丁达尔效应的应用研究进展

丁达尔效应具有即时响应、非侵入性等特点,近年来在环境生物、医学诊断、化工生产、食品药品等领域中得到了广泛应用。对现有的丁达尔效应应用技术进行了简要综述,具体包括,丁达尔效应在不同重金属离子浓度检测、生物分子浓度检测、疾病诊断、制剂制备场景中的应用,在工业生产中辅助疏水材料与半导体芯片生产、太阳能电池能效改进方面的应用,以及在食品安全中白酒品质鉴定与茶叶农残检测的应用。最后对丁达尔效应应用技术的未来发展方向进行了展望。丁达尔效应的应用总结及展望将为后续应用者提供研究方向和理论参考。     

提拉法Ti:LiAlO2晶体的生长、缺陷及N2退火研究

本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0.1%原子分数的LiAlO2单晶体,借助光学显微镜,结合化学腐蚀法,对Ti:LiAlO2晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究,用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌。结果表明:Ti:LiAlO2晶体(100)面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑,位错密度约为5.0×104cm-2,900℃空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大;N2退火能显著影响晶片的表面形貌,当退火温度为900℃时,晶片的均方根粗糙度(RMS)达到最低值。     

Schwarz混乱松弛法(S-COR)及同步和异步并行算法

早在1985年,[1]就把Schwarz交替法推广到任意多个子区域分解情形,并且提出了带松弛因子ω的S-COR算法.就一般的二阶自共轭椭圆问题而言,[1]断言:当ω∈(0,2)时,S-COR算法收敛,并在[1]和[2]中给出了收敛性证明.但在证明中有几处不严密的论证.本文利用Lions的理论给出一个收敛性证明,并提出几个同步和异步并行算法.其收敛性可由S-COR算法的收敛性导出.     

γ-LiAlO2晶体生长挥发和腐蚀研究

本文采用导向温度梯度法生长出了透明γ-LiAlO2晶体，借助扫描电镜和X射线粉末衍射系统地研究了温度梯度法生长晶体的工艺过程，坩埚中晶体上部为LiAl5O8和um02多晶体，中部[100]方向自由结晶形成了单一透明的γ-LiAlO2晶体，下部为钼金属颗粒，蓝宝石籽晶被严重污染；坩埚内分成上、中、下三部分是晶体生长过程中熔体组分中Li2O挥发和腐蚀造成的。     

一起由于高山直放站引起的移动基站干扰案例

2009年10月7日，抚州市无线电管理局接到江西抚州市移动公司的申诉自10月3日以来南丰县城及南城大量小区受到干扰。其中南丰基站受干扰小区达30个，南城在靠近南丰的7个小区也有不同程度的干扰。     

非极性GaN薄膜及其衬底材料

本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等.通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高.     

新型掺杂LiAlO2晶体衬底研究

本文系统研究了LiAlO2晶体及掺钛0.2;原子分数LiAlO2晶体的水解性能,用原子力显微镜对(100)晶片在不同水解时间下的表面形貌进行了观察,对比发现这两种晶体的(100)面均具有极性和易水解性.同时观察到掺钛LiAlO2晶体的抗水解性比纯LiAlO2晶体更好,因为掺钛LiAlO2晶体有更多的Li空位,水解的活性得到降低.     

Ti: LiAlO2新型晶体的结构分析

通过研究提拉法生长的掺杂Ti浓度为0.2at%的LiAlO₂晶体吸收光谱，荧光光谱和红外光谱，来分析此新型晶体的结构.分析发现光谱中仅出现了四价Ti离子的196nm的特征吸收峰, 用235nm光激发得到384nm的特征发射峰；针对吸收光谱中660—820nm出现的四个弱小吸收峰提出了一个色心模型，从而解释了空气和富Li气氛处理后吸收峰消失的现象；对比纯LiAlO₂晶体的红外光谱发现，Ti的掺入仅影响了［AlO₄］键强，而［LiO_{4 关键词： 2}')" href="#">Ti: LiAlO₂ 色心 光谱     

MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的性能研究

本文采用MOCVD法分别在a面和c面蓝宝石衬底上生长出7层InGaN/GaN多量子阱结构的GaN薄膜,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪、吸收光谱等手段对样品进行表征.分析表明:a面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品A)的FWHM为781.2 arcsec,c面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品B)的FWHM为979.2 arcsec.样品A和样品B中存在的压应力分别为0.8523 GPa和1.2714 GPa,薄膜的能带宽度(理论值为3.4 eV)分别为3.38 eV和3.37 eV.以上数据表明a面蓝宝石衬底上生长出来GaN薄膜的结晶质量较好,光学性能更优异.     

图形电磁计算方法的改进

为了克服传统方法存在的无法对所有棱边进行精确识别的弊端,采用了一种图形电磁计算与模型分析相结合的计算目标RCS的新方法,从而改善了RCS计算的精度.采用了一种增强图形电磁计算通用性的方法,克服了传统的图形电磁计算中要根据实际目标的尺寸不断调整可视空间的尺寸的弊端,从而实现在视口中完全显示物体和对物体完成尽可能细密剖分的目的,大大增强了软件的通用性.