完全群的几个例子

设G是一个群。G到其自身的一个满单映射σ称为G的一个自同构,如果对任意G_1,g_2∈G有(g_1g_1)~σ=g_1~σg_2~σ。群G的自同构的全体对映射乘法形成一个群,称为G的自同构群,记作Aut G。特别,对任意α∈G映射是G的一个自同构,它称为由G中的元素α所决定的群G的内自同构。我们知     

InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究

通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进行了比较和分析.实验结果表明,气态源分子束外延材料具有良好的均匀性;氮化硅钝化器件总体性能上优于聚酰亚胺钝化器件.引线封装实验显示,SiN钝化膜有较好的抗冲击和热稳定性,具有更好的工艺相容性.     

铁氧体薄膜环行器的设计

介绍了采用铁氧体薄膜的微带环行器的工作原理、结构以及环行器阻抗匹配网络。对环行器进行了分析以及设计。在Ansoft公司的仿真软件HFSS中建立了环行器的模型进行了仿真,并对各个部分尺寸进行了优化。设计的薄膜环行器铁氧体薄膜厚度为10μm,在X波段（9.67～9.68GHz）可以达到插损低于1dB,隔离度大于20dB的设计要求。     

用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料

本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10~(14)～1.2×10~(19)cm~(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10~(14)cm~(-3),μ_(77)=8.47×10~4cm/V.s。深入研究了Be反扩散所引起的E-B结和B-C结偏位的抑制。并给出了用该材料研制出的HBT单管(β=50,f_T=7.5GHz,在2GHz下,G=13dB)和NTL及CML倒相器逻辑单元电路(其中NTL在电流电压2V下,逻辑摆幅为20mV)的结果。     

三甲基苯基六氟磷酸铵离子液体结构性质的密度泛函研究

离子液体以其独特性质广受关注,人们对其潜在的利用价值做了大量的研究.本文采用密度泛函（DFT）B3LYP/6-31（d）的方法计算了三甲基苯基六氟磷酸铵离子液体的几何和电子结构,对比了三种不同的优化结构.通过自然键轨道（NBO）分析,得到各原子的电荷分布,并用二阶微扰稳定化能分析了阴阳离子间相互作.结果发现:阴离子分布在阳离子周围的三个区域,所有离子对中阴阳离子间有电荷的转移,且都存在多重氢键作用,阴阳离子间的电荷转移主要是通过LP_F→σ_C-H^*相互作用.     

含有吲哚并咔唑基团的热激发延迟荧光双极性主体材料的设计、合成及应用

设计合成了一种含吲哚并咔唑基团的有机电致发光主体材料10-苯基-10-(4-(7-苯基吲[2,3-b]咔唑-5(7H)-基)苯基)蒽-9-(10H)-酮(DphAn-5PhIdCz).通过核磁氢谱对其结构进行了表征,测试了它的紫外-可见吸收波长、荧光发射波长、荧光量子产率和瞬态荧光寿命等光物理性能,该材料具有双极性和热延迟荧光特性.通过将DphAn-5PhIdCz作为绿色发光体(ppy)2Iracac的主体,制备了高效低滚降的磷光有机电致发光器件(PhOLED),其最大发光效率达到56.12 cd·A-1,外量子效率15.70%,最大功率效率71.3lm·W-1.这些数据表明Dph An-5Ph IdCz作为Ph OLED主体材料在有机发光二极管(OLED)显示和照明具有较大的潜在应用价值.     

一类有限群及其线性表示

为了掌握一门较抽象的数学理论,行之有效的一种方式就是设法将这一理论显示在某个适当选择的具体模型之上,并尽可能地根据模型的具体性质将某些理论结果直接推导出来。基于这个看法,本文中对一类具体的有限群进行了讨论。除某些初步性质之外,     

智能化住宅小区安防电子系统的常用手段

介绍了目前智能化住宅小区内防盗系统的几个层次，着重对它们各自的适用场合、使用特点应用情况做了分析。     

一类有限群的自同构群

Hlder曾经证明,对任意整数n≥3,n≠6,对称群S_n的每一个自同构都是内自同构,而S_6的内自同构群是s_6的自同构群的一个指数为2的子群。我们知道n个文字的对称群S_n也可以看成n阶置换方阵的全体对方阵乘法所形成的群。为了得到一个和Hlder定理非常接近而又不包含例外情况的相应结沦,我们假定n>3,并考虑由一切形如     

CH3CSNH2/NH4OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器

引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.