广西左右江生态保护与修复工程动态监测技术研究

为适应自然资源管理、山水林田湖草整体保护与系统修复和综合治理、以及生态文明建设的需要,综合运用遥感、GIS、人工智能和大数据空间综合分析等技术,对广西左右江流域山水林田湖草生态保护与修复工程建设情况等开展综合监测,及时跟踪掌握各类自然资源和生态环境变化情况,用监测数据支撑管理、用监测数据辅助决策,及时开展修复实际成效评估、综合监测分析和系统评价,为政府部门科学决策和自然资源精准管理提供准确的信息服务,支撑生态保护与修复工程事中和事后监管,提升自然资源集约节约利用效率,为实现广西自然资源治理体系和治理能力的现代化提供服务保障。     

天翼“医盾”在区域卫生信息化平台的应用研究

介绍了在区域卫生信息化大环境下如何解决医疗信息系统中的合法身份认证、数据保密、隐私保护、电子签名不可抵赖等安全问题。针对区域卫生信息化的信息安全需求,提出在UIM卡中加载数字证书及密钥,采用非对称密钥算法对敏感交易信息的加密及签名,确保交易数据的保密性、真实性、完整性和不可抵赖性的安全产品。天翼"医盾"产品把PKI技术应用到医疗卫生领域,通过解决移动终端的电子密钥介质、系统平台接口和移动网络等技术问题,为医疗卫生领域的身份认证、电子签名、信息加密提供技术上的支持。     

双目视觉中的角点检测算法研究

为了实现双目视觉中的特征提取与立体匹配,在研究现有角点检测算法的基础上,提出一种改进的Harris角点检测算法。该算法首先采用图像分块和邻近角点剔除的策略,实现了阈值的自适应调节,并保证角点分布的均匀和避免角点聚簇的产生。结合Forstner检测算法,将精度提高到亚像素级。编程计算结果验证了该方法的准确性和稳定性。     

4GL编译时类型识别机制研究与设计

类型识别是编译器开发中的一项重要工作，也是语义分析中的一个最重要组成部分。本论文以JE4VB(Java Editon for VB)系统开发为背景，介绍将VB代码移植成Java代码的高级编译器中的类型识别问题。通过研究了4GL编译器语义分析过程中的类型识别问题，根据给出的抽象语法树和符号表，提出类型识别的解决方案，并给出详细的实现算法。     

横向SOI锗硅光电探测器的数值模拟

采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析。结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴势阱沟道。在3V反向偏压下,电场沿横向均匀分布,光吸收层基本完全耗尽,光生载流子得到有效收集;与Si的光电响应相比,出现较明显的响应波长范围向长波长方向扩展、响应峰值波长向长波长方向移动,证实了探测器结构的有效性和其良好的光电性能。     

高温超导直线感应电机的设计和电磁分析

本文介绍了高温超导直线感应电机的设计和电磁分析方法。首先,使用遗传算法得到一组优化的电机参数;然后,为了确定电机参数的准确性需要用有限元方法对得到的电机参数建模仿真;垂直穿过高温超导绕组的磁场(垂直磁场)对电机的临界电流影响很大,为了增加电机的临界电流,穿过电机初级超导绕组的垂直磁场应该尽可能地小。最后,要对建立的电机模型进行详细的电磁分析,以保证各项性能指标满足要求。     

一种用于北斗手持式终端的高功率放大器

采用完全对称的双链路功率合成架构,设计了一种 应用于北斗手持式终端的 高输出功率的功率放大器。采用F类输出匹配网络和自适应偏置电路,使得该功率放大器获得较高的功率附加效率和较好的谐波抑制性能。电路采用InGaP/GaAs HBT工艺流片,并通过搭载基板实现了集成化芯片的研制。芯片测试结果表明,该功率放大器的小信号增益为30 dB,1 dB压缩点为37 dBm,饱和输出功率为38 dBm,功率附加效率为45%,具有较好的谐波抑制性能。     

用于电动机驱动的SiC逆变器模块

从上世纪90年代初开始，基于硅平面工艺的IGBT开始在工业领域应用。随着工艺技术的发展，硅基IGBT提高了开关速度，降低了功耗，从而进一步提高了性能。然而，IGBT作为一种双极型器件，具有相对低的开关速度及较高的开关损耗。为进一步使用好IGBT模块，许多公司研发出与之性能相匹配的快恢复功率     

交流传动机车牵引变流器的设计与控制

交流传动电力机车牵引变流系统的特点,本文提出了大功率变流器集成箱设计概念,研究了牵引变流器集成箱设计技术。程集成箱的设计中,从机械强度、怛电距离、低感母排、电磁兼容、散热管理和维护便利几个方面,探究了变流器工作可靠性相关的结构布局和功能部件易于装拆的机电接口设计。牵引变流器控制策略考虑不周不仪能引起外部电网和牵引变流器之间到振荡,电能引输出电机到端部过电压和轴承漏电流并加速电机的损坏。本文分析了牵引变流器的控制对系统性能的影响,提出了改善控制策略的具体措施并得到实际结果的证实。     

低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜. 双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构，晶格参数为0.5683nm，据此推导出其Mn含量为7%. 磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K. 观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响，发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度，可以达到115K.