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硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备 总被引:4,自引:1,他引:4
本文报道用自组织法在硅片上制备纳米多孔氧化铝列阵的技术.在P型〈100〉晶向,电阻率为0.5Ω·cm的清洁硅片上,用电子束蒸发一层400nm厚的99.99%高纯铝膜,然后将其作为阳极,浸入15wt%H2SO4溶液中,在直流恒压40V、恒温0℃条件下进行电化学氧化处理.处理结束后,分别用透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对样品实施了平面形貌和横断面形貌观察,结果表明,在硅片上形成了一层厚约700nm,孔间距50nm,孔径17nm,局域呈六度对称的氧化铝纳米有序孔列阵.这种纳米多孔列阵可用作制 相似文献
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基于SMIC 0.35μm嵌入式EEPROM工艺实现了一款256byte的超低功耗EEPROMIP核。典型情况下.读电流为40μA,页编程电流为250μA,特别适合RFID(Radio Frequency Identiffcation)标签芯片的应用。针对芯片中各种功耗的来源进行了详细的分析,并给出了相应的实现方法。 相似文献
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基于FPGA的高分辨率D/A转换器的实现 总被引:1,自引:0,他引:1
为增强FPGA(现场可编程门阵列)对模拟信号的处理能力,扩展FPGA的应用范围,介绍了一种基于FPGA实现高分辨率D/A转换器的技术。利用FPGA内部PLL(锁相环),提高时钟信号的计数频率,从而提高PWM(脉宽调制)信号的基波频率,通过5阶巴特沃斯低通滤波器,实现14位高分辨率D/A转换器。阐述了PWM实现D/A转换器的理论基础和实际应用注意事项,该方法已用于实际D/A转换器系统,具有精度高、误差小的优点,对于FPGA的实际应用具有一定的指导意义。 相似文献
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采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最优的沟槽宽度使得探测效率最大化;沟槽深度越大,探测效率越高。沟槽宽度和沟槽间距为15μm和5μm是一对优化的参数组合,可保证较高的探测效率和较平稳的系统甄别阈-探测效率曲线。当系统甄别阈取300keV时,沟槽宽度、间距和深度分别为15,5μm和200μm时的MSND热中子本征探测效率可达37.77%,与平面探测器相比提高了9.2倍;对137 Cs源662keV伽马射线的中子-伽马射线甄别比可达4.1×103,与平面探测器相比提高了23.7倍。本工作从理论上证明了MSND可解决传统平面型半导体中子探测器探测效率低的难题,同时可保持半导体探测器中子-伽马射线甄别容易的特点。 相似文献
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为了探究VO2薄膜受激光辐照的温度场分布,以及1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的激光功率密度阈值,并比较近红外和中红外波段透过率调制特性差异。首先基于COMSOL建立了薄膜受激光辐照的模型并进行了温度场仿真,然后分别测试了薄膜正反面被不同功率密度的1 064 nm激光辐照100 s内激光透过率随时间响应特性。实验中的VO2薄膜利用分子束外延法在Al2O3基底上制备得到。仿真结果表明,激光功率密度为25 W·mm-2时,50 nm厚薄膜在被辐照1 ms时间内即达到相变温度。经激光辐照实验发现:50 nm厚的VO2薄膜正反面受1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的功率密度阈值分别为4.1 W·mm-2和5.39 W·mm-2。30 nm厚VO2薄膜对1 064 nmn激光的透过率调制深度约为13%,对3 459 nm激光透过率调制深度约62%,说明VO2薄膜对近红外透过率调制特性不明显。 相似文献
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基于ARM的毫米波天线自动对准平台系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
在毫米波中继通信设备中,为提高对准精度,缩短对准时间,满足快速反应的要求,并结合毫米波波瓣窄,方向性强的特点,创造性地提出了毫米波天线自动对准平台系统的设计方案。在天线对准过程中,将复杂的的空间搜索转换成两个简单的水平和垂直搜索,简化了搜索控制算法。采用基于ARM的32位微处理器LPC2294进行控制,用步进电机驱动平台和毫米波设备转动,实现毫米波通信设备的快速准确对准。毫米波中继通信设备在国内还处于研发改进阶段,所以该对准平台系统具有极大的参考意义。 相似文献
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100.