纳米Eu0.10Y1.90-xNdxO3-δ的光致发光特性及浓度猝灭研究

使用超声波作用下的均匀沉淀法,制备了Eu0.10Y1.90-xNdxO3-δ纳米晶荧光粉,用X射线粉末衍射、荧光光谱等对其进行表征.研究了掺杂Nd3 离子对Y2O3∶Eu3 晶格常数、晶粒尺寸及室温光致发光特性的影响.由不同掺杂浓度x=0~0.18下样品的发射光谱强度变化曲线得到猝灭浓度值,探讨了掺杂Nd3 的样品荧光浓度猝灭的机理.发光强度与浓度的关系表明,掺杂离子之间存在的Eu3 -Nd3 或Nd3 -Nd3 间交换相互作用,是导致掺杂样品浓度猝灭的主要原因.     

Strandberg型杂多阴离子（Se2Mo5O212）^4的合成和晶体结构

利用还原－氧化重构法（简法ＲＯＲ法）合成了具有Ｓｔｒａｎｄｂｅｒｇ型含硒的杂多化合物Ｋ３Ｎａ．（Ｓｅ２Ｍｏ５Ｏ２１）．２Ｈ２Ｏ的单晶，结构测定表明，此化合物属单斜晶系，阴离子包含通过共边和共顶点相连的五聚ＭｏＯ６八面体，组成八面体的５个金属原子近似形成五角平架，２个ＳｅＯ３三角锥加在五角平面的上下方。     

Fe-Co-Ni合金纳米线有序阵列的模板合成与磁性

以二次阳极氧化的氧化铝膜为模板，用电化学沉积的方法成功地合成了Fe-Co-Ni三组份有序纳米线阵列.扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜(TEM)观察表明纳米线表面光滑、有序、高长径比；磁性测量表明,其矫顽力较同组份的膜材料有较大的提高.将样品在惰性气体氛围中不同温度下退火，随着退火温度增加，其纵向矫顽力有一个极值，而对应的横向矫顽力没有类似的变化，关于这一现象的机理,本文进行了初步的讨论. 图5参15     

退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究

实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明：相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。     

碲锌镉晶体VGF法生长温场的梯度区高度设计研究北大核心CSCD

本文对不同梯度区高度的VGF法温场生长碲锌镉(CdZnTe)晶体过程进行了稳态和非稳态仿真模拟分析。研究发现,晶体生长等径初期界面凸度随着梯度区高度的增加而减小;等径末期界面凸度受梯度区高度的影响不大;界面的凸度与固液界面温度梯度变化率正相关。非稳态模拟结果显示,现有变温条件下,晶体生长过程中固液界面凸度存在先增大后减小的趋势,趋势转变点接近梯度区高度中点;界面形状的变化趋势受固液界面上生长速度分布直接影响;对比而言,10 cm高的梯度区更容易实现前中期固液界面凸界面的获得,利于形成高单晶率CdZnTe晶体。     

针对ＬＳＢ隐写的语音隐写分析方法

本研究对常用的最低有效位(LSB)隐写技术进行了隐写分析。在目前的网络环境中,检测低嵌入率语音隐写信号仍然是一个非常有挑战性的课题。近年来,神经网络模型在许多课题中都取得了显著的性能。神经网络的主流架构包括卷积神经网络(Convolution neural Networks, CNNs)和循环神经网络(Recurrent neural Networks, RNNs),这两种网络采用了不同的方式来理解各种信号。本文提出了一种合适的方法来结合这两种架构的优点,然后构造了一个新的模型,即CNN-LSTM网络来检测基于LSB的隐写方法。在本文提出的模型中,使用双向长短时记忆循环神经网络(BiLSTM)来捕获信号的长时间上下文信息,然后使用CNN捕获局部特征和全局特征。实验结果表明,该模型相较对比方法对于基于LSB的隐写分析达到了更好的效果。     

溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究

采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜。研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响。实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能。退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能。当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400 ℃退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301 μA/cm²。     

基于均匀圆阵相干信源的二维DOA估计

随着通信技术的不断发展,信号传输环境变得日益复杂。针对多径传播形成的高度相关和相干信号测向问题,提出了一种基于均匀圆阵相干信源的二维DOA估计方法。该方法利用均匀圆阵轴向虚拟平移解相干,通过去噪后利用虚拟子阵的自协方差矩阵和互协方差矩阵构造波达方向矩阵,利用该矩阵特征分解估计信号的俯仰角;然后将平滑后的自协方差矩阵与波束空间变换矩阵相乘,使圆阵的导向矢量具备范德蒙结构,最后用求根MUSIC算法估计出信号的方位角,完成了相干信号的二维DOA估计。该方法无需二维谱峰搜索,方位角和俯仰角自动配对,计算量小,分辨率高。仿真实验证明了所提方法的正确性。     

单一稀土Ce, La和混合稀土在工业纯铝中的作用

通过对比实验的方法，研究了稀土Ce，La和混合稀土对工业纯铝组织、电性能和机械性能的影响。结果表明：单一稀土La，Ce可降低工业纯铝的电阻率，提高工业纯铝的导电性，其中La的效果优于Ce．而混合稀土对电阻率几乎无影响；La，Ce和混合稀土均能减小工业纯铝的晶粒度，在其加入量为0．1％后细化效果明显，当其含量大于0．5％后细化效果趋于平缓，其中Ce的效果最佳，La次之，混合稀土最弱；单一稀土La，Ce在一定含量时可提高工业纯铝的σb6和δ，Ce的作用强于La，混合稀土对σb和δ的影响不明显。