排序方式: 共有71条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
<正>YAG:Ce crystal with a diameter of 110 mm is successfully grown by the temperature gradient technique (TGT).The effects of annealing on the luminescence efficiency of YAG:Ce crystal are investigated,and the optimal annealing temperature and atmosphere are obtained.The mechanism of variation behavior of the luminescence efficiency of YAG:Ce under different annealing conditions is discussed and some details on the luminescence associated with color centers are analyzed. 相似文献
12.
抚州市位于江西省东部,全市土地总面积188万平方公里,人口420万.现辖临川区和南城、南丰、黎川、崇仁、乐安、宜黄、金溪、资溪、广昌、东乡10个县。在边远的县城,大部分群众选择用卫星电视接收器来接受电视节目。近些年,由于经济利益的驱使和不正当的竞争,部分农村电视传输经营者对用卫星电视接收器用户进行恶意干扰,导致广大人民群众不能正常收听和收看电视节目。 相似文献
13.
本文讨论利用Helmhohz线圈结构产生匀强磁场时的线圈参数设计问题.该问题以不均压系数作为指标衡量一个区域磁场的均匀程度,旨在通过参数设计使目标区域磁场最均匀化.在解决这个实际应用背景下的多参数优化问题的过程中,本文通过线圈参数的预估、合理磁感应强度计算方法及优化算法的选取,大幅缩减求解过程中的计算量,提出了基于Matlab的一种更加高效快速的Helmholtz线圈设计方法. 相似文献
14.
退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响 总被引:4,自引:1,他引:3
用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响.指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果.在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强. 相似文献
15.
16.
用脉冲激光淀积法(PLD)在(111)面SrTiO3衬底上外延生长ZnO单晶薄膜.样品分别在衬底温度为350℃、500℃、600℃下外延生长.X射线衍射(XRD)的结果表明,所得的ZnO单晶薄膜结晶性能好,只出现(002)和(004)两个衍射峰,(002)峰的半高宽度(FWHM)为0.23°.在荧光光谱中我们只观察到来源于带边激子跃迁的强UV发射,并且随着生长温度的升高,紫外峰的强度逐渐增强.样品的SEM图像表明所得ZnO薄膜表面平整,晶粒均匀.衬底温度为600℃时,所得到的ZnO薄膜结构完整,晶粒尺寸最大,均匀;而且紫外发射最强. 相似文献
17.
Courant-Friedrich-Levy(CFL)稳定性条件会限制传统时域有限差分(FDTD)时间步长的选择,因此,采用传统FDTD对矩形缺陷接地结构(RDGS)传输系数(S21)进行计算,需要耗费大量的计算时间。为了节省计算时间,提高计算效率,采用无条件稳定的Crank-Nicolson格式FDTD(CN-FDTD)对RDGS传输系数进行计算,详细讨论了CN-FDTD时间步长与计算效率和计算精度的关系。数值结果表明:当CN-FDTD时间步长取值远大于CFL时间步长时,其计算结果与传统FDTD计算结果仍然吻合,同时计算效率能提高77.2%。比较了CN-FDTD和ADI-FDTD的计算误差,在时间步长取值相同的情况下,CN-FDTD的计算误差要远小于ADI-FDTD。 相似文献
18.
对采用三电极气体间隙放电开关的脉冲功率电源和采用可控硅开关的脉冲功率电源进行了辐射电磁场测量与分析。所研究的脉冲功率电源的脉冲持续时间为ms量级,电流峰值为几十到几百kA。使用多组微分式磁场探头和高采样率、高存储深度的数字示波器进行了磁场测量;通过探头校对实验,对探头系数进行了校验。通过对微分测量结果的校正与积分运算,得到了磁场的时域波形。分析了低频段按照探头系数的计算方法和积分处理方法的关系,总结了时域波形重构的一些方法。得到了两种电源的电磁场特性:三电极气体间隙放电开关产生的磁场频谱范围可达10 MHz,而可控硅开关产生的磁场在1 MHz以内;其辐射电场微弱。 相似文献
19.
分析了脉冲功率传输线建立磁绝缘的暂态过程,对暂态过程中传输线的击穿与磁绝缘关系、电子的分布规律及其与建立磁绝缘的关系进行了阐述。分析了磁绝缘传输线电极间的电子分布改变传输线工作阻抗值的现象,给出了传输线稳态工作阻抗的求解方法和用稳态工作阻抗计算传输线暂态工作阻抗的方法。研究了截面尺寸变化时传输线中电子的分布和电磁波传播的折反射情况。结果表明:传输线在建立磁绝缘的过程中损失电子是必然的,损失电子是建立磁绝缘的必要条件。截面半径沿轴向变化时,其工作特性与极间距的变化有关。极间距增大时,后半段的电子电流增大,使其工作阻抗增大并与前半段相等,因而在尺寸变化处不产生反射波。极间距减小时,由于后半段提前产生损失电子,因而尺寸变化处产生反射波。 相似文献
20.
多芯片组件中金丝金带键合互连的特性比较 总被引:1,自引:0,他引:1
金丝、金带键合已经广泛应用于毫米波多芯片组件的互连之中。本文讨论了在20-40GHz 频率范围内,单根、两根、三根金丝和金带连接的性能。测试结果表明两根和三根金丝连接的性能优于金带连接的性能,金带连接的性能优于单金丝连接的性能。 相似文献