γ-LiAlO2衬底上生长GaN的研究进展

γ-LiAlO2与GaN的品格失配很小,易于分离,在其（100）面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合γ-LiAlO2的基本性质,详细介绍了γ-LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展。     

Ti:LiAlO2新型晶体的结构分析

通过研究提拉法生长的掺杂Ti浓度为0.2at%的LiAlO2晶体吸收光谱,荧光光谱和红外光谱,来分析此新型晶体的结构.分析发现光谱中仅出现了四价Ti离子的196nm的特征吸收峰,用235nm光激发得到384nm的特征发射峰;针对吸收光谱中660-820nm出现的四个弱小吸收峰提出了一个色心模型,从而解释了空气和富Li气氛处理后吸收峰消失的现象;对比纯LiAlO2晶体的红外光谱发现,Ti的掺入仅影响了[AlO4]键强,而[LiO4]及相关键强几乎不变;结合ICP测试估算出直径50mm,厚1mm的Ti:LiAlO2的Li空位为5.5×1020个.     

γ-LiAlO2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究

利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(11■0)ZnO薄膜.衬底温度为350℃时,薄膜是混合取向(a向和c向),以c面ZnO为主,且晶粒尺寸分布很宽;提高温度达500℃,薄膜变为单一的(11■0)取向,摇摆曲线半高宽0.65°,晶粒尺寸分布趋窄,利用偏振透射谱可以明显看出其面内的各向异性.衬底温度650℃下制备的样品晶粒继续长大,虽然摇摆曲线半高宽变大,但光致发光谱(PL)带边发射峰半高宽仅为105meV,比在350℃,500℃下制备的样品小1/5.     

电磁场反应原理与线性电路多端口互易定理

多端口互易定理是线性电路重要研究内容之一.在电磁场的反应原理基础上,本文明确了互易性的物理涵义和电磁场互易定理的成立条件.从电磁场的互易定理出发,本文推导了线性电路多端口的互易定理,指出了电路多端口互易定理成立的充分条件是网络的无源性.对于含源(独立源或受控源)的网络,从反应互易性的角度,互易定理是不成立的.     

电路冲激响应数值仿真激励源施加方式研究

电路的单位冲激响应是研究电路瞬态性质的重要工具之一。由于理想冲激函数在数值实现上存在困难,为得到电路的冲激响应,本文分别以高斯、三角形、梯形和矩形函数作为替代冲激源,采用伴随模型,对二阶RLC串联电路的暂态响应进行了仿真,比较了在四种不同的激励函数作用下电路的初始状态与理想冲激响应的差异。     

垂直结构LED和倒装结构LED的发光特性研究

研究了1.16 mm GaN基蓝光芯片的垂直封装结构LED和倒装封装结构LED在驱动电流达到和超过工作电流350mA的发光特性和变化趋势.随着驱动电流的逐渐增大,与垂直结构LED相比,倒装结构LED光通量的饱和电流值增加350mA,在1 200 mA电流时的光通量高出25.9％,色温的异常电流值增加了400 mA,发光效率平均提高81 m/W.实验结果表明,倒装结构LED具有更高的抗大电流冲击稳定性和光输出性能,可有效提高LED在实际应用中使用寿命.     

一维有限元的h-p方法的后验误差估计

有限元的h-p方法,是指在增加有限元空间的维数时,既加密某些单元的网格,同时也增加某些单元的次数.对h-p方法,人们希望得到O(h~mp~(-n))(m,n>0)形状的误差估计.这种误差估计的结果包括了对传统的h方法以及p方法的结果.关于h-p方法的     

L型薄导体电阻的估算方法

本文提出一种利用圆弧导体电阻等效处理不规则导体转角电阻的估算方法。从宽度相等的L型薄导体片的电阻估算出发,推广到宽度不相等的L型导体片电阻估算。通过对估算方法的误差分析,提出细化求解区域来提高估算精度的方法,并结合实际算例对不同的细化程度下估算的精确性加以讨论和比较。     

铟网位置对无极灯253.7 nm共振谱线的影响

无极灯是一种基于高频电磁感应和无极气体放电的新型电光源,由Hg 253.7 nm共振谱线激发荧光粉进而发出可见光。通过原子发射光谱分析,实验研究了铟网位置对Hg 253.7 nm共振谱线的影响规律。研究发现,Hg 253.7 nm共振谱线的相对强度,当铟网位于耦合线圈两端时最强,位于耦合线圈中部时较弱,远离耦合线圈时最弱。并推断,存在一个最佳的铟网位置,对应最高的发光效率。结合Maxwell 3D有限元仿真,从气体放电角度对实验结果进行了定性分析,对无极灯模型设计与参数优化具有指导意义。     

脉冲功率电源辐射电磁场测量与分析

 对采用三电极气体间隙放电开关的脉冲功率电源和采用可控硅开关的脉冲功率电源进行了辐射电磁场测量与分析。所研究的脉冲功率电源的脉冲持续时间为ms量级,电流峰值为几十到几百kA。使用多组微分式磁场探头和高采样率、高存储深度的数字示波器进行了磁场测量;通过探头校对实验,对探头系数进行了校验。通过对微分测量结果的校正与积分运算,得到了磁场的时域波形。分析了低频段按照探头系数的计算方法和积分处理方法的关系,总结了时域波形重构的一些方法。得到了两种电源的电磁场特性：三电极气体间隙放电开关产生的磁场频谱范围可达10 MHz,而可控硅开关产生的磁场在1 MHz以内;其辐射电场微弱。