外延GaAs平面Hall器件

本文讨论了用GaAs液相和汽相材料制备的Hall器件.在内阻为1kΩ时得到的灵敏度为30mV/mA·kG,温度系数为0.01％/℃,并可工作在-50-+250℃的温区.还讨论了掺Cr高阻衬底、外延层质量及制作工艺对器件质量的影响.     

转移电子器件中静止畴四种模式的特点及其稳定性研究

本文讨论了在转移电子器件中静止畴的四种模式的形成原因、特点及共稳定性。这四种静止畴的模式是:1.畴从阴极产生,向阳极渡越,然后静止在阳极的阴极触发静止畴;2.畴直接也阳极产生,没有渡越,然后在阳极静止的阳极静止畴;3.在外加偏压增高以后,畴展宽到整个样品以后产生的静止畴;4.由于大的非均匀有源区引起的静止畴。前两种模式已有作者报导,后两种模式是本文重点讨论的内容。另外,还对这四种静止畴的稳定性、负阻与频率的依赖关系、开态电流降落及畴承受电压能力等进行了讨论,并作了比较,认为第四种静止畴模式优点较明显。     

GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴

本文首先讨论了GaAs体效应器件中不同阴极凹槽掺杂分布对畴状态的影响,指出当凹槽深度较深时能形成在凹槽处生长然后静止的畴模式,讨论了这类畴的生长过程及其特点,并与通常的Gunn器件的三角形畴模式进行了比较.     

高纯GaAs中的等离子体振荡现象

报道了一种新的半导体体效应器件--体等离子体器件,它是由很薄的高纯GaAs层构成(1 2μm),在强电场(大于200kV/cm)下产生雪崩击穿,形成一个由电子和空穴组成的等离子体,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率,并强烈地依赖于外磁场,因此可以做成振荡器及磁敏传感器,有广泛的用途.     

高线性度外延及注入GaAs Hall器件

讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度.GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中,可以得到在2.5T的强磁场下,±0.04%的高磁线性度.     

GaAs体效应器件中阴极深凹槽引起的静止畴的实验研究

本文通过实验测量了GaAs体效应器件的畴雪崩击穿电压及相应的光发射,并进行了器件的烧毁实验,比较了阴极深几何凹槽和一般的Gunn器件之间的区别,从而说明这一模式的存在.     

高灵敏度的In_(0.53)Ga_(0.47)As Hall器件

本文首次报导了用InGaAs材料制备的Hall器件。该器件具有输出灵敏度高(比GaAs高50％),功耗小,欧姆接触好以及在较宽的温区(4K到480K)内工作等特点。在4K温度时,可以工作到80kG以上的强磁场。