硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究

报道了用电子束蒸发技术在硅守底上沉积，并于１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４，温度２５℃和４０Ｖ直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备（膜厚约４００ｎｍ）。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱（ＦＴＩＲ）、光致荧光光谱（ＰＬ）和荧光激发光谱（ＰＬＥ）。发现其荧光光谱在２８０￣５００ｎｍ范围内由三个主发射带组成，其峰值分别位于３１２ｎｍ，３６７ｎｍ和４４９ｎｍ。所有这三个ＰＬ带，经分析都与阳极氧化铝膜中的氧化铝膜中的氧空     

INFLUENCE OF LASER RECRYSTALLIZATION AND HYDROGEN ANNEALING ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF POLYSILICON

Asenic ions are implanted with doses of 5×10~(11)—5×10~(15)/cm~2 into LPCVD polysilicon films onSiO_2 isolating substrate.The polysilicon films have been recrystallized with CW Ar~+ laser beforeimplantation.Electrical measurements show that the resistivity is lowered and the mobility is increasedsignificantly at low doping concentration(～10~(17)As~+/cm~3).Plasma     

便携式数字示波器的波形后处理

介绍一种简单实用便携式数字示波器的波形后处理方法,即将波形获取软件Wavestar与数据分析软件Origin结合起来对数字示波器的输出波形进行处理。同时,以一台逆变器的测量分析为例,分析单独使用波形获取软件进行波形处理的局限性,介绍Origin的数据分析处理能力,说明两种软件如何很好地配合以发挥各自的特长。     

离子注入改善二次电子发射特性研究

本文用铬离子注入改善了摄像管用铜网的抗氧化性能和二次电子发射特性,与栅网的蒸发石墨碳化工艺比较,有其优越性和实际意义。     

火电厂1000MW机组凝汽器变形原因分析与处理

针对某电厂1000MW机组试运行期间凝汽器喉部出现局部较大变形的现象,对其进行了科学的理论分析,查明了其发生变形的原因,并提出了有效的处理方案与方法.     

DOP计数扫描法在高效过滤器安装泄漏检测中的应用

高效过滤器安装泄漏检测是空气净化技术检测的关键项目之一,结合实际工程论述了采用DOP计数扫描法检测高效过滤器安装泄漏的应用,对采用气溶胶和粒子计数器的采样要求作了规定。为了提高检漏的工作效率和保证采样结果的有效性,提出增加正压检漏的方法。     

限制性核酸内切酶PstⅠ星号活力的研究

研究了温度、酶浓度、反应时间、几种有机溶剂等因素对PstⅠ星号活力的影响,并在有利于星号活力的反应条件下测定了星号活力及原活力的Km 分别为1.46×10- 7 m ol/L和1.02×10- 8 m ol/L,Vm ax 分别为2.86×10- 16 m ol/s和3.06×10- 15 m ol/s.