正离子PVA基温敏性聚合物的合成与表征及其温敏性研究

通过对聚乙烯醇(PVA)进行正离子化和缩醛化改性,制备了一种新型PVA基温敏性聚合物(CAPVA),其盐水溶液表现出最低临界溶解温度(LCST).在LCST温度以下,CAPVA能溶解于水中,其水溶液清澈透明;温度高于LCST后,CAPVA聚集并从水中分离析出.利用元素、表面电荷分析和核磁共振谱对CAPVA的结构进行了表征,并用浊度法研究了正离子接枝率、缩醛度和溶液中NaCl浓度对CAPVA温敏性的影响.     

聚苯乙烯/聚二甲基硅氧烷嵌段与接枝共聚物表面聚集态的研究

利用ATR单点全反射技术以及XPS(X光电子能谱 )测试方法对聚苯乙烯 聚二甲基硅氧烷嵌段 (PS b PDMS)和接枝共聚物 (PS g PDMS)进行了研究 ,发现聚合物膜表面存在着有机硅富集层 ,PS b PDMS有机硅表面富集程度要高于PS g PDMS ,而且不同溶解度参数的成膜溶剂和不同极性的成膜介质对有机硅富集程度有一定的影响 .     

体现工科特色的高分子化学教学探索与实践

"高分子化学"是华东理工大学高分子材料科学与工程、复合材料以及材料物理专业的核心专业课程,上海市精品课程.本文阐述了工科院校高分子化学课程教学的特色,关键问题和对策.同时结合作者的实践,探索了体现工科特色的高分子化学教学方法、教学手段和教学技巧.     

胍盐键合型聚氨酯涂料的制备及其抗菌防霉性能

采用化学键合的方式将聚六亚甲基盐酸胍(PHMG)键合到聚氨酯(PU)分子链上,制得抗菌PU涂料PU-PHMG。利用红外光谱(FT-IR)、阿贝折射仪、原子力显微镜(AFM)等对其结构与性能进行了表征,用振荡法、抑菌圈法等对其抗菌性能进行了测试,同时探究了PHMG的质量分数对PU涂料各项性能的影响。研究表明:当PHMG的质量分数为1.0%时,PHMG的键合效率达到93.59%,对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抑菌率达到99.5%以上,证明PU-PHMG具有优异持久的抗菌性能。此外,该涂料还兼具优异的防霉性能和力学性能。     

端氨基聚氨酯接枝聚丙烯和聚丙烯共混物的结晶动力学研究

通过反应挤出的方法将端氨基聚氨酯接枝到聚丙烯上,提纯后产物的红外光谱上出现氨基甲酸酯的C=O和N-H的特征吸收峰.使用光学解偏振仪、DSC对改性聚丙烯进行结晶动力学的研究.结果表明等温结晶过程基本上符合Avrami方程,功能化基团的加入起到类似成核剂的作用,能够加快聚丙烯的结晶速率;用Mandelkern理论处理DSC非等温结晶数据,研究表明纯聚丙烯的结晶能力小于功能化聚丙烯,而且非等温结晶过程也较好地符合Mandelkern理论.     

苯乙烯阴离子本体聚合引发剂缔合及其机理的研究

分别以正丁基锂和叔丁基锂为引发剂,采用自制管式流动反应装置,对较高温度下苯乙烯阴离子本体聚合动力学进行了研究.证实了正丁基锂主要以六元缔合结构形式引发聚合,并导致超分子团聚体的形成,从而使进一步的聚合因单体扩散受阻而受到限制,并伴随聚合转化率停滞平台（SCP）的产生.随后由于前期聚合累积的能量,使超分子结构完全解离.聚合温度越高,SCP持续时间越短.结果还表明,在正丁基锂引发剂中,存在一个以六元缔合结构为基础形成的更大的缔合体结构.原子力显微镜照片显示,超分子结构的直径分别为20～30nm和50～60nm.此外,在阴离子聚合过程中活性种的缔合结构只决定于初始引发剂的分子结构,而不同活性种缔合结构对阴离子聚合的链增长存在很大影响,从而解释了采用不同结构的锂系引发剂引发苯乙烯单体聚合时聚合速率存在巨大差异的原因.     

高橡胶含量苯乙烯-异戊二烯共聚物的反应挤出聚合

以正丁基锂(n-BuLi)为引发剂,苯乙烯(St)、异戊二烯(Ip)混合物为单体,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)、四氢呋喃(THF)为极性调节剂,在双螺杆挤出机中,应用反应挤出技术实现了聚异戊二烯(PI)质量分数高达60％左右的苯乙烯-异戊二烯共聚物(S-I)的阴离子本体嵌段聚合.通过选择性氧化降解与GPC、1H-NMR、DMA和TEM结合,分析了产物的分子链结构.结果显示,SDBS和THF的加入增加了PI的3,4-结构含量,且大大限制了St的聚合,使最长聚苯乙烯(PS)嵌段的分子量大为减小,同时很难包裹大的Ip气泡,共聚物的结构主要为S-I小嵌段,两组分相容性增强,无规化程度增加.     

DPE对正丁基锂及聚苯乙烯活性种缔合体的影响

以具有较大空间位阻的1,1-二苯基乙烯(DPE)作为盖帽剂,使用核磁锂谱研究了正丁基锂(n-BuLi)经其盖帽以后缔合态的变化。结果表明:DPE的加入使n-BuLi中的超大缔合体解缔合成六元缔合体,但是不会影响原有的六元缔合体。由1,1-二苯基己基锂引发的苯乙烯本体聚合实验中存在转化率突变点。在突变点前的聚合产物中存在超分子结构,并随着聚合反应的进行逐渐解缔合;突变点过后超分子结构解缔合完全,反应加速进行。     

低自旋d~5络合物的ESR参数计算方法及其数学模型

低自旋d~5络合物ESR参数计算结果证明,最低Kramers简并态,不仅其自旋——轨函与能量矩阵中基函符号一致,而且叩l±能够直接满足Kramers简并态相位关系即(Ψ_1~+)=iΨ_1~-,或者(Ψ_1~-)·=-iΨ_1~+。使用Ψ_1~±推导低自旋d~5络合物的g张量主值表达式时亦不必改变g_(yy)和g_(xx)表达式的符号即直接满足计算条件g_(zz)>g_(yy)>g_(xx)>0。本文提出四十八种g值和符号组合,以及四个定性判据;同时提出并应用实轨函与复轨函的系数关系式证明了实轨函法与复轨函法配位场参数表达式的一致性。