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高等院校传感技术研究会成立暨首届学术年会,于1987年12月16~19日在杭州浙江大学举行。参加会议的专家、教授和科技工作者270余名。发表论文170多篇,这是继中国电子学会敏感技术1987年10月常州首届年会之后的第二次盛会,而且1988年4月将在武汉举行第二届国际传感器技术学术会议,据悉此届活动规模更大,大会已收到论文260多篇,并附设展品厅。这说明近几年我国敏感与传感技术的发展是相当迅速的,据不完全统计,目前我国从事敏感材料、元器件和传感器研究、教学、生产和应用的单位已有830多家,研制成功大量具有特殊功能的材材、元器件和 相似文献
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同轴Super-Reltron的物理分析和数值模拟 总被引:18,自引:6,他引:12
对同轴Super-Reltron进行了物理分析和数值模拟, 在调制腔电压125kV、加速间隙电压600kV和电流15kA时, 在C波段获得了峰值功率约2.5GW和效率约25%的结果, 都较以前大大提高。计算表明频率与箔的高度成反比。在电流达到空间电荷极限以前, 微波输出功率和电流的平方成正比。 相似文献
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为配合沿海地区开放、搞活、外向型经济发展战略,特别是近年来福建省吸收了大量外资、侨资、台资,急需大量实用科技成果和产品开发项目。在福建省和福州市有关领导机关大力支持下,电子工业部激光专业情报网、红外专业情报网会同福建省科技咨询服务中心光电技术咨询部,拟于1988年12月上旬在福州市联合举办实用科技成果推广、交流、转让交易会,内容包括光电技术及其他专业实用技术,以适合中小企业、乡镇企业投产的项目为主,会议除提供交流转让科技成 相似文献
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一、晶体生长GSGG:Cr,Nd激光晶体问世后,尽管发现它的损耗比YAG:Nd高,但以φ6.3×76mm标准棒测得的激光效率却比同尺寸最好的YAG:Nd棒高约一倍,因此在高平均功率激光器上的应用得到普遍重视。同时,降低损耗的晶体生长工艺研究已成为当前的工作重点。利弗莫尔实验室(LLNL)采用提拉法平界面生长工艺成功地生长出直径为62mm无核心的GSGG:Cr,Nd单晶。根据已报导的杂质分凝系数(在晶体中Cr和Nd的分凝系数分别为1.00±0.05和0.65±0.05),由熔体公式C_i/C_f=(1-g)~(1-k)可算出起始掺杂浓度C_i和最后熔体杂质浓度C_f。式中k为分凝系数;g为熔体结晶的分数。从而可估算出,在本文研究的晶体长度内,晶体中钕浓度差约在10~20%之间。晶体生长的熔体组成与生长条件变化参数见表1。 相似文献