粘接技术在微组装中的应用

本文讲述了微组装中粘接技术需采用性能良好的导电胶,从粘接理论入手,结合实施结果和实践经验,详细论述了如何选择适当的导电胶,并具体分析了粘接工艺中胶层厚度,固化温度、时间、压力及粘接表面对粘接强度,导电性、导热性和可靠性等的影响。     

硒化锌基底7. 8～10. 6μm波段增透膜

文中介绍了研制的7. 8～10. 6μm的长波红外增透膜,平均透射率大于98%。通过材料选择,合理的膜系设计,离子辅助技术和温度筛选等多种改进工艺,研制出可靠性和光谱特性皆优的ZnSe长波红外增透膜,达到了GJB2485295光学薄膜通用规范要求。     

全电子束光刻制造二维光子晶体波导器件解决方案

以光子晶体Fabry-Perot腔为例,提出了全电子束光刻制作光子晶体波导器件的解决方案.曝光光子晶体区域时采用较小的曝光步长,同时引入额外的邻近效应补偿本征邻近效应,从而获得高质量的掩模图形.曝光较长的输入、输出波导时,采用较大的曝光步长以提高电子束扫描速度,同时在波导的写场(write-field)过渡区引入一个锥形波导以减小写场拼接误差对光传输效率的影响.实验结果证明,这种方法既能保持小孔制作需要的高精度,也能很大程度上提高光刻效率.     

紧凑型折反式头盔光学系统设计

为适应近年来头盔显示器微型化和轻量化的发展需求,设计了一种紧凑型折反式头盔显示器光学系统。通过减小分束镜倾角使整个棱镜更薄;系统引入双胶合透镜和非球面,用以消除系统色差及其他像差;所有元件采用胶合方式实现一体化结构,更加紧凑,便于装调。设计的光学系统技术指标为视场角27.0°×20.4°,出瞳距离25 mm,出瞳直径12 mm,后截距大于5 mm,眼分辨率满足在40 lp/mm时的调制传递函数(MTF)值大于0.5,系统畸变小于0.5%。分析结果表明,该系统具有良好的成像质量,系统像差特性满足目视系统的成像要求,可广泛应用于虚拟现实的各个领域。     

微处理化医用光纤温度传感器研究

通过对该传感器温度检测原理和探头结构的分析,提出了光纤温敏探头的优化设计。应用微机化信号处理系统,使该传感器的温度分辨率及自动测控功能得到提高。     

改进工艺提高薄膜附着力

薄膜制作技术在混合集成电路中扮演十分重要的角色。附着力的强弱是影响薄膜电路质量最关键的因素。通过实验 ,查明了膜系结构、金属相间扩散、溅射金属化气氛、清洗等方面导致薄膜起层的原因 ,并选择出最佳工艺条件。     

星载仪器温度控制电路可靠性预计

主动温度控制措施是星载仪器适应空间严酷热环境的重要手段。某星载仪器采用主动加热的的方式对温度敏感组件进行温度控制。该温控模块的可靠性直接关系到主动温控措施的效果,进而影响仪器任务的成败。本文以该温控电路为基础,通过对系统备份和单元备份两种冗余设计方案的可靠性进行了分析对比,结果表明采用系统备份方式的温控电路可靠度更高,根据该可靠性预计结果,结合该星载温度控制功能模块特点,确定了温控模块的最终实施方案。     

冷阴极荧光灯电子驱动器

冷阴极荧光灯在LCD背光照明、办公设备(如复印机、扫描仪等)及滚动广告灯箱等领域中有着非常广泛的应用。虽然在电话、手机、PDA和数码相机等便携式电子产品小尺寸彩屏中的背光照明早已是LED一统天下,但在笔记本电脑、LCD彩电、LCD监视机等大尺寸LCD的背光照明中,CCFL却独领风骚。尽管在大尺寸LCD背光应用中,CCFL将会遇到LED的竞争,但近期因LED价格居高不下,并且数十个乃至数百个LED在一起用作背光灯时发光亮度不均匀问题也成为一个准入的技术门槛。因此CCFL的统治地位在今后几年中不会被LED所取代。     

基于神经网络的HEMT大信号模型

运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型。通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值。通过BP神经网络,利用偏置相关的非线性元件值作为训练样本,利用误差反向传播的Levenberg-Maquardt方法训练神经网络并得到了网络权重数据。模型中的非线性元件在CAD软件中用神经网络实现,并将权重数据和CAD软件结合进行仿真。测试和仿真结果表明模型具有很高的精度。     

SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响

对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响,与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究.发现只有在高温且掺杂浓度低的情况下,能级分裂的影响很小可忽略不计,其他条件下均需考虑能级分裂因素.随掺杂浓度的增加,能级分裂的影响增强;随温度的升高,能级分裂影响的整体趋势下降,但存在峰值.当杂质能级深度发生变化时,能级分裂的影响显得比较复杂;曲线上的峰值随着能级深度的增加而向高温方向移动,能级越浅峰就越小;并且在高于某一温度时,随能级的加深能级分裂的影响逐渐增强.