数据的客观性和系统的非入侵性。     

氟化物、氟磷酸盐和磷酸盐玻璃中Er3+离子的发光研究

测定了氟化物、氟磷酸盐和磷酸盐玻璃中Er³⁺离子的吸收、荧光和激发光谱,解释了基质玻璃对Er³⁺离子发光的影响。进一步研究了在这三种基质玻璃中Er³⁺离子发光的浓度效应和温度效应,讨论了Er³⁺离子内和离子间的能量转移过程。 关键词：     

结构分析中的综合离散法

本文提出了一个结构分析的新方法——综合离散法,它是将近代有限元法与经典Ritz 法相结合而产生的一种方法.文中引入了节点位移模式的概念,并就薄板弯曲问题指出建立节点位移模式的两个途径:一维综合与二维综合.本文应用综合离散法,计算了某些边界条件下薄板弯曲的静力、动力及稳定问题,数值计算结果是令人满意的.     

一道错解例题引发的探究性教学

南方出版社出版的高中学业水平考试达标测评丛书《系统集成》（2014年湖南省专用）第64页有这么一道例题： 题目设函数f（x）=a·b,其中向量a=（cos2x＋1,1）,b=（1,3（1/2）sin 2x＋m）.（1）求f（x）的最小正周期;（2）当x∈[0,π6]时,-4〈f（x）〈4恒成立,求实数m的取值范围．     

基于磁圆二向色谱的单层MoS_2激子能量和线宽温度依赖特性

以二硫化钼(MoS_2)为代表的过渡金属硫属化物属于二维层状材料,样品可以薄至单层.单层MoS_2是一种直接带隙半导体,在纳米逻辑器件、高速光电探测、纳米激光等领域具有广阔的应用前景.在实际应用中,温度是影响半导体材料能带结构和性质的主要因素之一.因此研究单层二维材料能带的温度依赖特性对理解其物理机理以及开展器件应用具有重要的意义.目前,在广泛采用的测量单层MoS_2反射谱的研究中,激子峰往往叠加在一个很强的光谱背底上,难以准确分辨激子的峰位和线宽.基于自行搭建的显微磁圆二向色谱系统,研究了单层MoS_2在65—300 K温度范围内的反射谱和磁圆二向色谱,结果表明磁圆二向色谱在研究单层材料激子能量和线宽方面具有明显的优势.通过分析变温的磁圆二向色谱,得到了不同温度下的A,B激子的跃迁能量和线宽.通过对激子能量和线宽的温度依赖关系进行拟合,进一步讨论了声子散射对激子线宽的影响.     

ZnO/A1lN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究

用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜.引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配.薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及AlN(000l)的衍射峰.ZnO/AlN/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195 nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460"和1105";干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20 cm-1;3 μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5 nm激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h.低温10 K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线.所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入AlN为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量.