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191.
The structure of XLPE and the distribution of space charge   总被引:1,自引:0,他引:1  
The formation and accumulation of space charge under charge treatment are investigated using PWP method. The interaction between space charge and the structure of XLPE is measured using infrared spectroscopy (IR) method. The related mechanism about space charge distribution and the structure of XLPE are discussed.  相似文献   
192.
CDMA是新一代移动通信系统的关键技术,现代卫星移动通信也采用CDMA技术。多址干扰(MAI)的存在严重影响了CDMA系统的性能,需要采用多用户检测技术进行抑制。本文分析了卫星移动通信系统的模型,将线性多用户检测算法用于卫星移动通信系统,并对传统检测器、解相关检测器、MMSE检测器等线性检测器进行了性能比较。计算机仿真结果表明采用线性多用户检测技术使卫星移动通信系统的性能得到了明显的改善。  相似文献   
193.
直线感应电机目前已经在地铁、轻轨等轨道交通中得到了很好的应用,在高速交通系统和其它一些游乐设施中也有光明的前景。本文针对正在建设中的直线电机综合测试试验台所用的直线电机,通过合理简化的方法建立了MAXWELL2一D仿真模型,同时也介绍了该类电机的结构和其传统等值电路。通过对有限元仿真结果与直线电机等效电路的计算值比较研究,发现用这两种不同方法得出的直线电机牵引力值和初级电流值非常接近,从而验证了仿真的正确性,仿真结果对今后控制系统的优化有着重要意义。  相似文献   
194.
奇梦达公司近日宣布将在苏州设立一家新的专门开发存储产品的研发中心。这家新的研发中心将帮助奇梦达实现扩大和多样化产品组合的目标。奇梦达总裁兼CEO罗建华表示:"苏州是中国七大国家级集成电路产业基地之一,苏州的IC产业对中国非常重要,它的销售收入已经达到146亿人民币,占全国IC生产的16%。这是我们选择苏州作为奇梦达新的研发中心地点的原因。"苏州研发中心是由  相似文献   
195.
理论分析了密闭腔中自然对流气体稳态下的温度场和速度场对热敏丝的影响,给出了热敏丝电阻随温度和速度的变化关系。利用ANSYS软件计算了二维密闭腔体中点热源引起的速度场和温度场,并用流场计算结果定量分析了倾角变化时热敏丝电阻的变化。结果表明,热源所产生的温度场对热敏丝电阻的影响比速度场大近3个数量级,即对热敏丝电阻的变化起决定作用的是温度场而不是速度场。实验表明,电桥输出电压变化规律与数值计算结果基本一致。  相似文献   
196.
采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出:该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义.  相似文献   
197.
通过对收视率调查方法的比较和学习,提出一种基于无线传感器网络的收视率调查系统,通过无线传感器节点将调查对象的特征参数提取,并对特征参数进行数据融合和压缩处理,然后通过汇聚节点将数据通过以太网传输到后台服务系统。利用一个辅助的系统和后台服务系统相结合来提供调查样本的自然和社会属性,使得调查数据更全面。整个系统在调查过程中对用户没有任何影响,并且无需占用用户的电话线或者使用IC卡来收集信息。该系统能够实时有效地对调查样本进行调查,并对调查样本不产生任何的影响,保证了调查数据的客观性和系统的非入侵性。  相似文献   
198.
ZnO/A1lN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究   总被引:1,自引:2,他引:1  
用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜.引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配.薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及AlN(000l)的衍射峰.ZnO/AlN/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195 nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460"和1105";干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20 cm-1;3 μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5 nm激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h.低温10 K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线.所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入AlN为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量.  相似文献   
199.
主要叙述液晶显示器的常见类型和具体用途,并就液晶显示器的一般产品规格项目进行了归纳和解释。  相似文献   
200.
采用溶液浸渍法制备了聚乙烯醇(PVA)均匀包覆的石墨并研究了其微观形貌及电化学性能. 以LiNi0.8Co0.15Al0.05O2(NCA)为正极材料、 PVA包覆石墨为负极材料组装成软包电池和钢壳电池, 研究了PVA功能保护膜对全电池的电化学性能和存储寿命的影响. 结果表明, 存储过程中PVA功能保护膜可以有效抑制电解液和石墨内嵌锂反应的发生, 延长电池的存储寿命.  相似文献   
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