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运用量子化学密度泛函B3LYP方法,在6-311++G(d,p)基组水平上对邻位和间位取代1-氯葸醌的分子内卤键进行了研究.用电子定域函数和“分子中的原子,,理论对分子内卤键的性质进行了电子密度拓扑分析.通过对计算得到的密度矩阵进行σ-π兀分离,得到了π-键的键径和分子图,并讨论了。电荷密度和兀电荷密度对卤键的影响.结果表明,键鞍点和环鞍点处的电子密度拓扑性质均可作为衡量分子内卤键强度的量度.键鞍点和环鞍点处的电荷密度P越大,键鞍点与环鞍点的距离越大,卤键强度越大.除σ电荷密度外,π电荷密度对分子内卤键的性质也有明显影响. 相似文献
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激光类型不同,其与生物组织的作用机理也不同。其中飞秒激光由于脉冲持续时间短、瞬时功率大、聚焦尺寸小的特点,使得其在超快、超强和超精细领域有着广阔的应用前景。而结构微小的细胞的动力学研究,如有丝分裂、变形和凋亡,对于了解细胞的生物和发育行为有着重要作用。且生物大分子和水几乎不吸收近红外波长的光,故考虑应用近红外飞秒激光对细胞进行手术。这种激光手术技术已用于对细胞内结构进行切割和蚀除。介绍了该技术在细胞领域中的一些应用,如纳米手术、基因转染和染色体切割等。与传统技术相比,该技术精度高,可在不损伤细胞活性的前提下对细胞进行实验。 相似文献
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离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1-xCx薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2~22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜(AFM)测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明:制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14~3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度. 相似文献
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Design of periodic metal-insulator-metal waveguide back structures for the enhancement of light absorption in thin-film solar cells 下载免费PDF全文
To increase the absorption in a thin layer of absorbing material (amorphous silicon, a-Si), a light trapping design is presented. The designed structure incorporates periodic metal-insulator-metal waveguides to enhance the optical path length of light within the solar cells. The new design can result in broadband optical absorption enhancement not only for transverse magnetic (TM)-polarized light, but also for transverse electric (TE)-polarized light. No plasmonic modes can be excited in TE-polarization, but because of the coupling into the a-Si planar waveguide guiding modes and the diffraction of light by the bottom periodic structures into higher diffraction orders, the total absorption in the active region is also increased. The results from rigorous coupled wave analysis show that the overall optical absorption in the active layer can be greatly enhanced by up to 40%. The designed structures presented in this paper can be integrated with back contact technology to potentially produce high-efficiency thin-film solar cell devices. 相似文献